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- [发明专利]MOSFET功率器件及其形成方法-CN201310703148.7在审
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朱超群;钟树理;陈宇
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比亚迪股份有限公司
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2013-12-19
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2015-06-24
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H01L29/78
- 本发明公开了一种MOSFET功率器件及其形成方法，其中该MOSFET功率器件包括：衬底；外延层；形成在外延层中的多个条形的MOSFET元胞，多个元胞沿第一方向相互平行，每个元胞包括源区、栅结构和第一阱区第一阱区位于源区的下方；形成在外延层中的多个第二阱区，多个第二阱区沿第二方向相互平行，第一方向与第二方向在与衬底平行的平面上互成预设角度，第一阱区和第二阱区掺杂的类型相同，通过多个第二阱区连通多个第一阱区；以及栅连接件，栅连接件位于第二阱区内或第二阱区上，栅连接件用于连接第二阱区所经过的栅结构。本发明的MOSFET功率器件，发生击穿时具有较强阱区泄放电流的能力，器件雪崩能力良好；能够均匀快速开启；不受元胞尺寸缩小的限制，结构简单。
- mosfet功率器件及其形成方法
- [发明专利]闪存器件的制备方法-CN202111249928.X在审
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党扬;张剑;张超然;熊伟;陈华伦
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2021-10-26
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2022-02-08
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H01L27/11517
- 本申请公开了一种闪存器件的制备方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有栅介电层，衬底的元胞区域的栅介电层上形成有字线，字线之间的栅介电层上形成有浮栅多晶硅，浮栅多晶硅上方形成有控制栅多晶硅，字线和控制栅多晶硅、浮栅多晶硅之间，以及字线表面形成有氧化物隔离层，控制栅多晶硅和浮栅多晶硅之间形成有多层膜隔离层，衬底的逻辑区域的栅介电层上形成有栅极多晶硅；形成硬掩模层，硬掩模层覆盖氧化物隔离层、控制栅多晶硅和栅极多晶硅；对硬掩模层进行去除处理，保留字线两侧的氧化物隔离层表面的硬掩模层；去除逻辑区域中目标区域的栅极多晶硅；去除元胞区域中目标区域的控制栅多晶硅、浮栅多晶硅和多层膜隔离层。
- 闪存器件制备方法
- [发明专利]具有放大的三维摩尔图像的安全元件-CN200880021867.8有效
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威蒂克·考尔
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德国捷德有限公司
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2008-06-25
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2010-05-19
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B42D15/10
- 所述三维摩尔图像(40)在空间隔开的至少两个摩尔图像面上包括要示出的图像部分(42，44)，所述至少两个摩尔图像面与所述摩尔放大装置垂直；图形图像，所述图形图像包括两个或两个以上周期或至少局部周期地设置的栅元，所述栅元具有不同的格栅周期和/或不同的格栅方位，其中，每个所述栅元都被分配到一个摩尔图像平面，并且包括用于示出分配到摩尔图像平面的图像部分(42，44)的微图形图像部分；为所述图形图像的摩尔放大视图设置的聚焦元件格栅，所述聚焦元件格栅被设置为与所述图形图像隔开，并包括周期或至少局部周期地设置的多个栅元，其中，每个所述栅元具有一个微聚焦元件；对于几乎所有的倾斜方向(公式I)，当安全元件倾斜时，放大的三维摩尔图像(40
- 具有放大三维摩尔图像安全元件
- [发明专利]三元非聚合动力电池-CN201410625951.8有效
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李军;陈艳娟;方明学
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浙江天能电池江苏新能源有限公司
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2014-11-07
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2015-02-04
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H01M4/73
- 本发明公开了三元非聚合动力电池，包括由板栅和活性物质组成的正负极板，所述活性物质由铅粉和硫酸组成，所述板栅是三元非聚合合金板栅，正极板栅由以下重量份组分组成：Ag0.02%～0.03%、Ti0.05%～0.06%、Sn0.9%～1.5%、Ca0.06%～0.08%、余量为Pb；负极板栅由以下重量份组分组成：Ca0.08%～0.09%、Al0.02%～0.05%、Sn1.0%～1.6%、余量为Pb。本发明板栅中添加Sn、Ag和Ti元素，合金界面呈现非晶态聚合物，阻抗层阻抗明显降低，使电池的循环寿命和大电流放电性能均得到提升，且板栅在硫酸中的耐腐蚀性能得到提高，大幅提升电池使用寿命。
- 三元聚合动力电池
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