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[发明专利]MOS器件中导通栅极触点-CN201080056776.5无效
发明人： R·赫贝霍尔茨;D·维加 -专利权人： 剑桥硅无线电通信有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种MOS器件（400），包括：半导体基底，包括沟道；电极（402），与沟道绝缘并且至少部分设置在沟道之上；和至少一个通到电极的触点（403），所述至少一个触点至少部分设置在所述沟道之上。
mos 器件中导通栅极触点

[发明专利]接收机-CN201210078317.8无效
发明人： D·巴比奇;J·兰德马克;B·舍伊霍尔斯拉米;P·托珀姆 -专利权人： 剑桥硅无线电通信有限公司
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G01S19/22 文献下载
摘要：接收机(50)包括：用于接收在多个频率范围内的信号的天线(12)；多个放大器(20、22、24)，该多个放大器(20、22、24)中的每一个被配置为放大在该多个频率范围之一中的信号；多个接收路径(54、56、58)，该多个接收路径(54、56、58)中的每一个将天线(12)的输出端连接到该多个放大器(22、24、26)之一的输入端，其中该多个接收路径(54、56、58)中的每一个均包括用于监测该接收路径中的信号功率的功率检测器(112、114、116)和能够进行操作以激活或去激活该接收路径(54、56、58)的开关(70、90、110)，其中每个接收路径(54、56、58)的开关(70、90、110)可用于在该接收路径(54、56、58)的功率检测器(112、114、116)检测到过载状况的情况下去激活该接收路径。
接收机

[发明专利]接收器-CN201110456160.3有效
发明人： K·马内塔基斯 -专利权人： 剑桥硅无线电通信有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本公开涉及一种接收器，所述接收器包括：天线，用于接收多个频带中的信号；包括多个放大器的集成电路，其中所述多个放大器中的每一个被配置成放大所述多个频带中的一个中的信号；以及多个可选择接收路径，所述多个可选择接收路径中的每一个将所述天线的输出端连接到所述多个放大器中的一个的输入端并且包括谐振电路。
接收器

[发明专利]多比特数模转换器和三角积分模数转换器-CN201210067408.1有效
发明人： H·扎雷-霍塞尼;P·威廉斯 -专利权人： 剑桥硅无线电通信有限公司
申请日： 2012-01-30 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H03M3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种多比特数模转换器(DAC)和采用这种DAC的三角积分模数转换器。所述DAC具有多比特输入端、用于处理在其输入端接收的输入信号的多个元件、以及用于基于所述信号输入选择一个或多个DAC元件来处理所述信号的选择器。所述DAC具有用于控制该选择器的控制装置，使得如果该DAC的输入持续预定时间段低于预定值，则所述选择器用于选择仅一个所述DAC元件来处理所述输入信号。还公开了一种采用这种DAC的三角积分模数转换器(ADC)。
比特数模转换器三角积分转换器

[发明专利]低失真放大器-CN200980154972.3无效
发明人： H·扎雷-霍塞尼;I·萨贝通 -专利权人： 剑桥硅无线电通信有限公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H03G1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种可变增益放大器电路(200)，包括：放大器元件(202)，具有输入端(208，210)和输出端(220，222)；反馈环路(224，226)，具有连接在所述放大器元件(202)的所述输入端(208，210)和输出端(220，222)之间的反馈阻抗(228，230)；输入分支(212，214)，具有连接在所述可变增益放大器电路的输入端和所述放大器元件(202)的所述输入端(208，210)之间的输入电阻；以及多个开关，用于选择所述可变增益放大器电路(200)的增益；其特征在于所述可变增益放大器电路(200)还包括具有输入端和输出端的中间元件(204)，所述输入端连接到所述开关中的一个开关和所述反馈阻抗(228，230)之间的结点，使得所述输出端能够提供能够用于衰减由所述多个开关中的非线性导致的所述放大器元件(202)的所述输出端(220，222)中的信号分量的信号。
失真放大器

[发明专利]改善的RF CMOS晶体管设计-CN200980150543.9有效
发明人： R·赫贝霍尔茨 -专利权人： 剑桥硅无线电通信有限公司
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：描述了一种改善的RF??CMOS晶体管设计。基本位于晶体管的有源区域上方的局部窄互连线均连接到源极端子或漏极端子。与局部互连线正交地布置源极和漏极端子，每个端子比局部互连线显著更宽。在范例中，局部互连线形成于第一金属层中，源极和漏极端子形成于一个或多个后续金属层中。
改善 rf cmos 晶体管设计

[发明专利]改善的晶圆级芯片尺寸封装-CN200980142314.2有效
发明人： A·霍兰 -专利权人： 剑桥硅无线电通信有限公司
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：描述了一种改善的晶圆级芯片尺寸封装技术，其不使用包封通孔在重定向层和半导体管芯上的焊盘环之内的焊盘之间进行连接。在实施例中，形成第一电介质层，使其终结于每个管芯上的管芯焊盘环之内。然后在导电层中形成迹线，其接触焊盘之一并且设置于开口边缘上方到达第一电介质层的表面上。可以使用这些迹线来形成焊盘和焊球之间的电连接。
改善晶圆级芯片尺寸封装

[发明专利]具有对角馈线的改善的金属上金属电容器-CN200980141970.0有效
发明人： R·赫贝霍尔茨 -专利权人： 剑桥硅无线电通信有限公司
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明描述一种用于改善的金属上金属电容器设计的设计。所述设计包括位于每一个金属层中的基本上对角的馈线(411，412，413)。每一个金属层(21，22，23)包括相互交织的两组金属指状物。每一组指状物包括指状物的两个子集并且所述指状物的子集设置成彼此成直角。位于两组中的第一组中的指状物全部连接到所述对角馈线，而位于另一组中的指状物经由位于所述设备的外围处的指状物连接到一起。在相邻层中重复所述设计，其中在相邻金属层之间所述设计可以相同或者旋转(例如180°)。
具有对角馈线改善金属电容器