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[发明专利]极性交替AlN模板的制备方法-CN202110716091.9在审
发明人：郭亚楠;蔡听松;刘志彬;闫建昌;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法，包括：在衬底表面沉积氮极性AlN；在所述氮极性AlN上沉积掩膜层；对所述掩膜层图形化，以暴露部分所述氮极性AlN；对氮极性AlN进行热处理，诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转，保持暴露的所述氮极性AlN的极性不变；去除所述掩膜层，得到表面极性交替的AlN结构；在表面极性交替的AlN结构上继续沉积AlN至预设厚度，得到所述极性交替AlN模板。
极性交替 aln 模板制备方法

[发明专利]基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管及制备方法-CN201510287664.5有效
发明人：张雄;张恒;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管，属于半导体器件技术领域。该发光二极管包括自下而上依次设置的氮极性面n型半导体层、氮极性面多量子阱有源区、氮极性面电子阻挡层、氮极性面p型半导体层，所述氮极性面p型半导体层上层设置有p型电极，所述发光二极管还包括设置于氮极性面n型半导体层侧面且与氮极性面n型半导体层完全键合的金属极性面n型半导体层，所述金属极性面n型半导体层的上表面设置有n型电极。相比现有技术，本发明以金属极性面n型半导体层作为氮极性面发光二极管中n型半导体层的欧姆接触层，可以避免氮极性面n型半导体层上不易制作良好欧姆电极的问题，且制备工艺简单，实现成本低。
基于金属氮化物半导体极性发光二极管制备方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法-CN201910686549.3有效
发明人：单亚东;谢刚;胡丹 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：肖特基二极管包括依次形成于衬底表面的镓极性GaN层、氮极性GaN层、钝化层；多个第一凹槽，其穿过钝化层、氮极性GaN层位于镓极性GaN层的上表面；第二凹槽，其穿过钝化层位于氮极性GaN层之中；第一阴极和第二阴极，其形成在第一凹槽之中并且形成为与镓极性GaN层电接触；阳极，其形成在第一阴极和第二阴极之间且与氮极性GaN层电接触；氧化镓，形成于第一凹槽内暴露出的镓极性GaN层、氮极性GaN层区域；氮氧化镓层，形成在第二凹槽内暴露出的氮极性通过在阴极和镓极性GaN层与氮极性GaN层之间设置氧化镓，在阳极和氮极性GaN层之间设置氮氧化镓层可以显著降低肖特基二极管的漏电流。
一种肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]氮面极性氮化镓外延结构制造方法-CN201811092015.X有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮面极性氮化镓外延结构制造方法，包括：提供一氮化镓模板，所述模板包括衬底和位于所述衬底上的第一氮面极性氮化镓层；在所述第一氮面极性氮化镓层表面再生长氮化镓，形成第二氮面极性氮化镓层；在所述第二氮面极性氮化镓层上依次生长势垒层和沟道层本发明所提出的氮面极性的氮化镓外延结构制造方法能够简单的生长出氮面极性的氮化镓，并且能够有效消除射频分散现象，有利于氮面极性氮化镓外延结构的大规模生产和利用。
氮面极性氮化镓外延结构氮化镓层氮化镓衬底制造氮化镓模板分散现象沟道层生长势再生长垒层射频生长

[发明专利]硅衬底上生长氮极性Ⅲ族氮化物半导体薄膜的制备方法-CN202011645368.5有效
发明人：李成果;尹雪兵;曾巧玉;葛晓明;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种硅衬底上生长氮极性III族氮化物半导体薄膜的制备方法，其包括以下步骤，步骤S1：在硅衬底上制备硅的共晶合金层；步骤S2：在硅的共晶合金层的表面生长氮极性的氮化铝层。该共晶合金层使得生长在其之上的III族氮化物薄膜优先按氮极性原子结构排布，从而控制薄膜生长的氮极性，实现在硅衬底上原位生长氮极性III族氮化物半导体薄膜及氮极性高电子迁移率晶体管。
衬底生长极性氮化物半导体薄膜制备方法

[发明专利]一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管-CN202010812552.8有效
发明人：姜全忠 -专利权人：深圳市奥谱太赫兹技术研究院
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管，其中所述方法包括：⑴提供异质生长衬底；⑵在所述异质生长衬底的上表面上依次生长第一成核层和III极性III族氮化物层；⑶除去所述异质生长衬底、所述第一成核层，并暴露出所述III极性III族氮化物的氮极性面得到氮极性衬底；⑷在所述氮极性衬底的上表面上，生长氮极性III族氮化物层结构，所述氮极性III族氮化物层结构包括二维电子气。
一种 iii 氮化物结构及其制备方法晶体管

[发明专利]一种具有氮极性接触层的LED外延结构及其制备方法-CN202210720480.3有效
发明人：谢志文;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有氮极性接触层的LED外延结构及其制备方法，结构包括依次层叠的衬底、缓冲层、三维成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层以及P型GaN层，LED外延结构还包括层叠于P型GaN层上的氮极性P型欧姆接触层，氮极性P型欧姆接触层包括至少一氮极性P型InxGa1‑x氮极性接触层的LED外延结构及其制备方法，通过设置氮极性P型InxGa1‑xN层用于形成氮极性P型欧姆接触，解决了现有技术中难以形成
一种具有极性接触 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法-CN202011493956.1有效
发明人：徐耿钊;李忠念;陈晖;刘争晖;张春玉;陈科蓓;宋文涛;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法，表面处理方法包括：对氮化镓单晶基片的氮极性表面依序进行电化学腐蚀和化学腐蚀，或者对氮极性表面依序进行化学腐蚀和电化学腐蚀。采用本发明提供的表面处理方法来对氮化镓单晶基片的氮极性表面进行表面处理后，在该氮极性表面上能够获得具有原子级台阶高度和规则的六边形形状的台阶流表面。
一种氮化镓单晶基片极性表面处理方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN202210664042.X有效
发明人：谢志文;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，所述外延片包括：衬底、缓冲层、三维成核层、二维合并层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型层；所述多量子阱层包括InGaN量子阱层和氮极性GaN量子垒层；所述氮极性GaN量子垒层包括镓极性GaN层、氮极性GaN预生长层、氮极性GaN层；所述镓极性GaN层与氮极性GaN预生长层掺杂元素为Si，所述氮极性GaN层掺杂元素为Mg，本发明解决了现有技术中在大电流工作条件下
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201410147977.6有效
发明人：项若飞;汪连山;赵桂娟;金东东;王建霞;李辉杰;张恒;冯玉霞;焦春美;魏鸿源;杨少延;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。
极性氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法-CN202210603401.0在审
发明人：郭炜;戴贻钧;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法，涉及半导体领域，该方法包括获得形成有图形化极性调节层的衬底；通过调节Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比生长鳍式异质结，鳍式异质结包括在衬底未被图形化极性调节层覆盖的区域的氮极性异质结，以及位于图形化极性调节层上的金属极性异质结，氮极性异质结和金属极性异质结的高度不同；制备电极，得到具有鳍式结构的半导体器件。图形化极性调节层可以控制金属极性异质结和氮极性异质结的分布，在不同Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比下，金属极性异质结和氮极性异质结生长高度不同，可直接生长出鳍式异质结，无需刻蚀，既可避免刻蚀带来的损伤，还避免刻蚀损伤造成的沟道漏电通道
一种具有结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]回收碳面极性碳化硅衬底的方法-CN201811104661.3有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提出一种回收碳面极性碳化硅衬底的方法，包括：提供一外延结构，所述外延结构包括待回收的碳面极性碳化硅衬底、以及依次层叠于所述碳化硅衬底上的氮面极性的氮化镓缓冲层、势垒层和氮面极性的氮化镓沟道层；采用湿法刻蚀去除所述氮面极性的氮化镓沟道层、势垒层和氮面极性的氮化镓缓冲层；清洗所述碳面极性碳化硅衬底并吹干。本申请所提出的碳面极性的碳化硅衬底的回收方法，能够加快去除外延结构的速率，加快了回收效率，并且无需使用抛光和研磨工艺，不会减少碳化硅衬底的厚度，降低了后续工艺的难度。
碳化硅衬底碳面氮面极性回收外延结构氮化镓缓冲层氮化镓沟道层势垒层去除后续工艺湿法刻蚀依次层叠研磨抛光吹干申请清洗

[实用新型]一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构-CN201920308756.0有效
发明人：方志来;吴征远;田朋飞;闫春辉;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构，包括：衬底，在衬底上生长的半极性氮化镓薄膜，在半极性氮化镓薄膜上生长的二维超薄铟氮/镓氮叠层结构。半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构可直接避开铟镓氮材料体系的铟氮与氮化镓混溶隙问题以及铟镓氮材料的相分离、组分涨落与铟掺入效率低等对于材料晶体质量与发光性能的影响；提高发光与光吸收效率，获得更高光电转换效率
半极性叠层结构二维镓氮氮化镓薄膜铟镓氮衬底半导体材料高光电转换效率本实用新型发光二极管光电探测器光吸收效率红外光波段太阳能电池材料晶体材料体系发光性能效率低等激光器生长氮化镓高光效混溶隙相分离波段涨落掺入紫光发光避开

[发明专利]一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法-CN202311043123.9在审
发明人：张东国;李忠辉;杨乾坤;李传皓;彭大青 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法。本发明在镓极性氮化镓上采用沉积或者键合的方式与金刚石结合，再将镓极性氮化镓衬底载片及氮化物缓冲层去除，形成适于氮极性氮化镓外延生长用的具有一定偏角的金刚石衬底氮化镓模板，采用图形化氮化硼二维缓冲材料释放氮化物二次高温生长时薄膜应力，从而实现高质量的低应力金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料制备。本发明制备方法提高金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料的表面薄膜质量及抑制薄膜开裂的目的，有利于改善氮极性氮化镓异质结材料的散热能力，提高器件的工作寿命，适用于大功率微波功率器件。
一种金刚石衬底极性氮化镓异质结材料及其制备方法

[发明专利]外延结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法-CN202110733583.9在审
发明人：钱洪途;裴轶;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种外延结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法，该外延结构包括：衬底；半导体层，位于衬底一侧，半导体层远离衬底一侧的表面为金属极性面；氮极性面帽层，位于半导体层远离衬底的一侧。具有金属极性面的半导体层和氮极性面帽层形成复合极性外延结构，形成半导体器件时，具有强负电性的氮极性面帽层，在常温下即可与源极和漏极形成良好的欧姆接触，无需高温处理，能够降低工艺难度，半导体层可作为氮极性面帽层的湿法腐蚀自停止层
外延结构及其制备方法半导体器件

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