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[发明专利]半导体装置结构-CN202210184159.8在审
发明人：庄其毅;钟政庭;陈豪育;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：上述半导体装置结构包括第一及第二源极/漏极外延特征、设置于第一与第二源极/漏极外延特征间的第一栅极电极层、第三及第四源极/漏极外延特征、设置于第三与第四源极/漏极外延特征间的第二栅极电极层、设置于第一及第二源极/漏极外延特征上的第五及第六源极/漏极外延特征以及设置于第五与第六源极/漏极外延特征间的第三栅极电极层。第三栅极电极层电性连接至第二源极/漏极外延特征。上述结构包括设置于第三及第四源极/漏极外延特征上的第七及第八源极/漏极外延特征。第二栅极电极层设置于第七与第八源极/漏极外延特征间。
半导体装置结构

[发明专利]用于堆叠晶体管的环绕式接触部-CN202211440450.3在审
发明人： C-Y·黄;P·莫罗;G·杜威;W·拉赫马迪;N·K·托马斯;M·拉多萨夫列维奇;J·T·卡瓦列罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：示例包括第一源极或漏极区域以及与第一源极或漏极区域隔开并在第一源极或漏极区域之上的第二源极或漏极区域。导电接触部在第二源极或漏极区域的顶部表面上并且向下延伸到第二源极或漏极区域的一个或多个侧表面，使得导电接触部与第二源极或漏极区域的底部表面横向相邻。在一些情况下，导电接触部还在第一源极或漏极区域的顶部表面上，和/或向下延伸到第一源极或漏极区域的侧表面。在一些情况下，第二导电接触部在第一源极或漏极区域的底部表面上，并且可以向上延伸到第一源极或漏极区域的侧表面。
用于堆叠晶体管环绕接触

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN201710727712.7有效
发明人：谢佾苍;赵家忻;邱意为;许立德;夏英庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括在底部层间电介质中形成底部源极/漏极接触插塞。底部源极/漏极接触插塞连接至晶体管的源极/漏极区。该方法还包括在底部源极/漏极接触插塞上面形成层间电介质。在层间电介质中形成源极/漏极接触开口，其中通过源极/漏极接触开口暴露底部源极/漏极接触插塞。介电间隔件层形成为具有延伸到源极/漏极接触开口中的第一部分和位于层间电介质上方的第二部分。对介电间隔件层实施各向异性蚀刻，并且介电间隔件层的剩余垂直部分形成源极/漏极接触间隔件。填充源极/漏极接触开口的剩余部分以形成上部源极/漏极接触插塞。本发明的实施例还涉及集成电路及其形成方法。
集成电路及其形成方法

[发明专利]半导体晶体管器件及其形成方法-CN202110449000.X在审
发明人：苏焕杰;庄正吉;王志豪;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体晶体管器件包括沟道结构、栅极结构、第一源极/漏极外延结构、第二源极/漏极外延结构、栅极接触件和背面源极/漏极接触件。栅极结构环绕沟道结构。第一源极/漏极外延结构和第二源极/漏极外延结构设置在沟道结构的相对端上。栅极接触件设置在栅极结构上。背面源极/漏极接触件设置在第一源极/漏极外延结构下方。第二源极/漏极外延结构具有凹进的底面。
半导体晶体管器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202010574610.8在审
发明人：黄则尧 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体结构具有一基底；一漏极，配置在该基底中；一漏极接触点，配置在该漏极中；一源极，配置在该基底中；一源极接触点，配置在该源极中；一栅极结构，配置在该漏极与该源极之间，具有一底部；一通道，配置在该栅极结构的该底部，连接该漏极与该源极；一漏极应力源，配置在该漏极中并位于该栅极结构与该漏极接触点之间；一漏极应变硅层，配置在该基底中，并围绕该漏极应力源，且连接该通道；一源极应力源，配置在该源极中，并位于该源极接触点与该栅极结构之间；以及一源极应变硅层，配置在该基底中，并围绕该源极应力源，且连接该通道。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210036327.9在审
发明人：蔡忠浩;黄谚钧;方婷;姚佳贤;李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：根据本公开，一种半导体结构，包括：第一鳍结构和第二鳍结构，在衬底之上；第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征，该第一源极/漏极特征设置在第一鳍结构之上，并且该第二源极/漏极特征设置在第二鳍结构之上；电介质特征，设置在第一源极/漏极特征之上；以及接触件结构，形成在第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征之上。接触件结构电耦合到第二源极/漏极特征并且通过电介质特征与第一源极/漏极特征分隔开。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]功率模块-CN201510734212.7有效
发明人：廖奇泊;徐维;周雯 -专利权人：上海晶亮电子科技有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模块，包括源极、源极导热板、漏极、漏极导热板，源极与源极导热板连接，漏极与漏极导热板连接，源极、源极导热板、漏极、漏极导热板都位于同一块散热板上。
功率模块

[发明专利]薄膜晶体管、GOA栅极驱动电路、阵列基板和显示装置-CN201510487758.7有效
发明人：王宝强;朴相镇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、GOA栅极驱动电路、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，能够解决由刻蚀不均匀引起的源、漏极之间发生短路的问题。其中，所述薄膜晶体管包括同层设置的分别呈梳状的源极和漏极，源极与源极引线连接，源极包括多个第一源极梳齿部以及连接多个第一源极梳齿部的源极梳柄部，漏极包括至少一个第一漏极梳齿部以及连接第一漏极梳齿部的漏极梳柄部；源极还包括第二源极梳齿部，第二源极梳齿部与源极梳柄部连接，且与源极引线连接；漏极还包括位于第二源极梳齿部和邻近第二源极梳齿部的第一源极梳齿部之间的第二漏极梳齿部，第二漏极梳齿部不与漏极梳柄部连接。
薄膜晶体管 goa 栅极驱动电路阵列显示装置

[发明专利]半导体装置与应用其的半导体装置封装体-CN201410069477.5在审
发明人：林立凡;杨竣杰;廖文甲;薛清全;陈世鹏 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种半导体装置包含有源层、源极、漏极、栅极、间介电层、源极中间层、至少一源极间插塞、漏极中间层、至少一漏极间插塞、栅极中间层与至少一栅极间插塞。有源层的材质为三五族半导体。源极与漏极皆位于有源层上。栅极位于有源层上，并介于源极与漏极之间。间介电层覆盖源极、漏极与栅极。源极中间层、漏极中间层与栅极中间层皆位于间介电层上。源极间插塞电性连接源极与源极中间层。漏极间插塞电性连接漏极与漏极中间层。
半导体装置应用封装

[发明专利]存储器器件及其形成方法-CN202011060573.5在审
发明人：赖昇志;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据MFIS存储器器件的一些实施例，下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域垂直堆叠。半导体沟道位于下部源极/漏极区域上面并且位于上部源极/漏极区域下面。半导体沟道从下部源极/漏极区域延伸至上部源极/漏极区域。控制栅电极沿着半导体沟道的侧壁并且还沿着下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域的单独的侧壁延伸。栅极介电层和铁电层将控制栅电极与半导体沟道以及下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域分隔开。本发明的实施例涉及存储器器件及其形成方法。
存储器器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202110660780.2在审
发明人：朱峯庆;李威养;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：隔离结构；第一源极/漏极部件(S/D)以及第二源极/漏极部件，在隔离结构上，定义第一方向，在俯视图中，第一方向从第一源极/漏极部件至第二源极/漏极部件；一个或多个通道层，连接第一源极/漏极部件以及第二源极/漏极部件；栅极结构，在第一源极/漏极部件以及第二源极/漏极部件之间，且齿合每个通道层；以及导孔结构，在第一源极/漏极部件下方，且电性连接至第一源极/漏极部件。
半导体结构

[发明专利]具有环绕接触的纳米片晶体管-CN202111412565.7在审
发明人： J·弗鲁吉尔;谢瑞龙;程慷果;朴灿鲁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该方法可以包括在分层的纳米片的半导体层的暴露的部分上形成源极/漏极。该方法可以包括在源极/漏极上形成牺牲材料。该方法可以包括形成覆盖牺牲材料的电介质层。该方法可以包括利用接触衬垫代替牺牲材料。半导体器件可以包括与第一纳米片堆叠接触的第一源极/漏极和与第二纳米片堆叠接触的第二源极/漏极。半导体器件可以包括位于第一源极/漏极与第二源极/漏极之间的源极/漏极电介质。半导体器件可以包括与第一源极/漏极、第二源极/漏极以及源极/漏极电介质接触的接触衬垫。
具有环绕接触纳米晶体管

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202110424268.8在审
发明人：摩尔·沙哈吉·B;马佳瑛;李承翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体装置结构包括：第一源极/漏极磊晶特征结构，设置在NMOS区域中；第二源极/漏极磊晶特征结构，设置在NMOS区域中；第一介电特征结构，设置在第一源极/漏极磊晶特征结构与第二源极/漏极磊晶特征结构之间；第三源极/漏极磊晶特征结构，设置在PMOS区域中；第二介电特征结构，设置在第二源极/漏极磊晶特征结构与第三源极/漏极磊晶特征结构之间；及导电特征结构，设置在第一源极/漏极磊晶特征结构、第二源极/漏极磊晶特征结构、第三源极/漏极磊晶特征结构与第一介电特征结构、第二介电特征结构上方。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN201611126760.2有效
发明人：陈永翔;张耀文;刘注雍;杨怡箴;张馨文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一通道掺杂区、一栅极结构、一第一阱、和一第二阱。第二源极/漏极区与第一源极/漏极区相对设置。通道掺杂区设置在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间。栅极结构设置在通道掺杂区上。第一阱具有设置在第一源极/漏极区下的一第一部分。第二阱与第一阱相对设置，并与第二源极/漏极区分离。第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、和通道掺杂区具有一第一导电类型。第一阱和第二阱具有不同于第一导电类型的一第二导电类型。
半导体结构

[发明专利]LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片-CN202211205608.9有效
发明人：余山;赵东艳;陈燕宁;付振;刘芳;王帅鹏;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文;张同 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该LDMOS器件包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的源极结构、栅极结构和漏极结构；半导体衬底内形成有漂移区和体区，栅极结构形成在源极结构和漏极结构之间；源极结构包括源极掺杂区和源极金属，源极掺杂区形成在体区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，源极金属与源极掺杂区相连；漏极结构包括漏极掺杂区和漏极金属，漏极掺杂区形成在漂移区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，漏极金属与漏极掺杂区相连；源极掺杂区与漏极掺杂区上方还形成有low‑K介质层，low‑K介质层环绕在源极金属和漏极金属的四周。
ldmos 器件制造方法芯片