首页 在售
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
求购
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
查询 申请 展会 资讯 专利榜 企服商城 升级VIP
专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果9806869个，建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]增强浅沟槽隔离应力的方法-CN201310125648.7有效
  • 唐兆云;闫江 - 中国科学院微电子研究所
  • 2013-04-11 - 2018-11-06 - H01L21/762
  • 本发明公开了一种增强浅沟槽隔离应力的方法，包括：在衬底中形成多个浅沟槽，多个浅沟槽之间夹有多个衬底材料构成的柱状结构；在多个浅沟槽中填充介质层，构成浅沟槽隔离；在至少一一个柱状结构顶部形成沟槽；在沟槽中外延生长应力层依照本发明的增强浅沟槽隔离应力方法，在浅沟槽隔离相邻区域的衬底中刻蚀形成沟槽并且外延生长应力层，从而简便有效提高了浅沟槽隔离的应力，最终提升了器件性能。
  • 增强沟槽隔离应力方法
  • [发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201210454954.0有效
  • 张海洋;张翼英 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2012-11-13 - 2014-05-21 - H01L21/762
  • 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层，形成贯穿所述掩膜层厚度的开口；对所述开口的侧壁进行氧化处理，形成氧化层；刻蚀所述氧化层、掩膜层、垫衬氧化层和半导体衬底，至剩余部分厚度的掩膜层以及位于其侧壁上的氧化层，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内形成浅沟槽隔离结构。本发明浅沟槽隔离结构的形成方法能够避免在浅沟槽隔离结构与半导体衬底接缝处出现凹槽，提高所形成浅沟槽隔离结构的形貌，进而提高包含所形成浅沟槽隔离结构的半导体器件的电学性能。
  • 沟槽隔离结构形成方法
  • [发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202010732615.9有效
  • 张魁;应战 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-07-27 - 2022-12-16 - H01L21/762
  • 该方法包括：提供半导体衬底，其包括浅沟槽及有源区；在浅沟槽及有源区暴露的外表面形成含氧层；在表面包括含氧层的浅沟槽内填充设定高度的第一隔离层，设定高度低于有源区的高度；在第一隔离层的上表面形成刻蚀停止层；在浅沟槽中刻蚀停止层之上填充第二隔离层，以形成浅沟槽隔离结构；刻蚀有源区和浅沟槽隔离结构，以形成字线沟槽，其中浅沟槽隔离结构内的字线沟槽的底部高于设定高度。本公开的制备方法可以利用刻蚀停止层，控制浅沟槽隔离结构内的字线沟槽的深度，使其尽量与有源区内的字线沟槽的深度保持一致。
  • 半导体器件制备方法
  • [发明专利]浅沟槽隔离结构及其制造方法-CN201811224342.6有效
  • 赵东光 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2018-10-19 - 2021-02-23 - H01L21/762
  • 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构及其制造方法，包括：首先，形成氮化掩膜层于一衬底上，并刻蚀所述氮化掩膜层和所述衬底，以形成沟槽；然后，填充隔离氧化层于所述沟槽中，所述隔离氧化层填满所述沟槽，并将所述氮化掩膜层掩埋在内；然后，向所述隔离氧化层进行离子注入，以使得所述沟槽中的隔离氧化层的部分高度区域均转化为第一阻挡层；最后，去除所述氮化掩膜层并去除所述第一阻挡层上方的隔离氧化层，以形成浅沟槽隔离结构。本发明提供的技术方案阻挡了氢氟酸等刻蚀剂对所述浅沟槽隔离结构的台阶的刻蚀，以对所述浅沟槽隔离结构的台阶高度进行准确地控制，进而提高器件的性能。
  • 沟槽隔离结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202211460134.2有效
  • 叶本飞;郭廷晃;林智伟 - 合肥新晶集成电路有限公司
  • 2022-11-17 - 2023-04-18 - H01L21/762
  • 本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构，所述初始浅沟槽隔离结构具有凸出于所述基底的突出部；于所述突出部相对的侧壁形成保护结构。通过在基底内形成初始浅沟槽隔离结构，初始浅沟槽隔离结构具有凸出于所述基底的突出部，通过在突出部相对的侧壁形成保护结构，在后续需要对初始浅沟槽隔离结构进行处理以获得浅沟槽隔离结构时，保护结构可以帮助半导体结构免于形成凹坑，进而可以对浅沟槽隔离结构进行保护，以使半导体结构的栅极不会受到破坏造成漏电等异常，避免半导体器件产生双峰效应。
  • 半导体结构制备方法
  • [发明专利]浅沟槽隔离工艺及浅沟槽隔离结构-CN201811561799.6有效
  • 陈爱军;居健 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2018-12-19 - 2022-11-04 - H01L21/762
  • 本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺及浅沟槽隔离结构，该浅沟槽隔离工艺包括：在硅衬底表面依次淀积第一厚度的厚栅氧层和第二厚度的氮化硅层；对厚栅氧层、氮化硅层和硅衬底进行处理以形成凹槽；在凹槽中填充浅沟槽隔离介质，直至浅沟槽隔离介质覆盖第二厚度的氮化硅层之上达到第三厚度；对浅沟槽隔离介质进行化学机械抛光处理，直到凹槽中的浅沟槽隔离介质与凹槽两侧的厚栅氧层的高度一致；最后剥离氮化硅层，形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构中的厚栅氧层各个位置的厚度基本为第一厚度本发明能使得浅沟槽隔离结构中的厚栅氧层各个位置的厚度基本为第一厚度，从而提高厚栅氧的栅氧完整性特性。
  • 沟槽隔离工艺隔离结构
  • [发明专利]高压LDMOS器件及其制备方法-CN202111541450.8在审
  • 杨新杰;朱兆强;金锋 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-12-16 - 2022-03-25 - H01L21/762
  • 本发明提供一种高压LDMOS器件的制备方法，包括：在衬底的第二沟槽中采用热氧化炉管工艺形成隔离层；刻蚀去除部分厚度的衬底和所述隔离层的顶端位置以形成第三沟槽，同时以第三沟槽和隔离层为隔离界限定义出衬底中的有源区区域；最后在所述隔离层顶端的第三沟槽中形成介质层。本申请通过调整定义有源区、形成浅沟槽隔离结构和形成深沟槽隔离层的顺序，先在深沟槽(第二沟槽)中形成隔离层，再定义衬底中的有源区区域，最后形成介质层(浅沟槽隔离结构)，可以避免在高温热氧化形成所述隔离层时，与浅沟槽隔离结构的交界的有源区区域被误氧化的情况，提高了器件的隔离耐压性能，提高了器件的可靠性。
  • 高压ldmos器件及其制备方法
  • [发明专利]一种可编程熔丝结构-CN201611096971.6有效
  • 王浩 - 南通壹选工业设计有限公司
  • 2016-12-02 - 2019-02-05 - H01L23/525
  • 本发明提供了一种可编程熔丝结构，包括：衬底；在所述衬底上表面的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；位于浅沟槽隔离结构中的一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度
  • 一种可编程结构
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202010441445.9有效
  • 徐正弘 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-05-22 - 2023-07-11 - H01L21/768
  • 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供基底，于基底内形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；于基底内形成字线沟槽，字线沟槽位于有源区部分的深度小于位于浅沟槽隔离结构部分的深度，以使字线沟槽位于有源区部分的底部形成第一凸起结构；于第一凸起结构的表面形成刻蚀保护层；去除部分浅沟槽隔离结构，以基于第一凸起结构形成第二凸起结构，第二凸起结构的上部侧壁及顶部覆盖有刻蚀保护层，第二凸起结构的下部被去除的部分浅沟槽隔离结构暴露出来；对第二凸起结构的下部进行刻蚀，以使得第二凸起结构下部的宽度小于第二凸起结构上部的宽度；于字线沟槽内形成字线结构。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]集成电路及浅沟槽隔离物结构的形成方法-CN201010504397.X无效
  • 李宗霖;张长昀 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2010-10-11 - 2011-05-04 - H01L21/762
  • 本发明提供了于一集成电路的基板上形成多重凹陷浅沟槽隔离结构的系统与方法。一集成电路，包括一基板；至少两个浅沟槽隔离物结构形成于该基板内；氧化物填充物，设置于所述至少两个浅沟槽隔离物结构内；以及多个半导体装置，设置于所述至少两个浅沟槽隔离物结构之间的该基板上。一第一浅沟槽隔离结构具有一第一深度以及一第二浅沟槽隔离结构具有一第二深度，而该氧化物填充物填满所述至少两个浅沟槽隔离物结构，以及该第一深度与该第二深度视该半导体装置的数个半导体装置特性而决定。本发明实施例的优点为对于不同半导体装置可使用不同的浅沟槽隔离物结构深度；使用不同的浅沟槽隔离物深度可最佳化位于集成电路内的不同半导体装置的结隔离情形。
  • 集成电路沟槽隔离结构形成方法
  • [发明专利]图像传感器及其制备方法-CN202211460083.3在审
  • 高留春;于明道;张栋;范晓;谭理;丁佳;王玉新 - 华虹半导体（无锡）有限公司
  • 2022-11-17 - 2023-03-07 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器及其制备方法，其中图像传感器的制备方法包括：提供包含像素区、逻辑区和隔离区的衬底；依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层；在隔离区形成间隔分布的第一沟槽；在邻近所述像素区的第一沟槽底部形成呈锥型的第二沟槽；形成浅沟槽隔离结构和深沟槽隔离结构。本申请通过在邻近像素区的所述隔离区的第一沟槽底部形呈锥型的深沟槽隔离结构，可以使逻辑区的光在到达隔离区时遇到锥型的深沟槽隔离结构直接发生反射，使得逻辑区的光无法到达像素区，改善了器件的像素性能，提高了器件良率；进一步的，锥型的深沟槽隔离结构也可减少逻辑区的电子越过隔离区到达像素区，改善像素区边缘发光的问题，进一步提高了器件良率。
  • 图像传感器及其制备方法
友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期
咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top