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[发明专利]离子敏感传感器的离子敏感层结构及其制造方法-CN201410437969.5有效
发明人：克里斯蒂安·库纳特;埃伯哈德.库尔特;托尔斯滕·佩希施泰因 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司;弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：离子敏感传感器的离子敏感层结构及其制造方法。在用于制造离子敏感传感器的离子敏感结构的方法中，提供承载氧化物层的第一半导体衬底，然后，沉积和回火金属氧化物层和金属层，以获得在承载氧化物层的半导体衬底上的具有晶化金属氧化物层和氧化晶化金属层的层序列。在这样的情况下，金属氧化物层和金属层具有兼容的金属元素，并且金属氧化物层的镀层厚度dMOX大于金属层的镀层厚度dMET。
离子敏感传感器结构及其制造方法

[发明专利]一种MOF衍生的B/A/B结构氧化物异质结及其制备方法和应用-CN202210404530.7在审
发明人：任家桐;张衡;韦丁;谭博军;王琼林 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOF衍生的B/A/B结构氧化物异质结及其制备方法和应用。所述MOF衍生的B/A/B结构氧化物异质结呈亚微米棒形貌，其中间层A为MnCo双金属氧化物，两端层B为Mg或Ni的氧化物，制备方法为：先将MnCo‑MOF分散在含一定浓度金属醋酸盐的无水乙醇溶液中，通过低温液相反应得到B/A/B结构MOF异质结，再在空气气氛下进行高温煅烧，得到B/A/B结构氧化物异质结。本发明制备的B/A/B结构氧化物异质结形貌、组成和结构新颖，能维持MOF异质结前体的元素分布特征，解决了从MOF出发难以制备B/A/B结构氧化物异质结的问题，且整个制备和后处理过程仅需使用无水乙醇一种有机溶剂所得B/A/B结构氧化物异质结在光还原二氧化碳反应中体现出优越的催化活性、选择性和稳定性。
一种 mof 衍生结构氧化物异质结及其制备方法应用

[发明专利]复合正极活性材料、包括其的正极和包括该正极的锂电池-CN201510424753.X有效
发明人：崔棅珍;姜润锡;朴骏镐;朴晋焕;安晟辰;延东熙;尹在久 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：提供复合正极活性材料、包括所述复合正极活性材料的正极、和包括所述正极的锂电池，其中所述复合正极活性材料包括：具有层状结构的第一金属氧化物；和具有尖晶石相结构的第二金属氧化物，其中所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物形成复合物
复合正极活性材料包括锂电池

[发明专利]一种透明导电氧化物膜层的制备方法-CN201310356669.X有效
发明人：赵冉;唐华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电氧化物膜层的制备方法，在基板上形成透明导电氧化物膜层；对透明导电氧化物膜层进行第一次退火处理；对经过第一次退火处理后的透明导电氧化物膜层进行第二次退火处理。由于增加了对透明导电氧化物膜层的第二次退火处理，使得透明导电氧化物膜层中过量的氧原子、膜层表面残留的氧原子以及其它杂质气体原子释放到退火环境中，可以降低透明导电氧化物膜层的方阻，提高透明导电氧化物膜层的导电能力并且，第二次退火处理也可以使透明导电氧化物膜层中过量的低价氧化物得到充分氧化，形成具有理想化学配比结构的氧化物，从而提高透明导电氧化物膜层的光透过率。
一种透明导电氧化物制备方法

[发明专利]一种负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨/硫正极材料及其制备方法-CN202110836426.0有效
发明人：晏南富;游胜勇;崔红敏;石劲松;翁雅青;柳跃伟 -专利权人：江西省科学院应用化学研究所
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨/硫正极材料，由负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨/硫复合材料、导电剂和粘结剂，按照质量比(6～8):(1～3):1混合而成，所述负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨/硫复合材料为由负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨与硫混合熔融而成。所述负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨由负载多稀土盐的核壳结构的球型碳包覆氧化钨煅烧而成。所述核壳结构的球型碳包覆氧化钨由球型聚合物包覆的磷钨酸铵高温煅烧得到。本发明利用多种稀土氧化物、氧化钨与碳的协同作用为硫正极材料的充放电循环过程提供稳定的结构特性。
一种负载稀土氧化物结构球型碳包覆氧化钨正极材料及其制备方法

[发明专利]存储器及其制造方法-CN201010521341.5有效
发明人：刘建宏;黄守伟;陈盈佐;林佑聪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种存储器，包括一基板、多条位线、多条字线及至少一氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构。此些位线相互平行地设置于基板中。此些字线相互平行地设置于基板上，并与此些位线不垂直交错。氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构设置于字线及基板之间。
存储器及其制造方法

[发明专利]存储器及其制造方法-CN200610172726.9无效
发明人：刘建宏;黄守伟;陈盈佐;林佑聪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种存储器，包括一基板、多条位线、多条字线及至少一氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构。此些位线相互平行地设置于基板中。此些字线相互平行地设置于基板上，并与此些位线不垂直交错。氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构设置于字线及基板之间。
存储器及其制造方法

[发明专利]离子导体-CN202180046027.2在审
发明人：陶善文 -专利权人：华威大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：用于电化学装置的固体离子传导材料包含源自具有钙钛矿、钙铁石、层状氧化物和/或K4CdCl6结构的氧化物的羟基氧化物或水合氧化物，初始氧化物的元素组成被选择为向衍生的无水或水合羟基氧化物或水合氧化物提供合适的传导特性。
离子导体

[发明专利]钟表部件以及钟表-CN202210734331.2在审
发明人：藤飞翔;古里大喜 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G04B19/12 文献下载
摘要：钟表部件以及钟表，能够以简单的结构提供呈现期望色调的钟表部件。钟表部件具有：基材；以及调色层，其设置在所述基材上，所述调色层包含第1氧化物膜、第1金属膜、保护膜和第2氧化物膜，所述第1氧化物膜设置在所述基材与所述第2氧化物膜之间，在所述第1氧化物膜与所述第2氧化物膜之间，从所述第1氧化物膜侧起按顺序设置有所述第1金属膜和所述保护膜。
钟表部件以及

[发明专利]基于异质结氧化物的忆阻元件-CN201180074219.0有效
发明人：杨建华;M·M·张;S·R·威廉姆斯 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：活性区包括第一金属氧化物的转换层和第二金属氧化物的导电层，其中第一金属氧化物的金属离子不同于第二氧化物的金属离子。忆阻元件基于在第一金属氧化物和第二金属氧化物之间的氧化物异质结而在低电阻状态下展示出非线性电流-电压特性。还提供了包括忆阻元件的多层结构。
基于异质结氧化物元件

[发明专利]从SOI结构移除氧化物膜的方法及制备SOI结构的方法-CN202310047952.8在审
发明人： C·R·洛茨;S·G·托马斯;H·F·埃尔克 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及从绝缘层上硅(SOI)结构移除氧化物膜的方法及制备SOI结构的方法。本发明公开从SOI结构移除氧化物膜的方法。可在沉积外延硅增厚层之前，从SOI结构剥离所述氧化物。可通过朝向所述SOI结构的中心区域施配蚀刻溶液且向所述结构的边缘区域施配蚀刻溶液来移除所述氧化物膜。
soi 结构氧化物方法制备

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片-CN202310032176.4在审
发明人：庄琼阳;卢金德;贾晓峰;陈献龙 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，特别是一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片，以解决相关技术中自然氧化物层无法去除完全，从而不利于后续线性氧化物层的生长，进而不利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离的问题一种浅沟槽隔离结构制备方法，包括：在硅片上形成浅沟槽结构，浅沟槽结构的表面形成有自然氧化物层；采用SiCoNi刻蚀工艺，将自然氧化物层去除，并在去除自然氧化物层的硅片表面形成保护层，保护层的材料包括：六氟硅酸氨；将保护层去除，并在去除保护层的硅片表面形成线性氧化物层。
沟槽隔离结构及其制备方法半导体芯片

[发明专利]隔膜涂覆材料、复合隔膜、电化学装置和用电装置-CN202310602537.4在审
发明人：唐泽明;白麟;高飞飞;刘杲珺;盛雷;白耀宗;杨浩;张绪杰 -专利权人：中材锂膜有限公司;中材锂膜（南京）有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01M50/431 文献下载
摘要：隔膜涂覆材料包括质量比为1:1～10的复合金属氢氧化物粉末和复合金属氧化物粉末的功能材料粉末；复合金属氢氧化物粉末和复合金属氧化物粉末的金属分别选自锂、钛、钙、镁、铝、铁、钴、镍、镓、锰中的任意两种或多种，复合金属氢氧化物粉末和复合金属氧化物粉末中的金属元素相同。复合金属氢氧化物在高温下能够吸热生成复合金属氧化物破坏层状结构，增加复合隔膜的孔隙率，降低复合隔膜的透气增值，保证电池吸液率；提高复合隔膜的阻燃特性、耐热性能和安全性；复合金属氧化物可吸水恢复为层状结构的复合金属氢氧化物
隔膜材料复合电化学装置用电

[发明专利]排气净化用催化剂-CN201110189438.5有效
发明人：松枝悟司;木村希夫;平井章雅;成田庆一;田中裕久;丹功;上西真里;谷口昌司 -专利权人：卡塔勒公司
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：该催化剂含有复合氧化物催化剂，所述复合氧化物催化剂含有复合氧化物与Pd的第1固溶体或复合氧化物与Rh和/或Pt的第2固溶体。第1及第2固溶体的复合氧化物具有钙钛矿结构，并分别以ABO3及CDO3表示。复合氧化物催化剂由复合氧化物载体担载，所述复合氧化物载体含有以EF2O4表示的尖晶石结构的复合氧化物或以GAl12O19表示的复合氧化物。A及B分别表示稀土元素及过渡元素。C及G表示碱土元素。
排气净化催化剂

[发明专利]排气净化用催化剂-CN200780025859.6无效
发明人：松枝悟司;木村希夫;平井章雅;成田庆一;田中裕久;丹功;上西真里;谷口昌司 -专利权人：卡塔勒公司;大发工业株式会社
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：该催化剂含有复合氧化物催化剂，所述复合氧化物催化剂含有复合氧化物与Pd的第1固溶体或复合氧化物与Rh和/或Pt的第2固溶体。第1及第2固溶体的复合氧化物具有钙钛矿结构，并分别以ABO₃及CDO₃表示。复合氧化物催化剂由复合氧化物载体担载，所述复合氧化物载体含有以EF₂O₄表示的尖晶石结构的复合氧化物或以GAl₁₂O₁₉表示的复合氧化物。
排气净化催化剂