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[发明专利]一种大尺寸芯片烧焊质量检验装置-CN202310556141.0在审
发明人：谭爽;周嵘;张亮;赵冲冲;江加丽;冉龙玄;吴俊德;王海锐;莫宏康;王博 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本发明提供的一种大尺寸芯片烧焊质量检验装置，包括底座、安装板、夹具、折弯组件；所述安装板固定在底座上，夹具固定在安装板上，折弯组件铰接在夹具上，所述夹具包括装夹块,装夹块内加工有装夹槽,装夹槽内安装有推板,推板与螺纹推杆垂直连接，螺纹推杆通过螺纹装配在装夹块上，所述折弯组件包括连杆,连杆的一端通过转轴铰接在装夹块上，转轴上安装有第二滚筒,连杆上相邻于第二滚筒处安装有第一滚筒。本发明通过两个滚筒对芯片进行完全，使芯片在完全过程中均匀受力，所以能够对大于10mm2的芯片进行测试；通过推板可以调节芯片的高度，可以调节覆铜板的弯曲度和弯曲起始点，使装置能够适应多种规格的芯片。
一种尺寸芯片烧焊质量检验装置

[实用新型]一种IGBT芯片-CN202321326223.8有效
发明人：江加丽;石文坤;冉龙玄;王智;莫宏康;赵冲冲 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种IGBT芯片，包括漂移区；漂移区的正面中部加工有元胞组，元胞组的端面通过正面电极覆盖，漂移区的边缘加工有P+ring区,P+ring区的端面通过依次堆叠有场氧化层、SIN钝化层、PI钝化层，所述漂移区的背面依次加工有场截止区、P+背集电区、背部电极。本实用新型芯片背面的高能质子H+会形成具有电活性的杂质，结合芯片正面的低掺杂的Pbase和多晶硅栅、边缘的P+ring区，在不影响芯片静态参数的情况下，能有效减少载流子寿命，降低反向关断时间，缩短拖尾电流时间，降低器件关断损耗，从而提高芯片的高频开关表现。
一种 igbt 芯片

[实用新型]一种复合MPT结构的高频IGBT芯片-CN202321340530.1有效
发明人：莫宏康;冉龙玄;石文坤;王智;江加丽;赵冲冲 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种复合MPT结构的高频IGBT芯片，包括漂移区。本实用新型通过微沟槽结构，将元胞尺寸缩小至2.4μm，同时在有源栅元胞中引入发射沟槽元胞，在不改变沟道长度等器件结构的基础上，通过合理分配有源栅元胞和发射沟槽元胞的比例，降低器件的米勒电容(Cres)，增大输入电容(Cies)与米勒电容(Cres)的比例，从而增加高频应用下IGBT的开通关断的可控性，提升高频表现。
一种复合 mpt 结构高频 igbt 芯片

[发明专利]一种开关功率器件的叠层式封装结构-CN202310824392.2在审
发明人：吴俊德;周嵘;王智;陆超;江加丽;冉龙玄;张亮;赵冲冲;莫宏康;谭爽 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供的一种开关功率器件的叠层式封装结构，包括：功率电极，功率电极之间呈叠层式排布，相邻层之间通过连接板连接；芯片，若干芯片安装在底部或中部的功率电极上，芯片的侧面有信号电极安装在功率电极上；所述芯片与功率电极之间通过功率导线连接，所述芯片与信号电极之间通过信号导线连接。DC+相、交流相、DC‑相竖直排布，电流路径较短，使得杂散电感、引线电阻等寄生参数较小，系统电性能更好；并且使得整个结构更加紧凑，尺寸更小；信号端子和功率端子由两侧引出，互不干扰；交流相夹在平行的两块大板DC+和DC‑之间，也有利于信号的抗干扰，系统具有更好的的抗干扰性能。
一种开关功率器件叠层式封装结构

[发明专利]一种IGBT高抗振性能的封装-CN202310793564.4在审
发明人：吴俊德;石文坤;张亮;江加丽;冉龙玄;洪杜桥;陈侃;赵冲冲;莫宏康;谭爽 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供的一种IGBT高抗振性能的封装，包括陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板上印刷有三个图案相同的焊接区；其特征在于：底板,底板贴合固定在陶瓷覆铜板下端；塑料框架,塑料框架固定在底板上从侧面将盖板包围；功率端子和信号端子,多个功率端子和多个信号端子设在塑料框架的边缘上。本发明通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；每个功率端子背面都有底板完全支撑，背面螺钉均匀分布，外界引起的振动很快可以传导到底板上，而底板是刚性的金属材料，抗振性能极佳，提高模块的抗振性能和可靠性提高。
一种 igbt 高抗振性能封装

[发明专利]一种三相全桥IGBT模块及其制作方法-CN202310634150.7在审
发明人： 冉龙玄;石文坤;江加丽;王博;张亮;赵冲冲;吴俊德;陈侃;宋邦菊;何静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供的一种三相全桥IGBT模块及其制作方法，包括底板,所述底板为方形板；塑料框架，所述塑料框架固定在底板上将底板分为三个四周被包围的方槽；芯片陶瓷覆铜板，三块芯片陶瓷覆铜板呈条直线且间隔一定间距设在每个方槽内；IGBT管芯和FRD管芯，同一方槽内的IGBT管芯和FRD管芯组合为一个单相半桥。本发明通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；安装使用时可以使用单一的控制线路板进行控制，降低了系统复杂度；保证模块中的管芯的一致性，降低了管芯批次性不一致而造成的失效风险。
一种三相 igbt 模块及其制作方法

[发明专利]一种高耐压高可靠的塑封材料及其应用-CN202310542578.9在审
发明人： 冉龙玄;石文坤;吴俊德;江加丽;莫宏康;王智;赵冲冲 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明属于电子封装材料的技术领域，具体涉及一种高耐压高可靠的塑封材料及其应用，塑封材料按质量百分比计包括如下组分：片状硅粉78‑84％，α‑Al2O3颗粒2‑3％，环氧树脂8‑12％，硬化剂4‑6％，脱模剂＜1％，促进剂＜1％和适量着色剂；该塑封材料具有良好的耐高压性能良好、低吸湿率、强粘结力，本发明的封装材料用于电子封装，能够提高电子元器件的可靠性、使用寿命，防止击穿现象、短路现象、形变现象，有效避免了器件失效。
一种耐压可靠塑封材料及其应用

[发明专利]一种IGBT芯片及其制备方法-CN202310616319.6在审
发明人：江加丽;石文坤;冉龙玄;王智;莫宏康;赵冲冲 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种IGBT芯片及其制备方法，包括漂移区；漂移区的正面中部加工有元胞组，元胞组的端面通过正面电极覆盖，漂移区的边缘加工有P+ring区,P+ring区的端面通过依次堆叠有场氧化层、SIN钝化层、PI钝化层，所述漂移区的背面依次加工有场截止区、P+背集电区、背部电极。本发明芯片背面的高能质子H+会形成具有电活性的杂质，结合芯片正面的低掺杂的Pbase和多晶硅栅、边缘的P+ring区，在不影响芯片静态参数的情况下，能有效减少载流子寿命，降低反向关断时间，缩短拖尾电流时间，降低器件关断损耗，从而提高芯片的高频开关表现。
一种 igbt 芯片及其制备方法

[发明专利]一种复合MPT结构的高频IGBT芯片及其制备方法-CN202310618301.X在审
发明人：莫宏康;冉龙玄;石文坤;王智;江加丽;赵冲冲 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种复合MPT结构的高频IGBT芯片及其制备方法，包括漂移区。本发明通过微沟槽结构，将元胞尺寸缩小至2.4μm，同时在有源栅元胞中引入发射沟槽元胞，在不改变沟道长度等器件结构的基础上，通过合理分配有源栅元胞和发射沟槽元胞的比例，降低器件的米勒电容(Cres)，增大输入电容(Cies)与米勒电容(Cres)的比例，从而增加高频应用下IGBT的开通关断的可控性，提升高频表现。
一种复合 mpt 结构高频 igbt 芯片及其制备方法

[实用新型]一种高集成高可靠IGBT功率模块-CN202122050826.7有效
发明人：孟繁新;王博;陈侃;周斌;江加丽;冉龙玄;张亮 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种高集成高可靠IGBT功率模块，属于半导体功率模块技术领域。结构包括：金属底板、封装外壳底座、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、4个IGBT芯片、4个二极管芯片、封装外壳管帽，组成H桥电路结构；将2个IGBT芯片、2个二极管芯片按设计布局贴装焊接在左半桥基片上，将另外2个IGBT芯片、2个二极管芯片按设计布局贴装焊接在右半桥基片上；采用键合丝进行相应连接点之间的连线键合；封装外壳底座与封装外壳管帽进行充惰性气体全密封焊接。解决了现有IGBT模块耐高压性能差、组装密度低、散热措施复杂、可靠性低的问题。广泛应用于半导体功率电力器件的封装中。
一种集成可靠 igbt 功率模块

[发明专利]一种高集成高可靠IGBT功率模块及其制造方法-CN202110999766.5在审
发明人：孟繁新;王博;陈侃;周斌;江加丽;冉龙玄;张亮 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种高集成高可靠IGBT功率模块及其制造方法，包括：金属底板、金属底板固定孔、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、4个IGBT芯片、4个二极管芯片，组成H桥电路结构；综合采用了金属底板、多层陶瓷基片、裸芯片装结键合、金属固接等工艺技术，将多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片贴装焊接在金属底板上，将4个IGBT芯片、4个二极管芯片按设计布局贴装焊接相应基片上。解决了现有IGBT模块耐高压性能差、组装密度低、散热措施复杂、可靠性低的问题。广泛应用于半导体功率电力器件的封装工艺中。
一种集成可靠 igbt 功率模块及其制造方法

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