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[发明专利]使用接近加热器的存储器擦除-CN202280018429.6在审
发明人： G·M·科恩;安藤崇志;龚南博 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：具有存储器单元的存储器阵列可具有在存储器单元之间集成到存储器阵列中的一个或多个加热器。与加热器通信的处理器可以通知加热器在触发事件发生时激活。
使用接近加热器存储器擦除

[发明专利]具有双向阈值开关的相变存储单元-CN202180083147.X在审
发明人： 龚南博;安藤崇志;R·L·布鲁斯;A·雷茨尼采克;B·赫克马绍尔塔巴里 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种结构，包括底部电极(104)、垂直对准的相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(106)。一种结构，包括底部电极(104)、相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(118)、以及第二阻挡层(120，所述第二阻挡层将所述双向阈值切换层(118)与顶部电极(122)物理地分离。一种方法，包括：形成包括衬里的结构，所述衬里在第一阻挡层(108)上方垂直对准，所述第一阻挡层(108)在相变材料层(106)上方垂直对准，所述相变材料层(106)在底部电极(104)上方垂直对准；形成围绕所述结构的电介质(114)；以及在所述第一阻挡层(108)上形成双向阈值切换层(118)，所述双向阈值切换层(118)的垂直侧表面与所述第一阻挡层(108)、所述相变材料层(106)和所述底部电极(104)垂直对准。
具有双向阈值开关相变存储单元

[发明专利]基于相变材料的异或逻辑门-CN202180080583.1在审
发明人： 龚南博;G·科恩;安藤崇志 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种装置，包括：相变材料；第一电极，位于所述相变材料的第一端；第二电极，位于所述相变材料的第二端；以及加热元件，耦合到所述相变材料的在所述第一端和所述第二端之间的至少给定部分。该装置还包括耦合到加热元件的第一输入端子、耦合到加热元件的第二输入端子和耦合到第二电极的输出端子。
基于相变材料逻辑

[发明专利]包括非易失性存储单元的半导体逻辑电路-CN202280009500.4在审
发明人： 龚南博;安藤崇志;G·M·科昂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：一种相变存储器(PCM)装置，所述装置包括底部电极、在所述底部电极上方的底部加热器、在所述底部加热器上方的底部缓冲层、在所述底部缓冲层上方的PCM区域、在所述PCM区域上方的顶部缓冲层、在所述顶部缓冲层上方的顶部加热器、以及在所述顶部加热器上方的顶部电极。
包括非易失性存储单元半导体逻辑电路

[发明专利]使用铁电场效应晶体管（FeFET）作为用于存储器内计算的电容性处理单元-CN202180085602.X在审
发明人： 龚南博;G·M·科恩;安藤崇志;李宇龙 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电子电路包括：多条字线；多条位线(703‑1，703‑2)，其在多个网格点处与所述多个字线(701‑1，701‑2)相交；以及多个存储器内处理单元，其位于所述多个网格点处。所述存储器内处理单元中的每个包括第一开关，所述第一开关具有耦合到所述字线中的对应字线的第一端子和第二端子；第二开关，所述第二开关具有耦合到所述第一开关的所述第二端子的第一端子和耦合到所述位线中的对应位线的第二端子；以及非易失性可调谐电容器，所述非易失性可调谐电容器具有耦合到所述第一开关的所述第二端子和所述开关的所述第一端子的一个电极，并且具有耦合到地的另一电极。
使用电场效应晶体管 fefet 作为用于存储器计算电容处理单元

[发明专利]多级铁电场效应晶体管器件-CN202180083411.X在审
发明人： 龚南博;安藤崇志;G·M·科昂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：一种器件包括非易失性存储器和控制系统。该非易失性存储器包括非易失性存储器单元的阵列，其中至少一个非易失性存储器单元包括铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件包括第一和第二源极/漏极区，以及包括铁电层和设置在铁电层之上的栅极电极的栅极结构。铁电层包括邻近于第一源极/漏极区的第一区和邻近于第二源极/漏极区的第二区。控制系统可操作地耦合到所述非易失性存储器，以将FeFET器件编程为具有多个不同逻辑状态中的逻辑状态。多个不同逻辑状态中的至少一个逻辑状态对应于FeFET器件的极化状态，其中铁电层的第一区和第二区具有极性相反的相应剩余极化。
多级电场效应晶体管器件

[发明专利]使用互补开关的存储器内电阻式随机存取存储器XOR逻辑-CN202180082357.7在审
发明人：安藤崇志;龚南博;G·M·科恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：在使用或形成半导体结构的方法中。该半导体结构可包括具有第一电极和第二电极的电阻式随机存取存储器(RRAM)栅极。RRAM栅极还可包括开关层，该开关层包括具有开关层k值和开关层热导率的电介质材料。RRAM栅极还可包括互补开关(CS)缓解层，该CS缓解层具有低于开关层k值的CSk值和高于开关层热导率的CS热导率的材料。
使用互补开关存储器电阻随机存取存储器 xor 逻辑

[发明专利]用于神经形态计算的FeFET单位单元-CN202180080220.8在审
发明人： 龚南博;安藤崇志;B·海克马特少塔巴瑞;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：电路结构包括具有第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的第一铁电场效应晶体管(FeFET)和具有第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的第二FeFET。第一栅电极连接到字线，并且第一源电极和第二源电极连接到位线。第一漏电极连接至第二栅电极并且第二漏电极连接至偏压线。通过组合两个电路结构来构造权重突触结构。多个权重突触结构被结合到交叉式阵列中。
用于神经形态计算 fefet 单位单元

[发明专利]实施铁电选择晶体管的非易失性模拟电阻式存储器基元-CN202180083291.3在审
发明人： 龚南博;安藤崇志 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种器件包括非易失性模拟电阻式存储器基元。非易失性模拟电阻式存储器器件包括电阻式存储器器件和选择晶体管。电阻式存储器器件包括第一端子和第二端子。电阻式存储器器件具有可调节电导。选择晶体管是包括栅极端子、源极端子和漏极端子的铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件的栅极端子连接到字线。FeFET器件的源极端子连接到源极线。FeFET器件的漏极端子连接到电阻式存储器器件的第一端子。电阻式存储器器件的第二端子连接到位线。
实施选择晶体管非易失性模拟电阻存储器

[发明专利]具有纳米线芯的铁电场效应晶体管-CN202180077996.4在审
发明人： 龚南博;安藤崇志;G·科恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种铁电场效晶体管(FeFET)。该FeFET包括掩埋氧化物(BOX)层；纳米线层，其包括在所述FeFET的源极和漏极区处的所述BOX层上形成的衬垫，以及在所述衬垫之间并且在所述BOX层中形成的凹陷之上延伸的纳米线芯；覆盖所述纳米线芯的金属电极；铁电层，其覆盖所述金属电极；界面层，覆盖该铁电层；以及形成在FeFET的沟道区之上的多晶硅层，该多晶硅层覆盖界面层。
具有纳米电场效应晶体管

[发明专利]集成有垂直场效应晶体管的低压闪速存储器-CN202180068268.7在审
发明人： B·赫克马绍尔塔巴里;A·雷兹尼彻;安藤崇志;龚南博 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：一种电路(400)包括与垂直场效应晶体管集成的低压闪速存储器(200)和非易失性存储器元件(100)。低压闪速存储器通过垂直场效应晶体管、一条或多条位线和一条或多条字线与非易失性存储器元件耦合。低压闪速存储器可以提供较低的显著电导，非易失性存储器元件可以提供较高的显著电导。低电压闪速存储器可以包括源极和漏极。源极可以通过外延通道与漏极分开。低压闪速存储器可以包括浮置栅极。浮置栅极可以通过第一电介质层与外延通道分开。低压闪速存储器可以包括控制栅极。控制栅极可以通过第二电介质层与浮置栅极分开。
集成垂直场效应晶体管低压存储器

[发明专利]基于传递长度相变材料（PCM）的桥接单元-CN202111262203.4在审
发明人： G·M·科恩;安藤崇志;龚南博 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开涉及基于传递长度相变材料(PCM)的桥接单元。一种可调谐非易失性电阻性元件，其中通过改变相变材料与电阻性衬垫之间的接触的长度来调制所述设备电导。通过选择小于传递长度的接触长度，获得电导的线性调制。
基于传递长度相变材料 pcm 单元

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN202010299254.3在审
发明人：简维志;龚南博;龙翔澜;马修·乔瑟夫·布莱特史凯;克里斯多福·米勒 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器系统及其操作方法，具体为一种多层单元的一选择器一控制器三维交叉点存储器系统，包括至少一个多层单元的一选择器一电阻器结构，此结构包括相变存储器单元以及阈值开关选择器的叠层配置。导电位线与双向阈值开关选择器电性连通，而导电字线则与相变存储器单元信号连通。控制器与位线以及字线电性连通。控制器是设置以从不同电压脉冲的族群中选择至少一个电压脉冲，此族群包括读取脉冲、部分设定脉冲、设定脉冲、部分复位脉冲以及复位脉冲，且控制器还设置以将已选择的至少一电压脉冲传送到至少一个多层单元的一选择器一电阻器结构。
存储器系统及其操作方法

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