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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]熔丝结构-CN202210905583.7在审
发明人：张敦仁;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开提供一种熔丝结构。熔丝结构包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管和该第二晶体管的每一个具有源极端子、漏极端子和栅极端子；第一源极/漏极接点，设置在第一晶体管的源极端子上；第二源极/漏极接点，设置在第二晶体管的漏极端子上；绝缘体，横向设置在第一源极/漏极接点和第二源极/漏极接点之间；源极/漏极接点导孔，设置在第一源极/漏极接点上；以及编程线，连接到源极/漏极接点导孔，其中绝缘体的宽度被设置成使得跨接在源极/漏极接点导孔和第二晶体管的漏极端子上所施加的编程电压能够击穿上述绝缘体。
结构

[发明专利]半导体结构及图案布局的制造方法-CN202210886658.1在审
发明人：林俊言;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法包括：接收包括布局块的集成电路(IC)设计布局，布局块包括沿第一方向设置的多个第一线图案，延伸第一线图案的长度，连接第一线图案设置在小于预设值的距离内的多个部分，形成设置在布局块之外且平行于第一线图案的多个第二线图案，形成与布局块的多个边缘重叠的多个心轴条图案，心轴条图案沿着垂直于第一方向的第二方向定向，以及输出用于遮罩制造的图案布局，其中此图案布局包括布局块、第一线图案、第二线图案以及心轴条图案。
半导体结构图案布局制造方法

[发明专利]集成电路装置及其修改方法和形成方法-CN202210906285.X在审
发明人：张敦仁;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：集成电路装置及其修改方法和形成方法，包括接收集成电路(IC)布局设计，其包括彼此邻接的第一电路单元和第二电路单元。第一电路单元包含第一IC部件，并且第二电路单元包含第二IC部件。当第一电路单元和第二电路单元邻接在一起时，确定第一IC部件和第二IC部件之间的距离小于预定阈值。修改IC布局设计，使得在修改后的IC布局设计中消除第一IC部件和第二IC部件之间的距离。
集成电路装置及其修改方法形成

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210729706.6在审
发明人：黄铭扬;张永丰;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构的形成方法。根据本公开的方法，包括：提供一工作部件，包括多个有源区(其包括通道区及源极/漏极区)以及在通道区与多个有源区相交的多个虚置栅极堆叠。虚置栅极堆叠包括一装置部及一端部。上述方法还包括：沉积一栅极间隔件于工作部件上；异向性蚀刻工作部件，以凹陷源极/漏极区，并由栅极间隔件层形成一栅极间隔件；形成一图案化的光刻胶层于工作部件上，以露出装置部及凹陷的源极/漏极区，同时覆盖端部；以及在形成图案化的光刻胶层之后，外延形成一源极/漏极特征部件于凹陷的源极/漏极区上。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210650747.6在审
发明人：吴少均;张永丰;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法包括形成从基底突出的第一和第二半导体鳍部。第一和第二半导体鳍部各包括交替的通道层和非通道层的一堆叠。方法还包括在第一和第二半导体鳍部之间形成一介电头盔，在介电头盔上形成一虚置栅极堆叠，图案化虚置栅极堆叠以暴露出一部分的介电头盔，去除介电头盔的暴露部分，以及形成一金属栅极结构使得介电头盔的留下部分是分隔位于第一和第二半导体鳍部之间的金属栅极结构。方法还包括在金属栅极结构的一部分的上方形成一接触部件。此接触部件的一侧壁位于第一半导体鳍部或第二半导体鳍部之一者与介电头盔的留下部分之间。
半导体装置形成方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201911046746.5有效
发明人：吴仕杰;伍邦齐;赵高毅;王美匀;廖显煌;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍；形成从衬底延伸的第二鳍，第二鳍通过第一距离与第一鳍间隔开。在第一鳍和第二鳍上方形成金属栅极堆叠件；在金属栅极堆叠件上方沉积第一层间电介质；以及形成延伸穿过第一层间电介质以物理接触金属栅极堆叠件的栅极接触件，该栅极接触件横向地设置在第一鳍和第二鳍之间，栅极接触件通过第二距离与第一鳍间隔开。当第一距离大于或等于第一预定阈值时，第二距离小于第二预定阈值。本剧本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体结构-CN202210306474.3在审
发明人：张永丰;许峻嘉;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括基板，其具有分别为第一与第二导电型态的第一与第二井区。第一与第二井区在俯视图中沿着第一方向纵向延伸，第一与第二井区各自包括沿着垂直于第一方向的第二方向凸起的凸起部分与沿着第二方向凹陷的凹陷部分。第一井区的凸起部分嵌入第二井区的凹陷部分，反之亦然。第一源极/漏极结构位于第一井区的凸起部分上、第二源极/漏极结构位于第二井区上、第三源极/漏极结构位于第二井区的凸起部分上、以及第四源极/漏极结构位于第一井区上。第一与第二源极/漏极结构为第一导电型态。第三与第四源极/漏极结构为第二导电型态。
半导体结构

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201711284556.8有效
发明人：范家声;林俊言;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于缓解包括连续有源区的器件中的泄漏电流的方法和结构。在一些实施例中，通过改变光掩模逻辑操作(LOP)以在单元边界处反转阈值电压类型来增加单元边界处的阈值电压。可选地，在一些情况中，通过在单元边界处执行阈值电压注入(例如，离子注入)并且注入设置在单元边界处的伪栅极中来增加单元边界处的阈值电压。此外，在一些实施例中，通过在单元边界处使用硅锗(SiGe)沟道来增加单元边界处的阈值电压。在一些情况中，SiGe可以设置在衬底内的单元边界处和/或SiGe可以是设置在单元边界处的伪栅极的一部分。本发明实施例还提供另外两种用于制造半导体器件的方法。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件和方法-CN201711130153.8有效
发明人：张铭庆;杨宝如;林毓超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：方法包括去除第一鳍上方的伪栅极结构的第一部分，同时保留第二鳍上方的伪栅极结构的第二部分，其中，去除第一部分形成暴露第一鳍的第一凹槽；在第一凹槽中和第一鳍上方形成第一栅极介电材料；以及去除第二鳍上方的伪栅极结构的第二部分，其中，去除第二部分形成暴露第二鳍的第二凹槽。该方法还包括在第二凹槽中和第二鳍上方形成第二栅极介电材料，第二栅极介电材料接触第一栅极介电材料；以及用导电材料填充第一凹槽和第二凹槽。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。
场效应晶体管器件方法

[发明专利]集成芯片、多重晶体管装置及其制造方法-CN202110183791.6在审
发明人：林俊言;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G06F30/3947 文献下载
摘要：本公开涉及一种集成芯片、多重晶体管装置及其制造方法，制造方法包括：接收电路设计图的初始布局设计。初始布局设计包括设置于连续鳍片上的第一栅极电极、第二栅极电极及虚拟栅极电极。第一源极/漏极区域设置于第一栅极电极与虚拟栅极电极之间，而第二源极/漏极区域设置于第二栅极电极与虚拟栅极电极之间。上述方法还包括判断第一或第二源极/漏极区域中的至少一者是否对应电路设计图中的漏极，以及当第一或第二源极/漏极区域中的至少一者对应电路设计图中的漏极时，修改初始布局设计以增加与虚拟栅极电极有关的虚拟临界电压，以提供修改后布局设计。
集成芯片多重晶体管装置及其制造方法

[发明专利]集成芯片及其设计和制造方法-CN202110014641.2在审
发明人：张永丰;杨宝如;张育荣;李宗吉;谢东衡;许峻嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：集成芯片的有源器件区上的多段线的阵列延伸，以在相邻的隔离区域上形成伪器件结构。所得的伪器件结构是具有与有源器件区上的多段线的阵列相同的线宽度、线间距和节距的多段线的阵列。伪器件结构的多段线与有源器件区上的多段线在网格上。由于伪器件结构由与有源器件区上的多段线在网格上的多段线形成，所以伪器件结构可以比可能的情况更接近有源器件区。伪器件结构与有源器件区的所得接近度提高了抗凹陷性能，并且减小集成芯片上的空白空间。本发明的实施例涉及集成芯片及其设计和制造方法。
集成芯片及其设计制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710755358.9有效
发明人：范家声;杨宝如;谢东衡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：形成第一鳍片及第二鳍片于基板上；形成虚设栅极材料于第一鳍片及第二鳍片上方；形成凹口于第一鳍片与第二鳍片之间的虚设栅极材料中；形成牺牲氧化物于凹口中的虚设栅极材料的侧壁上；充填绝缘材料于虚设栅极材料的侧壁上的牺牲氧化物之间的凹口中；移除虚设栅极材料及牺牲氧化物；以及形成第一替换栅极于第一鳍片上方，并形成第二替换栅极于第二鳍片上方。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN202011055733.7在审
发明人：管晧;谢东衡;王胜雄;杨宝如;薛婉容;伍邦齐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种用于制造集成电路的方法包括接收定义半导体结构的IC设计布局，半导体结构具有在第一方向上纵向延伸的通孔轨，并且通孔轨接触在垂直于第一方向的第二方向上纵向延伸的源极接点。方法还包括使用IC设计布局上的图案识别来识别通孔轨、源极接点、与源极接点相距一定距离的漏极接点、以及夹设在源极接点和漏极接点之间的栅极结构。方法还包括确定要加入至IC设计布局中的突出通孔的位置、长度以及宽度。方法还包括在所确定的位置将具有所确定的长度和宽度的突出通孔加入至IC设计布局，以提供修改后的IC设计布局。
集成电路制造方法

[发明专利]一种多自由度管道托架结构-CN201910589088.8有效
发明人：汪源;黄建昌;刘金兵;杨宝如;肖峰 -专利权人：南通醋酸纤维有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： F16L55/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种多自由度管道托架结构，包括定位装置和支承部分；定位装置包括盖板和贴合件，贴合件与盖板内弧面贴合接触，支承部分包括托板、贴合件、弹性体和底板，贴合件与托板内弧面贴合接触，弹性体一端与托板径向距离固定连接，底板与弹性体另一端固定连接，弹性体包含颈缩部和弹性部，颈缩部设置在弹性体中间位置，弹性部设置在弹性体中间位置；定位装置和支承部分可拆卸连接。该多自由度管道托架结构简洁、有效支承管架、施工安装便捷。
一种自由度管道托架结构

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202011026437.4在审
发明人：吕哲庆;杨宝如;王彦森;蔡宗杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：披露了半导体装置与其制造方法。例示性的方法包括：于基板的第一区中形成含第一半导体材料的第一半导体层；于第一半导体层与基板上交错沉积多个第二半导体层与多个第三半导体层，以形成半导体层堆叠，其中第二半导体层包括第二半导体材料，第三半导体层包括第一半导体材料，第二半导体材料与第一半导体材料不同，第二半导体层的一者的下表面接触第一区中的第一半导体层与基板的第二区中的基板；平坦化半导体层堆叠的上表面；以及图案化半导体层堆叠，以于第一区中形成第一半导体结构，以及于第二区中形成第二半导体层结构。
半导体装置形成方法

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