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[发明专利]一种沥青混合料马歇尔稳定度试验仪-CN202310875131.3在审
发明人：何宗翰;李时雨;刘鑫 -专利权人：中驰国际项目管理有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种沥青混合料马歇尔稳定度试验仪，包括机箱，所述机箱上设有升降台，所述升降台上设有下支座，所述下支座上固定有导杆，所述导杆上滑动设有上支座，所述机箱上设有支撑杆，所述支撑杆上设有支撑顶板，所述支撑顶板下设有压力传感器，所述升降台上还设有固定机构。本发明属于沥青稳定度和流值的测量技术领域，具体是指一种通过固定组件将下支座固定在升降台上，避免产生转向偏移的情况，同时能够在将试件放置时将上支座抬起，减轻人工劳动强度的沥青混合料马歇尔稳定度试验仪。
一种沥青混合马歇尔稳定试验

[发明专利]用于电催化还原CO2-CN202310212633.8在审
发明人：刘晓;徐玉睿;李文秀;崔素萍;王子明;蒋明辉;李时雨;赖光洪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C25B11/095 文献下载
摘要：本发明涉及用于电催化还原CO2的催化剂的原位制备方法。通过在导电衬底上原位制备单原子掺杂的Cu2O纳米结构，再进一步对其进行多氨聚合物修饰，得到用于电催化还原CO2的催化剂。本发明制备的催化剂为尖锐的松针状形貌，具有较大的电化学活性面积，用于催化还原CO2时可维持电解质在催化剂附近局部较高的CO2浓度并促进在电极表面的富集，提高电流密度，此外，金属单原子可提高CO2还原为甲酸的选择性，多氨聚合物修饰可提高催化剂的疏水性并捕集更多CO2参与反应，进一步提高催化剂的法拉第效率。该制备方法设计在不同衬底上原位生长，解决了催化剂脱落等难题，并可大幅改善铜基催化剂对CO2还原产物的选择性和转化效率。
用于电催化还原 co base sub

[发明专利]一种桥墩墩顶围栏安装设备及方法-CN202310843406.5在审
发明人：卢磊;佟显涛;常亮;宁旭阳;李时雨;邹学安;刘宏宇;祖培禄;高雪冬;付昌 -专利权人：中铁建大桥工程局集团第六工程有限公司;中国铁建大桥工程局集团有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： E01D21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种桥墩墩顶围栏安装设备及方法，属于铁路桥梁施工技术领域，包括吊栏胎具、吊装桁架、导向装置和定位钢筋，吊栏胎具包括两个平行设置的环形钢筋，环形钢筋之间通过多个定位柱连接；吊装桁架包括第一本体和第二本体，第一本体和第二本体平行设置，通过多个钢板固定，第一本体包括两个平行设置的钢板，钢板之间设有多个定滑轮；第二本体采用相同设置；导向装置包括，钢板、U型钢筋、钢筋和滑轮；钢板四角设有通孔，两个U型钢筋穿过通孔通过螺栓固定在钢板上，钢筋焊接在钢板中间位置，钢筋一端设有滑轮；定位钢筋，包括定位钢筋本体和套筒，套筒与钢筋本体固定连接，套筒内设有内螺纹；安装精度高，可批量流水作业，增加施工效率。
一种桥墩围栏安装设备方法

[发明专利]一种基于移动终端传感器的室内智能导航系统-CN202311063712.3在审
发明人：钱志奇;何海;高恒娟;李时雨;龙冰心;汪秋玲 -专利权人：西湾智慧（广东）信息科技有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01C21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于移动终端传感器的室内智能导航系统，包括数据采集模块、预储存模块、数据存储模块、数据处理模块、匹配模块与数据输出模块；数据采集模块用于采集实时数据；预存储模块用于短暂存储实时数据；数据处理模块用于接收预存储模块的实时数据，并对实时数据进行分析，并制定行走路线；数据存储模块用于储存历史数据以及预存储模块和数据处理模块中的数据信息；匹配模块用于建立实时位置信息与行走路线之间的联系；本发明通过实时采集的室内实时数据和历史数据对规划路线进行分析，从而排除一些合理性较差的路线，进而提升路线规划的合理性，以提升用户的使用体验，让该系统更加值得推广使用。
一种基于移动终端传感器室内智能导航系统

[发明专利]一种双涂层粉末涂料组合包及其涂装工艺-CN202210053570.1有效
发明人：左勇;刘胜飞;汤杰;单艳明;李时雨 -专利权人：湘江涂料科技有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C09D167/00 文献下载
摘要：一种双涂层粉末涂料组合包及其涂装工艺，该双涂层粉末涂料组合包包括底粉和面粉，所述底粉为低流动性，且对金属基材的边缘、拐角部分包覆性高的纯环氧类粉末涂料，所述面粉为高光泽高流动性的纯聚酯类粉末涂料；该双涂层粉末涂料组合包的涂装工艺为，先涂布底粉，然后预烘烤固化，再涂布面粉，然后再次烘烤固化，形成双重固化涂膜。本发明形成的双重固化涂层涂膜具备优异的边角包覆性能，优异的防腐蚀性能以及高平整度及高光泽度。
一种涂层粉末涂料组合及其工艺

[实用新型]一种高性能混凝土夹芯装饰外挂墙板-CN202320629410.7有效
发明人：柳昊哲;欧长红;梁建国;李时雨;欧勇;殷翠平;胡艺川;周昌 -专利权人：湖南东方红建设集团有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： E04F13/072 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种高性能混凝土夹芯装饰外挂墙板，包括安装框，所述安装框内壁设置有高性能混凝土内叶，所述高性能混凝土内叶内部固定连接有钢筋网片，所述高性能混凝土内叶前端固定连接有轻质保温材料夹芯层，所述轻质保温材料夹芯层前端贯穿并设置有均匀分布的孔洞，所述轻质保温材料夹芯层前端固定连接有高性能混凝土外叶，所述高性能混凝土外叶内部设置有水电线管，所述高性能混凝土外叶前端固定连接有模具框。本实用新型中，装饰性能优越，高性能混凝土装饰外叶和高性能混凝土内叶整体浇筑，一次性施工，无需混凝土振捣器振捣，能实现精细的外墙装饰，无需二次装饰和现场施工，提高施工效率。
一种性能混凝土装饰外挂

[发明专利]集成电路、DRAM电路和用于形成集成电路的方法-CN201980010847.9有效
发明人： 李时雨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-02-06 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：集成电路包含埋在衬底的半导体材料内的第一导电线。第一导电线包含在垂直截面中位于金属材料正上方并直接抵靠金属材料的导电掺杂的半导体材料。第二导电线位于半导电材料上方，并且在垂直截面中与第一导电线横向间隔开。第二导电线在垂直截面中包含金属材料。绝缘材料位于第一导电线和第二导电线正上方。第一导电通孔延伸穿过绝缘材料并穿过导电掺杂的半导体材料到第一导电线的金属材料。第二导电通孔延伸穿过绝缘材料到第二导电线的金属材料。公开了包括方法的其他实施例和方面。
集成电路 dram 电路用于形成方法

[发明专利]用于水平存取装置的外延单晶硅生长-CN202180066457.0在审
发明人： A·赛伊迪·瓦赫达;G·S·桑胡;S·E·西里斯;李时雨;J·A·斯迈思三世 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供用于水平存取装置的外延单晶硅生长的系统、方法和设备。一个示例方法包含：沉积第一电介质材料、半导体材料和第二电介质材料的层以形成竖直堆叠；形成第一竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有第一竖直侧壁的细长的竖直柱列；以及穿过所述竖直堆叠形成第二竖直开口以暴露第二竖直侧壁。此外，所述示例方法包含：从所述第二竖直开口选择性地去除所述半导体材料的第一部分以形成水平开口，其中所述半导体材料的其余第二部分在所述水平开口的远离所述第二竖直开口的远端；以及在所述水平开口内从所述水平开口的所述远端朝向所述第二竖直开口外延地生长单晶硅，以填充所述水平开口。
用于水平存取装置外延单晶硅生长

[发明专利]用于半导体装置的竖直数字线-CN202180073064.2在审
发明人： 李时雨;黄祥珉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供用于竖直堆叠存储器单元阵列的系统、方法及设备，所述竖直堆叠存储器单元阵列具有：水平定向存取装置及存取线及竖直定向数字线，其具有通过沟道区分离的第一源极/漏极区及第二源极漏极区，及与所述沟道区相对的栅极，所述栅极完全围绕所述沟道区的每一表面形成为栅极全包围(GAA)结构；水平定向存取线，其耦合到所述栅极并且通过栅极电介质与沟道区分离。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区的水平定向存储节点及耦合到所述第一源极/漏极区的竖直定向数字线。竖直主体触点形成为与所述水平定向存取装置中的一或多个的主体区直接电接触，并且通过电介质与所述第一源极/漏极区及所述竖直定向数字线分离。
用于半导体装置竖直数字

[发明专利]用于竖直三维(3D)存储器的水平存取装置的主体下触点-CN202110862339.2有效
发明人： S·普卢居尔塔;杨立涛;李时雨;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及用于竖直三维3D存储器的水平存取装置的主体下触点。提供了用于竖直堆叠存储器单元阵列的系统、方法和设备，所述竖直堆叠存储器单元阵列具有：水平取向存取装置，所述水平取向存取装置具有由沟道区域分离的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，以及与所述沟道区域相对的栅极；竖直取向存取线，所述竖直取向存取线耦合到所述栅极并由栅极电介质与所述沟道区域分离。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区域的水平取向存储节点和耦合到所述第一源极/漏极区域的水平取向数位线。竖直主体触点的主体下导电触点与一或多个所述水平取向存取装置中的主体区域形成直接电接触并且由电介质与所述第一源极/漏极区域和所述水平取向数位线分离。
用于竖直三维存储器水平存取装置主体触点

[实用新型]单层结构玻璃轿壁-CN202223473694.X有效
发明人：张继坤;许俊奎;李时雨;王晓静;刘美秀 -专利权人：西继迅达电梯有限公司;许昌奥仕达自动化设备有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B66B11/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单层结构玻璃轿壁，包括面板、观光玻璃和后盖板；面板的中心设置有第一观光矩形孔，观光玻璃安装于第一观光矩形孔后侧，面板的长边侧向内侧翻折形成C字形折边结构，C字形折边结构的内部固定有L形侧挡板，面板底端内侧固定有下封头和筋板，下封头的上端设置限位边，面板的顶端内侧固定有上封头，上封头限制观光玻璃的上缘，上封头上固定有上压板；后盖板的中心设置第二观光矩形孔，后盖板的长边侧固定于面板的C字形折边结构上，后盖板的长边侧内端固定有侧压板，后盖板的底端固定于筋板上，后盖板的顶端固定于上压板上。该单层结构玻璃轿壁为单层结构，无需焊接，主体通过胶粘和螺栓连接装配，便于拆装维护。
单层结构玻璃

[实用新型]一种具有加热功能的搅拌罐-CN202222901181.8有效
发明人：王震;刘军;刘琳琳;张楠;郑守祥;陈文飞;郭嵩;周兴;纪续;张铭;袁东野;黄强;李时雨;莫龙淼;褚翠兰;刘德明 -专利权人：辽宁百利科技实业有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01F35/92 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有加热功能的搅拌罐，涉及加热搅拌技术领域，包括：水箱，水箱的顶部固定连接有进水管，水箱靠近一侧的底部固定连接有出水管，出水管的底部活动连接有间歇出水轮，电机的输出端带动搅拌杆和搅拌桨旋转，输出端咬合连接的间歇出水轮开始旋转，水箱内部的水通过出水管由于重力向下流动，间歇出水口在间歇出水轮的转动下间接性将水箱内部的水流动到水槽上面，水槽内部的水会随着出水槽溢出来，均匀的散布到搅拌罐的外表面，对于搅拌罐的外壁达到了降温的效果，进料口是进料口，进水口是连接在水箱的顶部，解决了现有大部分搅拌罐在工作时内部搅拌旋转罐体温度过高，减少了搅拌罐的使用寿命，从而间接增加了使用成本。
一种具有加热功能搅拌

[发明专利]用于半导体装置的垂直数字线-CN202180069791.1在审
发明人： 李时雨;黄祥珉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供用于垂直堆叠存储器单元阵列的系统、方法及设备，所述阵列具有水平定向存取装置及存取线及垂直定向数字线，具有由沟道区分离的第一源极/漏极区及第二源极漏极区及与所述沟道区相对的栅极，水平定向存取线耦合到所述栅极且通过栅极电介质与沟道区分离。所述存储器单元具有耦合到所述水平定向存取装置的所述第二源极/漏极区的水平定向存储节点。所述垂直定向数字线与所述水平定向存取装置的所述第一源极/漏极区直接电接触形成。垂直定向主体接触线经集成以形成所述水平定向存取装置的主体区的主体触点且通过电介质与所述第一源极/漏极区及所述垂直定向数字线分离。
用于半导体装置垂直数字

[发明专利]用于半导体装置的多方向导线和阶梯式接触件-CN202180052003.8在审
发明人： 李时雨;金炳鈗;李奎锡;黄祥珉;M·扎列斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：包含用于半导体装置的多方向导线和阶梯式接触件的系统、方法和设备。一种存储器装置包含竖直堆叠的存储器单元阵列，所述阵列包含：水平定向导线的竖直堆叠，每一导线包括：在第一水平方向上延伸的第一部分；以及在第二水平方向上延伸的第二部分，所述第二水平方向与第一水平方向成一角度。
用于半导体装置多方导线阶梯接触

[发明专利]具有用于半导体装置的多个多方向导电线及阶梯式导电线接触结构的导电线接触区-CN202180062817.X在审
发明人：金炳鈗;杨胜伟;李时雨;M·扎列斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C11/4097 文献下载
摘要：系统、方法及设备包含具有用于半导体装置的多个多方向导电线及阶梯式导电线接触结构的导电线接触区。一个存储器装置包括竖直堆叠的存储器单元阵列，其具有竖直堆叠的存储器单元的多个多方向导电线阵列，包含从层的群组的重复迭代形成的层的竖直堆叠，层的所述群组包括：第一介电材料层、半导体材料层及第二介电材料层，所述第二介电材料层具有在其中形成于水平面中的导电线，并且层的所述竖直堆叠具有在互连区中的多个多方向导电线，所述互连区具有形成于阵列区中的所述互连区的第一部分及形成于与所述阵列区间隔开的导电线接触区中的第二部分。
具有用于半导体装置多方向导电线阶梯导电接触结构

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