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[发明专利]低位错氮化镓的生长方法-CN201110332793.3无效
发明人：吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种低位错氮化镓的生长方法，包括如下步骤：步骤1：取一基板，该基板包括一衬底和制作在其上的氮化镓模板；步骤2：用腐蚀液腐蚀氮化镓模板的表面，在氮化镓模板的表面形成六角微坑；步骤3：在具有六角微坑的氮化镓模板的表面涂覆二氧化硅凝胶，将六角微坑覆盖，用甩胶机进行甩胶处理；步骤4：采用高温烧结使氮化镓模板上的二氧化硅凝胶固化；步骤5：用NaOH溶液处理，除去氮化镓模板11上微坑以外的二氧化硅凝胶；步骤6：再采用高温烧结，使六角微坑内的二氧化硅凝胶变成晶体；步骤7：在处理后的氮化镓模板上外延氮化镓材料，完成低位错氮化镓的生长。
低位氮化生长方法

[发明专利]氮化镓单晶衬底的制备方法-CN202010437129.4有效
发明人：卢敬权;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓单晶衬底的制备方法，包括：1)提供一氮化镓模板，包括蓝宝石衬底、缓冲层、第一非掺杂或掺杂氮化镓层、超晶格量子阱层及第二非掺杂或掺杂氮化镓层；2)采用氢化物气相外延方法在氮化镓模板上外延生长第一氮化镓层；3)采用激光剥离方法将氮化镓模板中的蓝宝石衬底剥离，获得薄氮化镓单晶衬底；4)采用氢化物气相外延方法在薄氮化镓单晶衬上外延生长第二氮化镓层，获得厚氮化镓单晶衬底；5)将厚氮化镓单晶衬底进行研磨抛光，获得氮化镓单晶衬底本发明通过设置超晶格量子阱层，可以有效降低氮化镓单晶衬底与蓝宝石衬底之间的晶格失配，有效降低或避免氮化镓单晶衬底的翘曲，提高器件性能。
氮化镓单晶衬底制备方法

[发明专利]氮化镓单晶衬底的制备方法-CN202010646770.9有效
发明人：卢敬权;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓单晶衬底的制备方法，包括步骤：1)提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成氮化镓模板层；2)提供一转移基板及一键合层，键合层具有液态形态与固态形态的转换，采用键合层将转移基板与氮化镓模板层键合；3)剥离氮化镓模板层与蓝宝石衬底；4)将键合层转换为液态形态，并于剥离后的氮化镓模板层上进行外延生长，以获得加厚的氮化镓单晶衬底。本发明通过键合层将转移基板与氮化镓模板层键合，该键合层具有液态形态与固态形态的转换，在外延生成氮化镓单晶过程中，键合层处于液态形态，使氮化镓模板层处于自由态，能够有效释放应力及缓解热失配，解决生产过程引起的应力积累
氮化镓单晶衬底制备方法

[发明专利]氮面极性氮化镓外延结构制造方法-CN201811092015.X有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮面极性氮化镓外延结构制造方法，包括：提供一氮化镓模板，所述模板包括衬底和位于所述衬底上的第一氮面极性氮化镓层；在所述第一氮面极性氮化镓层表面再生长氮化镓，形成第二氮面极性氮化镓层；在所述第二氮面极性氮化镓层上依次生长势垒层和沟道层本发明所提出的氮面极性的氮化镓外延结构制造方法能够简单的生长出氮面极性的氮化镓，并且能够有效消除射频分散现象，有利于氮面极性氮化镓外延结构的大规模生产和利用。
氮面极性氮化镓外延结构氮化镓层氮化镓衬底制造氮化镓模板分散现象沟道层生长势再生长垒层射频生长

[发明专利]非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法-CN201310085910.X有效
发明人：王新中;唐飞;李世国;张宗平;何国荣;谢华 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法。该非极性面氮化镓纳米锥材料包括依次层叠结合的铝酸锂衬底、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的氮化镓纳米锥。其制备方法包括获取铝酸锂衬底、外延氮化镓缓冲层、外延氮化镓模板层和生长氮化镓纳米锥的步骤。本发明非极性面氮化镓纳米锥材料在氮化镓层外表面生长有氮化镓纳米锥，且该氮化镓纳米锥阵列分布。其制备方法直接采用HCl气体辅助生长氮化镓纳米锥，避免了使用催化剂或其它掩膜；另外，根据应用需求可以对氮化镓纳米锥阵列的质量、结构，该方法简单易行，对于退火设备要求不高。
极性氮化纳米材料制备方法

[发明专利]氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板-CN201310054997.4有效
发明人：松田三智子;藤仓序章;今野泰一郎 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种能廉价且高效率地制造与使用有机金属气相生长法的情况同等以上的高品质的氮化镓模板基板的氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板。氮化镓模板基板（10）的制造方法是在作为衬底基板（11）的蓝宝石基板上，通过氢化物气相生长法至少依次生长包含氮化铝（AlN）的成核层（12）和包含氮化镓（GaN）的缓冲层（13），且在生长成核层（12）
氮化模板制造方法

[发明专利]面发射多色发光二极管及其制造方法-CN200810236865.2无效
发明人：汪连山;戴科辉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管，其结构是：包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极，在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型氮化镓脊形条纹(4)，在所述脊形条纹的小面上自下往上依次设置有源层、小面p型氮化镓层及p型欧姆接触层；其制备方法是：在衬底上设置的n型氮化镓模板层的表面沉积介质薄膜，通过光刻和对介质薄膜进行湿法腐蚀获得图形氮化镓模板，再将模板放入外延设备反应室中进行再生长。
发射多色发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法、制得的二维氮化镓膜-CN202110822741.8有效
发明人：于欣欣;张起瑞;吴长征;周扬;王大军;杨广 -专利权人：安徽泽众安全科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括以下步骤：将液态金属镓转移至衬底表面后形成金属镓膜；金属镓经过膜氧化即在衬底表面得到氧化镓膜；采用化学气相沉积法制备二维氮化硼膜；将二维氮化硼膜转移至氧化镓膜顶面，使氧化镓膜被二维氮化硼膜包覆得到硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物；将硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物放入含有氮源的环境中进行氮化处理，冷却后得到氮化镓膜。本发明的有益效果在于：本发明基于氮化硼的稳定性、绝缘性和对激子发光性能的促进作用，以二维氮化硼与衬底为模板，在二维氮化硼与衬底间限域性生长氮化镓，钝化氮化镓的高能面，形成稳定二维氮化镓结构。
一种二维氮化模板制备方法

[发明专利]大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法-CN202011343593.3在审
发明人：敖辉;孙明;庄文荣;颜建锋 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法，包括：步骤1)，提供一蓝宝石衬底，将蓝宝石衬底送进MOCVD反应腔，蓝宝石衬底的外延面取向为c面且向a面倾斜一偏角，偏角大于等于0.2°；步骤2)，在蓝宝石衬底上沉积低温缓冲层；步骤3)，在低温缓冲层上进行超晶格生长，超晶格为二维生长层与三维生长层交替生长堆叠而成；步骤4)，在超晶格上进行氮化镓模板层的生长。本发明可以在c面偏向a面0.2°以上的蓝宝石衬底上获得具有平整表面、晶体质量高的c面且偏向m面的氮化镓模板，使用该氮化镓模板可以获得c面且偏向m面的氮化镓单晶，进而获得性能良好的氮化镓基垂直结构功率器件
偏角蓝宝石衬底氮化模板制备方法

[发明专利]氮化镓自支撑衬底的制作方法-CN201910575283.5有效
发明人：何进密;卢敬权;任俊杰 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓自支撑衬底的制作方法，包括步骤：1)在蓝宝石衬底上形成氮化镓模板层；2)第一次外延生长第一氮化镓层；3)使蓝宝石衬底与氮化镓模板层分离，获得薄氮化镓自支撑衬底；4)去除薄氮化镓自支撑衬底中晶体质量最差的底层部分；5)第二次外延生长第二氮化镓层，获得厚氮化镓自支撑衬底；6)对厚自支撑衬底进行抛光，切边及倒角，以获得最终的氮化镓自支撑衬底。本发明在第一次外延后，将晶体质量最差的底层部分去除，并在去除后进行第二次外延，可在第二次外延加厚的过程中有效降低位错密度，从而减少氮化镓自支撑衬底的应力，降低第二次外延加厚过程的裂片率，提升自支撑衬底的整体制作良率
氮化支撑衬底制作方法

[发明专利]一种硅基复合衬底及其制造方法-CN201010156392.2无效
发明人：施建江;杨少延;刘祥林 -专利权人：杭州海鲸光电科技有限公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底及其制造方法，该硅基复合衬底包含：一硅单晶基底；一复合应力协变层，形成在硅单晶基底上，该复合应力协变层由氮化铝和氮化钛单晶薄膜材料彼此多次交叠构成；一氮化镓模板层，形成在复合应力协变层上，该氮化镓模板层由氮化镓单晶薄膜材料构成。该硅基复合衬底克服了硅基氮化镓材料大晶格失配问题和大热失配问题，能够大幅度降低氮化镓LED外延片材料制备成本，适合应用与市场推广。
一种复合衬底及其制造方法

[实用新型]一种硅基复合衬底-CN201020168794.X无效
发明人：施建江;杨少延;刘祥林 -专利权人：杭州海鲸光电科技有限公司;施建江
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，包含：一硅单晶基底；一复合应力协变层，形成在硅单晶基底上，该复合应力协变层由氮化铝和氮化钛单晶薄膜材料彼此多次交叠构成；一氮化镓模板层，形成在复合应力协变层上，该氮化镓模板层由氮化镓单晶薄膜材料构成。该硅基复合衬底克服了硅基氮化镓材料大晶格失配问题和大热失配问题，能够大幅度降低氮化镓LED外延片材料制备成本，适合应用与市场推广。
一种复合衬底

[发明专利]一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法-CN201410057141.7在审
发明人：陈振 -专利权人：江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法，该方法包括准备衬底，采用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上生长缓冲层，在缓冲层上生长氮化镓模板，在氮化镓模板上生长碳掺杂的半绝缘氮化镓薄膜层。通过该方法制备的半绝缘氮化镓品质高、纯度高，对杂质的记忆效应小，绝缘性能好，并能有效的减少漏电流。
一种绝缘 gan 薄膜及其制备方法

[发明专利]n型氮化镓自支撑衬底的制作方法-CN201911407202.7有效
发明人：卢敬权;何进密;任俊杰 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种n型氮化镓自支撑衬底的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上形成氮化镓模板层及非掺杂氮化镓层；剥离蓝宝石衬底，获得非掺杂薄氮化镓自支撑衬底；去除非掺杂薄氮化镓自支撑衬底中晶体质量最差的底层部分；在非掺杂薄氮化镓自支撑衬底上外延生长n型氮化镓层，获得n型厚氮化镓自支撑衬底；去除n型厚氮化镓自支撑衬底底部的非掺杂层；对n型厚氮化镓自支撑衬底进行研磨抛光，获得n型氮化镓自支撑衬底。本发明的n型氮化镓自支撑衬底的制作方法，在n型厚氮化镓自支撑衬底具有不同程度翘曲的情况下，可以将n型厚氮化镓自支撑衬底底部的非掺杂层完全去除，得到n型氮化镓自支撑衬底。
氮化支撑衬底制作方法

[发明专利]一种高质量氮极性氮化铝模板的制作方法-CN202111176826.X在审
发明人：王新强;袁冶;刘上锋;王钇心;李泰;万文婷 -专利权人：中紫半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高质量氮极性氮化铝模板的制作方法，包括以下步骤：步骤S1、选择镓极性面的氮化镓衬底，对其进行化学清洗；步骤S2、利用物理气相沉积方法在氮化镓衬底上制备铝极性氮化铝模板；步骤S3、将所制备的铝极性氮化铝模板的铝极性面一侧键合至键合衬底上，施加压力实现其紧密贴合；步骤S4、将上述过程实现的复合结构进行高温退火处理，使得键合一侧的铝极性面与键合衬底成键，同时氮化镓单晶衬底在高温条件下分解使得氮化铝的氮极性面暴露；步骤S5、在氮气环境下自然冷却降温，获得具有高质量氮极性氮化铝模板。其优点在于：能够多种衬底上实现高质量氮极性氮化铝模板的制备，该方法应用前景广阔，易于操作，适合大规模生产。
一种质量极性氮化模板制作方法

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