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- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811647738.1有效
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钱洪途
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2018-12-29
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2022-08-09
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H01L29/778
- 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域。半导体器件包括衬底、半导体层、源极、漏极和栅极结构，半导体层制作于衬底，源极、漏极和栅极结构制作于半导体层远离衬底的一侧，半导体层包括势垒层，势垒层通过设置凹槽，基于凹槽制作栅极结构中的栅极介质层，并将栅极介质层的厚度设计为大于根据栅极介质层的介电常数、势垒层的介电常数以及凹槽的深度计算得到的预设值。如此，使设置于所述栅极介质层的栅极金属层与沟道层之间的电容降低，从而使阈值电压不变，使转移跨导曲线平坦化，从而改善高电子迁移率晶体管器件的线性度。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201811644421.2有效
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钱洪途;韩啸
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2018-12-30
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2021-12-31
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H01L29/778
- 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底一侧的多层半导体层，多层半导体层包括依次位于衬底一侧的缓冲层、沟道层和势垒层；位于多层半导体层远离衬底一侧的源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；位于多层半导体层中且位于漏极远离栅极一侧的P型材料层，P型材料层的下表面延伸至缓冲层靠近沟道层一侧表面或者延伸至缓冲层内部，且P型材料层与漏极电连接。通过设置P型材料层与漏极电连接，在正向偏压下P型材料层向缓冲层注入空穴，中和缓冲层中因晶格缺陷或掺杂所致陷阱束缚的电子，提高电子从缓冲层脱离的速度，提升半导体器件的饱和电流，降低半导体器件的动态导通电阻，提升半导体器件的性能。
- 一种半导体器件及其制备方法
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