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- [发明专利]CMOS集成电路及工艺方法-CN201610319217.8有效
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聂纪平;何军
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上海贝岭股份有限公司
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2016-05-13
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2021-06-25
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H01L27/092
- 本发明公开了一种CMOS集成电路及工艺方法，其中CMOS集成电路包括隔离结构、NMOS和PMOS，隔离结构设于NMOS和PMOS之间；隔离结构包括第一P型衬底；高N阱，形成于第一P型衬底内；第一P阱，形成于高N阱内；依次排列的第一场氧化物、第一P型区、第二场氧化物、第二P型区、第三场氧化物、第三P型区和第四场氧化物，第一场氧化物、第一P型区、第三P型区和第四场氧化物形成于第一P型衬底上，第二P型区形成于第一P阱上，第二场氧化物和第三场氧化物形成于第一P型衬底、高N阱和第一P阱上。本发明弥补了通用的CMOS平台难以达到12V高压要求的不足，提高了CMOS集成电路的耐压性，以达到12V高压要求。
- cmos集成电路工艺方法
- [发明专利]爆破音消除电路-CN201410230688.2有效
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阮颐;张勇;聂纪平
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上海贝岭股份有限公司
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2014-05-28
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2017-03-15
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H04R3/00
- 本发明提供了一种爆破音消除电路，包括接地切断回路和切断控制回路，其中，所述切断控制回路包括三极管，所述三极管的集电极通过并联的第三电阻和电容连接到供电电压，其基极通过第二电阻连接到音频功放的静音控制端，其发射极接地，所述静音控制端通过第一电阻连接到所述供电电压；所述接地切断回路包括场效应管，所述场效应管的源极连接至扬声器的接地端，其栅极连接至所述三极管的集电极，其漏极接地。该爆破音消除电路的结构简单，易于实现，并且能够有效地消除爆破音。
- 爆破消除电路
- [发明专利]EEPROM的测试方法-CN201610364123.2在审
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聂纪平;何军
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上海贝岭股份有限公司
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2016-05-27
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2016-10-12
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G11C29/18
- 本发明公开了一种EEPROM的测试方法，包括以下步骤：S1、对0地址写入0xAA，读取0地址的数据，判断0地址读出的数据是否为0xAA，若否则测试不合格；S2、对0地址写入0x55，读取0地址的数据，判断0地址读出的数据是否为0x55，若否则测试不合格；S3、依次读取从0地址至N地址的数据，其中N为期望的EEPROM的字节容量；S4、判断N地址读出的数据是否为0x55，若否则测试不合格；S5、对0地址写入0xFF，读取0地址的数据，判断0地址读出的数据是否为0xFF，若否则测试不合格，若是测试合格。本发明能在批量测试同容量EEPROM时及时发现混入的其他容量的EEPROM。
- eeprom测试方法
- [实用新型]爆破音消除电路-CN201420279486.2有效
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阮颐;张勇;聂纪平
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上海贝岭股份有限公司
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2014-05-28
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2014-10-29
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H04R3/00
- 本实用新型提供了一种爆破音消除电路，包括接地切断回路和切断控制回路，其中，所述切断控制回路包括三极管，所述三极管的集电极通过并联的第三电阻和电容连接到供电电压，其基极通过第二电阻连接到音频功放的静音控制端，其发射极接地，所述静音控制端通过第一电阻连接到所述供电电压；所述接地切断回路包括场效应管，所述场效应管的源极连接至扬声器的接地端，其栅极连接至所述三极管的集电极，其漏极接地。该爆破音消除电路的结构简单，易于实现，并且能够有效地消除爆破音。
- 爆破消除电路
- [发明专利]一种高频动态误码率测试系统-CN201410079544.1无效
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聂纪平;赵静
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上海贝岭股份有限公司
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2014-03-06
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2014-05-14
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H04B17/00
- 本发明公开了一种高频动态误码率测试系统，连接测试器件，所述测试器件内部包括激光驱动器和限幅放大器，所述测试器件引出四对输入输出管脚：TINP/TINN输入管脚、TOP/TON输出管脚、RINP/RINN输入管脚和ROP/RON输出管脚，所述测试系统包括误码仪、测试控制器和测试机，其中：所述测试机输出远程控制命令，所述测试控制器将接收的远程控制命令转发给所述误码仪，所述误码仪发出高频数字信号经测试器件，对返回的模拟信号处理后得到传输误码率，测试控制器抓取传输误码率并转发给所述测试机。本发明可以很好地进行相关的误码率测试，精度达到5G数量级，而且速度很快，便于特殊需求的集成电路的误码率测试。
- 一种高频动态误码率测试系统
- [实用新型]一种消除音频功放关机POP声的电路-CN201320577990.6有效
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阮颐;聂纪平
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上海贝岭股份有限公司
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2013-09-18
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2014-02-12
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H04R3/00
- 本实用新型公开了一种消除音频功放关机POP声的电路，包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述第一三极管的基极通过所述第一电阻连接所述电源，所述第一三极管的基极通过所述第二电阻接地，所述第一三极管的集电极通过所述第三电阻连接音频系统的电源，所述第一三极管的发射极接地；所述第二三极管的基极连接所述第一三极管的集电极和所述第三电阻的相接端，所述第二三极管的集电极通过所述第四电阻连接所述电源，所述第二三极管的发射极接地，且所述第二三极管的集电极和所述第四电阻的相接端分别连接音频系统的一对音频功放的
![]() 端。其技术效果是：可以在音频系统掉电时消除音频功放关机POP声。
- 一种消除音频功放关机pop电路
- [实用新型]一种用于光电式烟雾报警器的静音电路-CN201320577991.0有效
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聂纪平
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上海贝岭股份有限公司
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2013-09-18
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2014-02-12
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G08B17/103
- 本实用新型公开了一种用于光电式烟雾报警器的静音电路，包括电容、测试键、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、第二三极管和二极管，所述电容的正极、测试键、第一电阻、第二电阻和第一三极管的集电极依次连接；所述第一三极管的基极通过所述第三电阻连接所述电容的正极，第一三极管的基极通过所述第四电阻连接所述电容的负极，第一三极管的发射极接地；所述第二三极管的基极连接所述第一电阻和第二电阻的相接端，所述第二三极管的发射极连接9V电源的正极，第二三极管的集电极连接所述二极管的正极。本实用新型通过采用外围电路的改进和优化，应用于光电式烟雾报警器中，可以很好的实现静音功能，满足客户的要求。
- 一种用于光电烟雾报警器静音电路
- [发明专利]一种用于光电式烟雾报警器的静音电路-CN201310426024.9有效
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聂纪平
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上海贝岭股份有限公司
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2013-09-18
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2013-12-25
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G08B17/103
- 本发明公开了一种用于光电式烟雾报警器的静音电路，包括电容、测试键、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、第二三极管和二极管，所述电容的正极、测试键、第一电阻、第二电阻和第一三极管的集电极依次连接；所述第一三极管的基极通过所述第三电阻连接所述电容的正极，第一三极管的基极通过所述第四电阻连接所述电容的负极，第一三极管的发射极接地；所述第二三极管的基极连接所述第一电阻和第二电阻的相接端，所述第二三极管的发射极连接9V电源的正极，第二三极管的集电极连接所述二极管的正极。本发明通过采用外围电路的改进和优化，应用于光电式烟雾报警器中，可以很好的实现静音功能，满足客户的要求。
- 一种用于光电烟雾报警器静音电路
- [发明专利]一种消除音频功放关机POP声的电路-CN201310426044.6有效
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阮颐;聂纪平
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上海贝岭股份有限公司
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2013-09-18
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2013-12-18
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H04R3/00
- 本发明公开了一种消除音频功放关机POP声的电路，包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述第一三极管的基极通过所述第一电阻连接所述电源，所述第一三极管的基极通过所述第二电阻接地，所述第一三极管的集电极通过所述第三电阻连接音频系统的电源，所述第一三极管的发射极接地；所述第二三极管的基极连接所述第一三极管的集电极和所述第三电阻的相接端，所述第二三极管的集电极通过所述第四电阻连接所述电源，所述第二三极管的发射极接地，且所述第二三极管的集电极和所述第四电阻的相接端分别连接音频系统的一对音频功放的
![]() 端。其技术效果是：可以在音频系统掉电时消除音频功放关机POP声。
- 一种消除音频功放关机pop电路
- [实用新型]一种用于液晶驱动电路的上电复位电路-CN201320112392.1有效
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聂纪平
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上海贝岭股份有限公司
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2013-03-12
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2013-08-21
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G09G3/36
- 本实用新型公开了智能电网领域的一种用于液晶驱动电路的上电复位电路，包括或非门、后置反相器和M个依次串联的MOS开关组；每个所述的MOS开关组都包括一根源极接该上电复位电路接地端的NMOS开关管和一根源极接该上电复位电路电源端的PMOS开关管，所述NMOS开关管的漏极与所述PMOS开关管的漏极相接形成所述MOS开关组的输出端，所述NMOS开关管的栅极与所述PMOS开关管的栅极相接形成所述MOS开关组的输入端；第一个到第M-1个所述的MOS开关组的输出端都接有一个与该上电复位电路接地端连接的电容。其技术效果是：延长了该上电复位电路输出的上电复位信号RST维持高电平的时间。
- 一种用于液晶驱动电路复位
- [实用新型]一种用于液晶驱动电路的保护电路-CN201320111831.7有效
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聂纪平
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上海贝岭股份有限公司
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2013-03-12
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2013-08-21
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G09G3/36
- 本实用新型公开了智能电网领域的一种用于液晶驱动电路的保护电路，包括N个NMOS开关管和N个PMOS开关管，每个所述NMOS开关管的源极接液晶驱动电路的接地端，漏极接液晶驱动电路的电源端，每个所述PMOS开关管的源极接液晶驱动电路的电源端，漏极接液晶驱动电路的接地端，每个所述的NMOS开关管的源极和栅极之间设置第一并联电阻，每个所述的PMOS开关管的栅极和源极之间分别设置第二并联电阻。其技术效果是：在液晶驱动电路的接地端或者电源端生成静电电压时，该保护电路上的所有的NMOS开关管和PMOS开关管都一齐导通，从而提升了保护电路的有效性。
- 一种用于液晶驱动电路保护
- [实用新型]一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路-CN201320111820.9有效
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聂纪平
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上海贝岭股份有限公司
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2013-03-12
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2013-08-21
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G09G3/36
- 本实用新型公开了智能电网领域的一种用于液晶驱动电路的防倒灌电路，包括阴极接液晶驱动电路接地端的可控硅电路、第一电阻、二极管和第二电阻，所述可控硅电路、所述二极管和所述第一电阻形成该防倒灌电路的第一回路，所述二极管的输出端为该防倒灌电路的接线端，该防倒灌电路还包括一个NDMOS开关管，该NDMOS开关管、所述第二电阻和所述可控硅电路构成该防倒灌电路的第二回路。其技术效果是：该防倒灌电路可能够确保可控硅电路触发电压的范围，使可控硅电路能对输入滤波器数据输入端或者时钟信号输入端的瞬间ESD电压的变化及时准确响应，从而保护整个液晶驱动电路。
- 一种用于液晶驱动电路倒灌
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