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[发明专利]用于制造精细结构的方法-CN201710349130.X在审
发明人：陈敏璋;刘继文;郑柏贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：在一种用于制造精细结构的方法中，在衬底上方通过使用原子层沉积形成金属氧化物层；以及去除金属氧化物层。在金属氧化物层和衬底之间形成界面氧化物层。界面氧化物层是构成衬底的元素的氧化物和去除界面氧化物层。本发明实施例涉及用于制造精细结构的方法。
用于制造精细结构方法

[发明专利]具有增强锚的微结构-CN201110243547.0有效
发明人：林宗贤;朱家骅;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-08-23 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了具有增强锚和窄气隙的微结构器件。本文提供的微结构器件的一个实施例包括分层晶片。分层晶片包括硅基板层、形成在基板层上的埋入氧化物层以及形成在埋入氧化物层上的硅器件层。在器件层上形成顶部氧化物层。顶部氧化物层、器件层和埋入氧化物层被蚀刻，从而形成沟槽以在器件层中创建锚和微结构器件。在制造器件的工艺中，沿着微结构器件的侧面形成热氧化物层，以在埋入氧化物层、顶部氧化物层和热氧化物层中包围微结构器件。然后，形成多晶硅层以填充到沟槽中并包围锚。在多晶硅层填充到沟槽中之后，蚀刻掉包围微结构器件的氧化物层，释放微结构器件。
具有增强微结构

[发明专利]电容结构及其制备方法-CN202110150428.4有效
发明人：苏星松;白卫平;郁梦康 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种电容结构及其制备方法，用于解决电容结构性能较差的技术问题。该电容结构的制备方法包括：在第一电极上形成介电层，介电层包括掺杂有预设氧化物的金属氧化物层，且部分预设氧化物与金属氧化物共用氧原子；在介电层上形成第二电极，第一电极、介电层和第二电极形成电容结构。通过形成部分预设氧化物与部分金属氧化物共用氧原子的金属氧化物层，可以减少氧的含量，从而减小预设氧化物导致电容结构的介电常数降低的影响，以提高电容结构的性能。此外，使得预设氧化物可以较好地掺杂在金属氧化物层中，进一步提高电容结构的性能。
电容结构及其制备方法

[实用新型]具有多孔结构的氧化物薄膜-CN201520593779.2有效
发明人：高彦峰 -专利权人：瀛石（上海）实业有限公司;南京协合新材料科技有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C03C17/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有多孔结构的氧化物薄膜,其包括基板和覆盖在基板上的氧化物结晶晶粒；所述氧化物结晶晶粒具有金属-绝缘体相变的结晶结构，该氧化物结晶晶粒呈规则的环状结构，且环状结构的氧化物结晶晶粒覆盖在所述基板上形成连续的氧化物薄膜，其中氧化物结晶晶粒的环状结构的内径为30-3000纳米。该多孔结构的氧化物薄膜可以用于制作建筑节能窗、移动运输工具的窗户、遮阳顶棚等方面。该氧化物薄膜具有超高可见光透过率，峰值超过90%，最高达到97%。同时，多孔结构的氧化物薄膜具有温度控制的太阳红外光调节特性，其高低温透过太阳能变化率大于4%。
具有多孔结构氧化物薄膜

[发明专利]金属氢氧化物插层一维纳米金属氧化物、制法及抽离方法-CN201710541795.0有效
发明人：周晨亮;刘全生;智科端;李莉丽;张乾;王亚雄;赫文秀 -专利权人：内蒙古科技大学;内蒙古工业大学
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C01G45/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种结构可逆转换一维锰氧化物及其插层金属氢氧化物的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明利用金属氧化物的一维结构稳定性特性，制备出一维纳米结构金属氧化物，再通过在一维纳米结构金属氧化物中插入金属氢氧化物的方法制备出插层材料，最后通过氨水将金属氢氧化物置换出来使得一维纳米金属氧化物得以恢复本发明首次开发出用氨水抽取金属氢氧化物使一维纳米金属氧化物得以复原的方法。该方法工艺简单，成本低廉，可以实现工业化大规模生产。
金属氢氧化物纳米金属氧化物金属氧化物制备氨水一维纳米结构插层纳米材料制备技术稳定性特性插层材料可逆转换锰氧化物一维结构抽离制法复原抽取置换恢复开发

[实用新型]电极结构、触控板及触控装置-CN201721924180.8有效
发明人：王士敏;赵湘辉;朱泽力;古海裕;宋小来;李宝会 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电极结构、触控板及触控装置。一种电极结构，用于触控装置，电极结构包括依次叠层的第一黑化层、过渡层及导电层。第一黑化层为钼的氧化物层、钼的氮化物层、钼的氮氧化物层、铌的氧化物层、铌的氮化物层、铌的氮氧化物层、铬的氧化物层、铬的氮化物层、铬的氮氧化物层、钛的氧化物层、钛的氮化物层、钛的氮氧化物层、钨的氧化物层、钨的氮化物层或钨的氮氧化物层。上述电极结构具有优良的消影效果、附着性及灵敏度。
氮氧化物层氮化物层电极结构氧化物层触控装置触控板导电层过渡层黑化层本实用新型导电金属层钼合金层附着性灵敏度叠层消影钼层

[发明专利]一种利用MOF衍生双金属氧化物模板制备金属氧化物多级结构的方法-CN201810913769.0有效
发明人：曹澥宏;刘文贤;施文慧;尹瑞连 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种利用MOF衍生双金属氧化物模板制备金属氧化物多级结构的方法，将MOF衍生双金属氧化物模板经过碱处理得到金属氧化物多级结构；设定M为所述金属氧化物多级结构中的金属，所述MOF衍生双金属氧化物模板为MMoO4‑MOF衍生双金属氧化物，所述金属氧化物多级结构为MxO本发明制备工艺简单、温和、普适，对设备无特殊要求，不使用表面活性剂，可大规模产业化生产；采用该方法制备的金属氧化物多级结构尺寸均一，结构稳定，组份分布均匀。
一种利用 mof 衍生双金属氧化物模板制备金属多级结构方法

[发明专利]一种晶体管器件及其制造方法-CN200910089793.8无效
发明人：赵柏儒;付跃举;袁洁;许波;朱北沂;李俊杰;金爱子;曹立新;邱祥冈 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结和一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：氧化物单晶衬底；在衬底上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部分上形成的两个分隔开的钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层；在该两个钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层上分别形成的第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在该两个分隔开的第二导电类型氧化物层上分别形成的第一和第二金属电极；在未被钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层和第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层占据的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层上形成的第三金属电极
一种晶体管器件及其制造方法

[发明专利]具有多孔结构的氧化物薄膜及其制备方法和应用-CN201510483224.7在审
发明人：高彦峰 -专利权人：瀛石（上海）实业有限公司;南京协合新材料科技有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C03C17/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多孔结构的氧化物薄膜,其包括基板和覆盖在基板上的氧化物结晶晶粒；所述氧化物结晶晶粒具有金属-绝缘体相变的结晶结构，该氧化物结晶晶粒呈规则的环状结构，且环状结构的氧化物结晶晶粒覆盖在所述基板上形成连续的氧化物薄膜，其中氧化物结晶晶粒的环状结构的内径为30-3000纳米。该氧化物薄膜的制备方法包括以下步骤：步骤A、基板预处理；步骤B、涂布液制作；步骤C、制膜。该多孔结构的氧化物薄膜可以用于制作建筑节能窗、移动运输工具的窗户、遮阳顶棚等方面。该氧化物薄膜具有超高可见光透过率，峰值超过90%，最高达到97%。同时，多孔结构的氧化物薄膜具有温度控制的太阳红外光调节特性，其高低温透过太阳能变化率大于4%。
具有多孔结构氧化物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]装置结构和其制造方法-CN202011060535.X在审
发明人：黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及一种装置结构和用于制造装置结构的方法。所述装置结构包括堆叠结构、介电材料和电极导孔。所述堆叠结构包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和金属层。所述第二金属氧化物层与所述第一金属氧化物层相对。所述金属层插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间。所述介电材料贯穿所述第一金属氧化物层。
装置结构制造方法

[发明专利]膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法-CN202011144164.3在审
发明人：金海龙;朴正敏;金容诚;李周浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供了一种包括铪氧化物的膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法。包括铪氧化物的该膜结构包括：铪氧化物层，其包括结晶成四方晶相的铪氧化物；以及第一应力源层和第二应力源层，其彼此隔开且其间具有铪氧化物层并且向铪氧化物层施加压缩应力。
膜结构包括电子器件制造方法

[发明专利]一种氧化物靶材及其制备方法-CN202211636891.0在审
发明人：徐苗;徐华;李民;陶洪;邹建华;王磊;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种氧化物靶材及其制备方法。所述氧化物靶材包括元素A的氧化物、元素B的氧化物、元素R的氧化物和元素M的氧化物；所述元素A为铟；所述元素B为镓、锌、锡中的一种或两种以上的组合；所述元素R为铈、镨、镱、镝、铽中的一种或两种以上的组合；本发明通过在氧化物靶材中引入M的氧化物，细化了氧化物靶材的晶粒尺寸，使氧化物靶材致密度高，元素分布与微观结构均匀。此外，本发明提供的制备方法可以实现控制氧化物靶材晶相结构的目的，使氧化物靶材具有较小的晶粒尺寸且微观结构均匀。
一种氧化物及其制备方法

[发明专利]一种高强度氧化物纳米纤维多孔热防护材料及其制备方法-CN202310019183.0在审
发明人：张博;田响宇;周粮;邱玉冰;龙海依 -专利权人：中国航空制造技术研究院
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高强度氧化物纳米纤维多孔热防护材料，包括纳米级氧化物纤维层和微米级氧化物纤维层，纳米级氧化物纤维层平铺于微米级氧化物纤维层的表面且形成互穿网络结构，纳米级氧化物纤维层及微米级氧化物纤维层的内部均包含纳米微粒本发明还涉及一种高强度氧化物纳米纤维多孔热防护材料的制备方法。该高强度氧化物纳米纤维多孔热防护材料及其制备方法的目的是解决氧化物纳米纤维热防护材料结构松散、强度低的问题。
一种强度氧化物纳米纤维多孔防护材料及其制备方法

[发明专利]含多层氧氮化物层的氧化物‑氮化物‑氧化物堆栈-CN201610911402.6在审
发明人：赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;弗雷德里克·詹纳 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本申请涉及含多层氧氮化物层的氧化物‑氮化物‑氧化物堆栈。本发明公开了一种含有多层电荷存储层的氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)堆栈的半导体器件及其形成方法。通常，该方法涉及(i)形成ONO结构上的第一氧化物层；(ii)在第一氧化物层上形成含有氮化物的多层电荷存储层；以及(iii)在多层电荷存储层上形成ONO结构第二氧化物层。优选的是电荷存储层包含至少两个含有不同氧，氮，和/或硅化学组成比的硅氧氮化物层。更优选的是ONO结构是硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑硅(SONOS)结构的一部分，且该半导体器件是SONOS存储晶体管。
多层氮化物氧化物堆栈

[发明专利]混合组分材料及其制备方法-CN201710558040.1有效
发明人：陈山虎;陈耀强;刘屿剑;李大成;王金凤;程永香;李云;陈启章 -专利权人：中自环保科技股份有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：本发明描述了一种混合组分材料，包括底层材料颗粒组分和外层材料颗粒组分，具有分层结构；所述底层材料颗粒组分是：铈、镨、镧等稀土金属氧化物、含锆氧化物、铝氧化物、碱土金属氧化物、碱金属金属氧化物、钛氧化物、硅氧化物、过渡金属氧化物中的一种或多种以上组分的复合组分氧化物；所述外层材料颗粒组分至少有一层；所述外层材料组分是：铈、镨、镧等稀土金属氧化物、锆氧化物、碱土金属氧化物、碱金属氧化物、钛氧化物、硅氧化物、过渡金属氧化物中的一种或多种以上组分的复合组分氧化物。该混合组分材料的储氧量较高，抗老化性能好，可作为排气污染物净化的功能催化材料。
混合组分材料及其制备方法