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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置结构-CN202110856161.0在审
发明人：陈仕承;林志昌;张荣宏;张罗衡;姚茜甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体装置结构包括多个半导体层的堆叠，且半导体层彼此分开且对准；第一源极/漏极外延结构，接触半导体层的堆叠的一或多个第一半导体层；以及第二源极/漏极外延结构，位于第一源极/漏极外延结构上。第二源极/漏极外延结构接触半导体层的堆叠的一或多个第二半导体层。半导体装置结构还包括第一介电材料，位于第一源极/漏极外延结构与第二源极/漏极外延结构之间；以及第一衬垫层，位于第一源极/漏极外延结构与第二源极/漏极外延结构之间。第一衬垫层接触第一源极/漏极外延结构与第一介电材料。
半导体装置结构

[发明专利]晶体管结构及其形成方法-CN202210669320.0在审
发明人：李资良;郑柏贤;施伯铮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：该晶体管结构包括位于半导体区上方的栅极堆叠件、位于栅极堆叠件一侧的源极/漏极区、位于源极/漏极区的部分上方的接触蚀刻停止层、位于接触蚀刻停止层上方的层间电介质、位于源极/漏极区上方的硅化物区、位于硅化物区上方并且接触硅化物区的源极/漏极接触插塞、以及环绕源极/漏极接触插塞的隔离层。在源极/漏极接触插塞的俯视图中，源极/漏极接触插塞是细长的，隔离层包括位于所述第一源极/漏极接触插塞的端处的端部和位于所述第一源极/漏极接触插塞的相对端之间的中间部分。
晶体管结构及其形成方法

[发明专利]反向调节自对准接触件-CN201410184599.9有效
发明人：傅劲逢;严佑展;李佳颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及一种形成晶体管或其他半导体器件的源极/漏极自对准接触件的方法。该方法包括在衬底上方形成一对栅极结构，以及在该对栅极结构之间形成源极/漏极区。该方法还包括形成布置在源极/漏极区上方并且横向布置在该对栅极结构的邻近的侧壁之间的牺牲源极/漏极接触件。该方法还包括形成延伸在牺牲源极/漏极接触件和该对栅极结构上方的介电层。该介电层不同于牺牲源极/漏极接触件。该方法还包括去除该介电层中位于牺牲源极/漏极接触件上方的部分并且随后去除牺牲源极/漏极接触件以形成凹槽，以及用导电材料填充凹槽以形成源极/漏极接触件。
反向调节对准接触

[发明专利]薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器-CN200610079397.3有效
发明人：安泽;徐旼彻;具在本 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极
薄膜晶体管包括平板显示器

[发明专利]显示面板及显示面板的制备方法-CN202211714645.2在审
发明人：弓程 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：显示面板包括衬底、源/漏金属层、栅极以及有源层，其中，该源/漏金属层包括至少一源极以及至少一漏极，源极设置在相邻两漏极之间，或漏极设置在相邻两源极之间，且该有源层对应设置在源极与漏极之间，并与源极与漏极电性连接通过直接在衬底上制备图案化的源/漏金属层，并将有源层设置在相邻的源极与漏极之间，进而有效的改进显示面板的制备工艺，并提高薄膜晶体管内的驱动电流及综合性能。
显示面板制备方法

[发明专利]半导体装置中的沟道导电-CN202010483879.5在审
发明人： K·M·考尔道;刘海涛;李时雨;F·A·席赛克-艾吉;D·C·潘迪;C·V·穆利;J·A·斯迈思三世 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种实例设备包含第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域形成于衬底中以形成所述设备的作用区。所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域由沟道分离。感测线耦合到所述第一源极/漏极区域且存储节点耦合到所述第二源极/漏极区域。隔离沟槽邻近于所述作用区。所述沟槽包含具有导电偏置的介电材料，所述导电偏置与所述作用区中的所述沟道的所述导电偏置相反。
半导体装置中的沟道导电

[发明专利]通过注入减小导电特征之间的间隔-CN202110304424.7在审
发明人：陈国儒;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳;周孟翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括在源极/漏极区域之上形成第一电介质层，以及在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触插塞并将该源极/漏极接触插塞电连接至源极/漏极区域。源极/漏极接触插塞的顶部具有第一横向尺寸。该注入工艺使得源极/漏极接触插塞具有小于第一横向尺寸的第二横向尺寸。该方法还包括在蚀刻停止层之上形成第二电介质层，以及形成与源极/漏极接触插塞相邻的栅极接触插塞。
通过注入减小导电特征之间间隔

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110483374.3在审
发明人：杨世海;王培宇;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构，在衬底之上，该第一纳米结构包括沟道区域和第一轻掺杂源极/漏极(LDD)区域，第一LDD区域与沟道区域相邻；第一外延源极/漏极区域，环绕第一LDD区域的四个侧面；层间电介质(ILD)层，在第一外延源极/漏极区域之上；源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，该源极/漏极接触件环绕第一外延源极/漏极区域的四个侧面；以及栅极堆叠，与源极/漏极接触件和第一外延源极/漏极区域相邻
半导体器件方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN201210095497.0无效
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-04-02 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括基板、活性层、栅极、源极电极以及漏极电极。所述活性层设置在基板上，其包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧的源极及漏极。所述源极电极和漏极电极分别对应设置在源极及漏极上。源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间还设有载流子浓度高于活性层的N型III族氮化物导电层。由N型III族氮化物导电层可以有效降低源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间的接触电阻。
薄膜晶体管

[发明专利]半导体 ESD 器件-CN201510202418.5有效
发明人：多尔芬·阿贝索卢比责;巴特·范维尔岑 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：有源区还包括源极，源极包括具有源极触点的硅化物部分。有源区还包括漏极，漏极包括具有漏极触点的硅化物部分。源极和漏极各自沿着器件轴远离栅极延伸。漏极触点沿与器件轴正交的方向相对于源极触点横向偏移，由此源极触点和漏极触点之间的电流具有横向分量。器件还包括横向位于漏极触点和源极触点之间的非硅化物区。
漏极触点源极触点源区漏极源极硅化物半导体非硅化物区保护器件方向相对横向分量横向偏移静电放电栅极延伸正交的衬底制造

[发明专利]串联晶体管结构及其制造方法-CN201510349959.0有效
发明人：王景祺;李建志;江典蔚;蔡庆威;王志庆;何炯煦;谢文兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种串联晶体管结构，包括：第一源极、第一沟道‑漏极结构、第二沟道‑漏极结构、栅极介电层、栅极、第一漏极焊盘和第二漏极焊盘。第一源极位于衬底上方。第一沟道‑漏极结构位于第一源极上方并且包括第一源极上方的第一沟道和第一漏极。第二沟道‑漏极结构位于第一源极上方，并且基本平行于第一沟道‑漏极结构，并且包括第一源极上方的第二沟道和第二漏极。第一漏极焊盘位于第一漏极上方并与第一漏极接触。第二漏极焊盘位于第二漏极上方并与第二漏极接触，其中，第一漏极焊盘和第二漏极焊盘彼此分离。本发明还涉及串联晶体管结构及其制造方法。
串联晶体管结构及其制造方法

[发明专利]晶体管及形成集成电路系统的方法-CN202080056191.7在审
发明人：刘鸿威;S·查杰德;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的所述至少一个内的所有晶粒具有彼此相差在0.064pm3内的平均晶体尺寸。公开包含方法的其它实施例。
晶体管形成集成电路系统方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202310115567.2在审
发明人：周孟翰;萧宜瑄;刘书豪;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一实施例中，装置包括源极/漏极区域，邻接于通道区域；层间介电质，位于源极/漏极区域上；源极/漏极接触，延伸穿过层间介电质且进入源极/漏极区域；金属半导体合金区域，位于源极/漏极接触及源极/漏极区域之间，金属半导体合金区域，设置在通道区域的上表面下方，金属半导体合金区域包括第一掺杂物；以及接触间隔物，环绕源极/漏极接触，接触间隔物包括第一掺杂物及非晶化杂质。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]薄膜晶体管（TFT）和包括该薄膜晶体管的平板显示器以及它们的制造方法-CN200510091311.4有效
发明人：金泰成 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管(TFT)能够减小源极/漏极的互连电阻，防止有源层的污染，减少像素电极和源极/漏极之间的接触电阻，平稳地向有源层提供氢并具有高迁移率、开电流特性和阈值电压特性。该TFT包括：具有沟道区和源极/漏极区的有源层；用于向沟道区提供信号的栅极；分别与源极/漏极区相连的源极/漏极，该源极/漏极包括钛、钛合金、钽、钽合金中的至少一种；夹在源极/漏极和有源层之间的绝缘层，其包括氮化硅
薄膜晶体管 tft 包括平板显示器以及它们制造方法

[发明专利]栅极贵金属纳米粒子-CN202010114993.0在审
发明人： F·A·席赛克-艾吉;K·M·卡尔达;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种实例设备包含形成于衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区通过沟道分隔开。所述设备包含与所述沟道相对的栅极。所述栅极包含贵金属纳米粒子。感测线耦合到所述第一源极/漏极区，且存储节点耦合到所述第二源极/漏极区。
栅极贵金属纳米粒子

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