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[发明专利]喷墨头驱动电路-CN201710173224.6有效
发明人：山下徹 -专利权人：兄弟工业株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：喷墨头驱动电路具备：多个PMOS晶体管，具有N阱区域、漏极端子及源极端子，与使墨液从喷嘴喷出的压电元件连接；及NMOS晶体管，与所述多个PMOS晶体管的所述漏极端子连接。所述多个PMOS晶体管的源极端子及N阱区域与多个电源分别连接，与各PMOS晶体管的N阱区域连接的一个电源的电压为与所述多个PMOS晶体管的源极端子连接的所述多个电源的最高电压以上。
喷墨驱动电路

[发明专利]一种静态随机存取存储器读电路、存储器及电子设备-CN202011185060.7有效
发明人：罗怡菲;姚其爽;孙燃;王子羽 -专利权人：海光信息技术股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：该读电路包括：灵敏放大电路和负压产生电路；负压产生电路包括第一控制端子、补偿电路和N型开关管；第一控制端子通过补偿电路与灵敏放大电路中的尾管的源极端连接，N型开关管的栅极端与第一控制端子连接，N型开关管的漏极端与尾管的源极端连接，N型开关管的源极端接地；当第一控制端子的电压为高电平时，补偿电路的第一端电压为大于零的电压，尾管的源极端电压为零；当第一控制端子的电压从高电平跳变为低电平时，补偿电路的第一端电压为零。通过将尾管的源极端电压从零下拉到负值，从而增大尾管源极端和漏极端的电压差，以此来提高灵敏放大电路的放大效率。
一种静态随机存取存储器电路存储器电子设备

[发明专利]具有选择性地耦合的栅极端子的差分共源共栅放大器-CN201580021230.9有效
发明人： A·N·L·陈;G·S·T·约 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：一种装置包括差分共源共栅放大器，该差分共源共栅放大器包括第一晶体管(304)和第二晶体管(306)。该装置还包括晶体管(320)，该晶体管(320)包括被耦合到差分共源共栅放大器的第一晶体管(304)的栅极端子(312)的源极端子。该晶体管(320)还包括被耦合到差分放大器的第二晶体管(306)的栅极端子(314)的漏极端子。
具有选择性耦合栅极端子差分共源共栅放大器

[发明专利]多区射频晶体管放大器-CN202180045155.5在审
发明人：林广模;B·努里;母千里;M·玛贝尔;S·什帕德;A·克姆珀施 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：RF晶体管放大器包括具有基于III族氮化物的半导体层结构以及各自都在半导体层结构的上表面上的多个栅极端子、多个漏极端子和至少一个源极端子的的RF晶体管放大器管芯，在RF晶体管放大器管芯的上表面上的互连结构，以及在RF晶体管放大器管芯与互连结构之间将栅极端子、漏极端子和源极端子电连接到互连结构的耦合元件。
射频晶体管放大器

[发明专利]电流检测设备和方法-CN201910463720.4有效
发明人：周才强;刘思超 -专利权人：伏达半导体（合肥）股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种电流检测设备包括：被配置成传导直流或交变电流的功率开关；具有第一漏极/源极端子和栅极的检测开关；所述检测开关的所述第一漏极/源极端子和栅极分别与所述功率开关的第一漏极/源极端子以及栅极连接；具有第一输入端以及第二输入端的放大器；所述放大器的所述第一输入端和所述第二输入端分别与所述功率开关的第二漏极/源极端子连接和所述检测开关的第二漏极/源极端子连接；具有栅极的第一电流检测处理开关，所述第一电流检测处理开关的所述栅极与所述放大器的输出端连接
电流检测设备方法

[发明专利]充电转接头和车辆-CN202010615213.0在审
发明人：房伟嘉;罗建兴;程东;薛鹏辉;陈明文 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B60L53/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种充电转接头和车辆，所述充电转接头，包括，直流端连接端子，适于与直流充电设备连接，其中，所述直流端连接端子包括多个第一端子、辅源正极端子和辅源负极端子，且所述辅源正极端子和辅源负极端子均空置；交流端连接端子，用于与交流充电设备连接，所述交流端连接端子包括多个第二端子；其中，多个所述第一端子与多个所述第二端子一一对应电连接。
充电转接车辆

[发明专利]开关电源电路和具有开关电源电路的电力转换装置-CN201980040826.1有效
发明人：佐藤史宏;内野祯敬;平贺正宏;田边启辅 -专利权人：株式会社日立产机系统
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：为了解决该问题，提供开关电源电路，包括：直流电压源；初级绕组的一侧端子连接到直流电压源的高电压侧的变压器；栅极端子连接至控制器且源极端子连接到直流电压源的低电压侧的第1开关元件；漏极端子连接到变压器的初级绕组的另一侧端子且源极端子连接到第1开关元件的漏极端子的第2开关元件；连接在第2开关元件的栅极‑源极间的齐纳二极管；一个端子连接到第2开关元件的栅极端子的栅极驱动电路；连接在栅极驱动电路的另一个端子和直流电压源的高电压侧端子间的电容器。提供电流路径：电流从电容器和栅极驱动电路之间的连接点流向直流电压源的低电压侧。
开关电源电路具有电力转换装置

[发明专利]GOI测试电路结构-CN201210398529.4有效
发明人：宋卓;赵永;陆黎明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种GOI测试电路结构，该GOI测试电路结构在传统的区域棱式GOI测试电路结构基础上，将栅氧层部分覆盖于第一aa区上，使得呈条状的第一aa区中靠近两端的区域未被所述栅氧层覆盖，进而形成源/漏区，并利用第三接触孔和源漏金属层分别引出源极端子和漏极端子。本发明的GOI测试电路结构共引出4端子，分别为栅极端子Gate、衬底端子Substrate、源极端子和漏极端子，比传统区域棱式GOI测试电路结构多出2个端子。本发明的GOI测试电路结构在第一aa区中引入源/漏区，这样便将源/漏区包括在了GOI测试电路结构中，进而当CD在90nm以下时，可以避免GOI测试电路结构中的寄生节点以获得准确的击穿电压。
goi 测试电路结构

[发明专利]用于将功率源的极性与电致变色装置匹配的结构和方法-CN200980149713.1无效
发明人： P.莱托卡特 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2009-10-26 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： G02F1/163 文献下载
摘要：本发明涉及一种结构（1），包括带有两个电装置接头（9，10）的电致变色装置（2）和电路装置（3），其中电路装置（3）具有：与两个装置接头连接的电压/电流测量设备（46），带有两个电极端子（14，16）的至少一个电功率源（12），所述功率源通过可控的电极端子换接电路（4）连接到两个装置接头上，其中通过电极端子换接电路可以将一个装置接头选择性地与两个电极端子之一导电连接，并且同时将另一装置接头与相应另外的电极端子导电连接；用于控制电极端子换接电路的电子控制设备，所述控制设备设计为使得测量在装置接头之间的电压和/或电流，并且装置接头分别与电极端子连接，使得在装置接头上测量的电学量的极性对应于电功率源的极性。此外，本发明还涉及一种方法，其中测量在装置接头之间的电压或电流，将所测量的电学量的极性与功率源的极性进行比较，并且将装置接头与电极端子电连接，使得在电极端子上测量的电学量的极性对应于电功率源的极性。
用于功率极性变色装置匹配结构方法

[发明专利]电子器件、形成电子器件的方法和电路-CN201910305279.7有效
发明人： J·R-吉塔特;奥罗拉·康斯坦特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：在一方面，电路包括漏极端子和源极端子；HEMT，具有漏极和源极，其中漏极耦接到漏极端子；以及可变电阻器，具有第一和第二电极。第一电极可耦接到HEMT的源极，并且第二电极可耦接到源极端子。在另一方面，电子器件包括源极端子；沟道层和阻挡层之间的异质结；HEMT的源极电极，源极电极覆盖在沟道层上面；第一电阻器电极，第一电阻器电极覆盖在沟道层上面并与源极电极间隔开，第一电阻器电极耦接到源极端子；以及可变电阻器，其中从俯视图看，可变电阻器在源极电极和第一电阻器电极之间沿着异质结设置。
电子器件形成方法电路

[发明专利]用于锁相环路的电荷泵装置的方法和电路-CN201780086190.5有效
发明人：艾伦·C·罗杰斯;拉古亨·巴格万 -专利权人：模拟比特公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H03L7/089 文献下载
摘要：本发明提供一种电荷泵，其包括：(I)电流源；(II)p沟道源电流网络，其包括：第一p沟道晶体管；第二p沟道晶体管；p沟道电流开关，其包括耦合到所述第一p沟道晶体管的漏极端子的至少一个源极端子、耦合到相位比较器的至少一个栅极，以及至少一个漏极端子；第三p沟道晶体管；和(III)n沟道吸收器电流网络，其包括：第一n沟道晶体管；第二n沟道晶体管；第三n沟道晶体管；n沟道电流开关，其包括耦合到所述第三n沟道晶体管的源极端子的至少一个漏极端子、耦合到相位比较器的至少一个栅极；和耦合到所述第一n沟道晶体管的漏极端子的至少一个源极端子；且其中所述p沟道源电流网络和所述n沟道吸收器电流网络从所述第一p沟道晶体管提取基线电流。
用于环路电荷装置方法电路

[发明专利]差动电池测试器-CN201811123915.6有效
发明人：让-伊夫·佩诺提;弗莱德里克·普拉特尔;摩根·布利邦 -专利权人：埃克斯得克欧洲
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01R31/385 文献下载
摘要：所述用于电池测试的方法中的一些包含：向电池施加第一负载阻抗；向参考电压源施加第二负载阻抗；测量所述电池的正极端子与所述参考电压源的正极端子之间的电压，其中所述电池的负极端子经由导体连接到所述参考电压源的负极端子
差动电池测试

[实用新型]用于差动电池测试的电路和差动电池测试器-CN201821572166.0有效
发明人：让-伊夫·佩诺提;弗莱德里克·普拉特尔;摩根·布利邦 -专利权人：埃克斯得克欧洲
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： G01R31/385 文献下载
摘要：所述用于电池测试的方法中的一些包含：向电池施加第一负载阻抗；向参考电压源施加第二负载阻抗；测量所述电池的正极端子与所述参考电压源的正极端子之间的电压，其中所述电池的负极端子经由导体连接到所述参考电压源的负极端子
参考电压源电池测试电池负极端子负载阻抗正极端子差动测量施加电池测试器导体连接电压确定电路申请

[发明专利]低噪声放大器-CN02811481.7无效
发明人： P·安德雷尼;H·斯杰兰德 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 2002-04-08 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：一种低噪声放大器，它包括：CMOS晶体管(M₁)，所述CMOS晶体管具有栅极、源极和漏极，栅极端子通过第一阻抗匹配网络(L_g)连接到放大器的输入端，源极端子通过第二阻抗匹配网络(L_s)连接到信号接地线；以及连接在晶体管(M₁)的栅极端子和源极端子之间的容性阻抗(C_d)。
低噪声放大器

[发明专利]半导体开关的控制装置、电源系统-CN201780077846.7有效
发明人：今里昂史;笹尾英亨 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：为了在令用于切断大电流的半导体开关向断开转变时防止在其中途动作停止，在对半导体开关元件(M1)进行驱动的控制装置(12)中，第一控制开关(Q1)连接在用于向半导体开关元件(M1)的栅极端子或基极端子提供驱动信号的信号线(L2)与半导体开关元件(M1)的源极端子或发射极端子之间。第二控制开关(Q2)与第一控制开关(Q1)并联地连接在信号线(L2)与源极端子或发射极端子之间，在所述源极端子或发射极端子的电位成为负电位时第二控制开关(Q2)转变为接通。
半导体开关控制装置电源系统