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[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN200910195864.2有效
发明人：袁宏韬;李敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法：在半导体衬底上依次形成垫氧化层和刻蚀终止层；依次刻蚀刻蚀终止层、垫氧化层以及半导体衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽内表面形成衬氧化层；在浅沟槽内的衬氧化层及刻蚀终止层表面形成前层沟槽氧化物；在所述前层沟槽氧化物表面沉积第一顶层沟槽氧化物；在所述第一顶层沟槽氧化物表面进行过渡沉积沟槽氧化物，所述过渡沉积沟槽氧化物时的沉积速率大于第一顶层沟槽氧化物的沉积速率，并且小于第二顶层沟槽氧化物的沉积速率；在所述过渡沉积的沟槽氧化物表面沉积第二顶层沟槽氧化物；平坦化所填充的沟槽氧化物至显露出刻蚀终止层，并去除刻蚀终止层和垫氧化层。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]双层氧化物固态电解质及其制备方法和应用-CN202211266893.5在审
发明人：李亚迪;胡恒广;刘文渊;王博;张广涛;闫冬成;郝艺 -专利权人：河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明涉及电解质技术领域，公开了一种双层氧化物固态电解质的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在使石榴石型氧化物固态电解质B的前驱体粉末与固态电解质A薄片的一侧接触的状态下进行煅烧，得到含有固态电解质A薄层和石榴石型氧化物固态电解质B薄层的双层氧化物固态电解质；所述固态电解质A选自NASICON结构氧化物固态电解质、LISICON结构氧化物固态电解质和钙钛矿型结构氧化物固态电解质中的至少一种。
双层氧化物固态电解质及其制备方法应用

[发明专利]用于加氢/脱氢反应的线材催化剂及其制造方法-CN201110113572.7有效
发明人：市川胜;谷本好则;饱浦常夫 -专利权人：日本精线株式会社;市川胜
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：用于加氢反应和/或脱氢反应的线材催化剂包含：金属芯线和包覆其至少部分表面的氧化物表面层。所述金属芯线是导电的，使得金属芯线自身能够通过使电流直接通过该芯线或电磁感应而产生热。所述氧化物表面层由构成金属芯线的金属元素的氧化物制成。氧化物表面层具有多孔结构，所述多孔结构具有在氧化物表面层的表面上开口的孔。催化剂材料负载在所述氧化物表面层的孔中。当制造成形线材催化剂时，成形为特定形状在形成具有多孔结构的氧化物表面层和在其上负载催化剂材料之前进行。
用于加氢脱氢反应线材催化剂及其制造方法

[发明专利]减少焊盘结构结晶缺陷的方法-CN201510005746.6有效
发明人：叶星;张校平;代大全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少焊盘结构结晶缺陷的方法，通过对位于焊盘凹槽底部的稀薄而疏松的自然氧化物层进行处理后以进一步疏松或去除该自然氧化物层后，向焊盘凹槽底部通入氧气并采用紫外线照射该氧气以形成臭氧环境，臭氧与顶部金属层暴露的表面发生反应以在位于焊盘凹槽底部的顶部金属层表面生成金属氧化物层，且该金属氧化物层的厚度大于自然氧化物层的厚度，由于该金属氧化物层对焊盘结构表面的保护作用，刻蚀钝化层后残留的氟离子无法穿透该金属氧化物层，从而有效减少了焊盘结构的结晶缺陷，进而提升了器件的性能。
减少盘结结晶缺陷方法

[发明专利]一种无定型锰氧化物包覆铁氧化物锂/钠离子电池负极材料及其制备方法-CN201610113091.9有效
发明人：肖巍;汪的华;周静;徐寅 -专利权人：武汉大学
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01M4/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种无定型锰氧化物复合铁氧化物锂/钠离子电池负极材料的制备方法，包括以下步骤：将高锰酸钾与酸的混合液加热到20—200°C，然后向其中逐滴加入均匀分散在去离子水中的铁氧化物溶液，并在20—200°C保温1—48h，水洗离心后得到壳核结构的无定型锰氧化物包覆铁氧化物复合材料。本发明所制备的壳核结构的无定型锰氧化物复合铁氧化物锂/钠离子电池负极材料电导率好，结构稳定，比容量高，循环性能优良；另外，本发明原料丰富，成本经济，制备方法简单可控，可实现大规模生产。 1
锰氧化物无定型制备钠离子电池负极材料铁氧化物壳核结构复合铁氧化物包覆高锰酸钾电导率混合液加热成本经济结构稳定去离子水循环性能复合材料比容量可控保温

[发明专利]一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法-CN200810240149.1无效
发明人：陶霞;郑言贞;许辉;王立新;陈建峰 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法属于无机非金属材料技术和能源材料制备技术领域。采用一步法制备半导体氧化物微纳复合结构薄膜可控性和重复性差。本发明采用滴敷法或涂敷法依次在导电玻璃上制备半导体氧化物纳米晶薄膜和微米/亚微米半导体氧化物薄膜，得到厚度为3-25μm的半导体氧化物微纳复合结构薄膜，其中，半导体氧化物纳米晶薄膜和微米/亚微米半导体氧化物薄膜的厚度比为
一种半导体氧化物复合结构薄膜制备方法

[发明专利]铁羟基氧化物和铁氧化物分级纳米结构材料及其制备方法与应用-CN201210012511.6无效
发明人：李峻柏;费进波 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C01G49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁羟基氧化物和铁氧化物纳米材料以及它们的制备方法与应用。所述铁羟基氧化物和氧化物纳米材料，分别为α-FeOOH和α-Fe2O3，具有海胆状三维自组装分级纳米结构。其制备方法为：1)将硫磺的醇类溶剂饱和溶液与铁盐水溶液混合，搅拌，得到硫磺和铁盐的混合胶粒悬浊液；2)将所述混合胶粒悬浊液进行超声处理，得到铁羟基氧化物和硫磺的混合胶粒分散液；3)对分散液进行离心，收集沉淀，洗涤除去硫磺并干燥，得到铁羟基氧化物纳米材料；4)对铁羟基氧化物纳米材料进行煅烧得到的铁氧化物纳米材料。本发明提供的铁羟基氧化物和氧化物纳米材料可用于环境治理中，以除去水中的有机污染物。
羟基氧化物分级纳米结构材料及其制备方法应用

[发明专利]碳纳米管/纳米氧化物的纳米复合材料的纤维结构及其制备方法和用途-CN200610112826.2无效
发明人：阳明书;胡广君;张世民;孟祥福;封喜彦;丁艳芬;张军华;胡晓 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： D01F1/10 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管/纳米氧化物，或聚合物/碳纳米管/纳米氧化物的纳米复合材料的纤维结构。将碳纳米管和纳米氧化物的前驱体分散在聚合物溶液中得到分散液，通过电纺丝得到聚合物/碳纳米管/纳米氧化物前驱体的纳米纤维结构。纳米氧化物的前驱体通过水热处理、高温处理或微波处理等方法转化为纳米氧化物。聚合物可保留，也可通过高温处理或溶剂抽提等方法去除，得到碳纳米管/纳米氧化物的纳米纤维。由所述的复合材料纤维结构构成的纤维或由该纤维构成的膜可以应用在污水处理、空气净化、太阳能电池、抗菌材料等领域中。
纳米氧化物复合材料纤维结构及其制备方法用途

[发明专利]一种定向孔氧化物材料及制备方法-CN200910048914.4无效
发明人：徐子颉;马超;王玮衍;逯爱慧;汪飞 -专利权人：同济大学
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：一种定向孔氧化物材料及制备方法，涉及一种具有人工模拟生物孔结构特征的定向孔氧化物材料及制备方法。对含有氧化物先驱物的胶体分散系，采用定向移动冷冻的方法，使分散剂沿一定方向受控凝固并使用真空干燥工艺，得到含有氧化物先驱物的定向孔干凝胶，对其进行热处理，最终得到一种定向孔氧化物材料。该材料由氧化物以及定向孔结构组成。定向孔结构是指在氧化物中分布着定向排布的管状孔，孔径在1～20微米范围可调节，孔隙率在20％～80％之间，孔结构具有各向异性而且孔壁中由微孔连通。本发明提高了各组成在材料中的均匀性，所得材料具有良好的生物结构孔特征，可用于结构支撑、声波吸收以及生物组织工程等方面。
一种定向氧化物材料制备方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510110254.3有效
发明人：许家福 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底，一金属氧化物半导体晶体管设于基底上，以及一氧化物半导体晶体管邻近该金属氧化物半导体晶体管。其中金属氧化物半导体晶体管包含一第一栅极结构以及一源极/漏极区域设于第一栅极结构两侧，氧化物半导体晶体管则包含一通道层，且该通道层的上表面低于金属氧化物半导体晶体管的第一栅极结构的上表面。
半导体元件及其制作方法

[实用新型]一种高稳定性金属氧化物薄膜晶体管阵列基板-CN202221883886.5有效
发明人：陈宇怀;邱地 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高稳定性金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，包括在基板上设置至少两种不同结构的背沟道金属氧化物TFT；不同结构的各背沟道金属氧化物TFT的栅极金属的材质或厚度不同。本实用新型通过在阵列基板上设置至少两种不同结构的背沟道金属氧化物TFT，从而针对各金属氧化物TFT所处的不同工作状态进行差异化设计，最终使得各金属氧化物TFT在不同的工作状态下，仍能维持Vth一致，避免电路失效
一种稳定性金属氧化物薄膜晶体管阵列

[发明专利]一种制备纳米球形氧化物弥散强化相的方法-CN202011097004.8有效
发明人：刘祖铭;卢思哲;李全;魏冰;周旭;农必重;任亚科;艾永康;曹镔 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备纳米球形氧化物弥散强化相的方法，首次提出采用微米氧化物制备纳米球形氧化物强化相。首先，以微米氧化物为原料，采用分阶段机械球磨的方法，制备具有完全非晶态结构的纳米氧化物/基体合金复合粉末。本发明第一阶段球磨，使氧化物发生破碎和结构转变，实现纳米化和完全非晶化，制备得到完全非晶态结构纳米氧化物在基体合金粉末中均匀分布的复合粉末；第二阶段，将第一阶段获得的复合粉末与剩余基体合金粉末球磨混合均匀然后，所制备的粉末依次经热成形、热轧制和热处理，得到纳米球形氧化物弥散强化合金。本发明可以显著提高氧化物相的弥散强化效果，明显改善合金的室温以及高温力学性能。
一种制备纳米球形氧化物弥散强化方法

[实用新型]一种高透光度镜片-CN201720158277.6有效
发明人：李卫国 -专利权人：江苏韩创新材料有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G02C7/02 文献下载
摘要：它包括弧形结构的基片，基片的上侧表面具有上金属氧化物凃层，上金属氧化物凃层的下侧表面设置为与基片凸起相适应的内凹面，上金属氧化物凃层的上表面设置为平面，上金属氧化物凃层的上侧表面设置为上涂覆层，上涂覆层的上侧表面设置上镀膜层，基片的上侧表面具有下金属氧化物凃层，下金属氧化物凃层的下侧表面设置为与基片的底部凹陷相适应的外凹面，下金属氧化物凃层的上表面设置为平面，下金属氧化物凃层的下侧表面设置为下涂覆层，下涂覆层的下侧表面设置下镀膜层采用上述的结构后，弧形结构的基片能够将光线聚拢并且利用金属氧化物涂层的高透光率使得光线充足，由此使得透光性非常高，提高了舒适度。
一种透光镜片

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201010602022.7无效
发明人：王新鹏;王军;宋铭峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化物层和氮化物层，并对所述氮化物层、垫氧化物层和半导体衬底刻蚀，形成沟槽；在所述沟槽内壁形成内衬氧化物层，并在所述沟槽中填充氧化物；去除所述氮化物层；形成隔离侧壁层，所述形成的隔离侧壁层位于所述垫氧化物层之上、且环绕所述沟槽；将未被所述隔离侧壁层覆盖的垫氧化物层去除。采用本发明公开的方法能够提高浅沟槽隔离结构的绝缘性能。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]一种基于核壳结构三维微固相反应的多元氧化物纳米颗粒的制备方法-CN201310134179.5有效
发明人：桑元华;刘宏;赵莉莉;王亚娜;秦海明;冷艳华;王继扬 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于核壳结构三维微固相反应的多元氧化物纳米颗粒的制备方法，是以预制备的多元氧化物中一种形貌容易调控的氧化物颗粒为核，通过适当的表面电荷改性，实现其他的元素离子均匀包裹在的氧化物颗粒外面，形成氧化物颗粒核壳结构前驱体，在锻烧过程中，分解形成的非晶或者纳米级氧化物颗粒形成的壳，与被包覆的核通过三维的微纳米尺度上的固相反应，实现低温物相转变和颗粒形貌的控制，得到多元氧化物纳米颗粒，此也为相应陶瓷的制备提供了原料基础
一种基于结构三维相反多元氧化物纳米颗粒制备方法