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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高分子半导体场效应晶体管-CN99815616.7无效
发明人： M·T·比尔纽斯;E·P·伍 -专利权人：陶氏环球技术公司
申请日： 1999-12-22 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：第一元件是绝缘体层，它是一种电绝缘体，例如二氧化硅，并具有第一侧面和第二侧面。第二元件是栅，它是一种导电体，例如银，该栅定位在绝缘体层的第一侧面上。第三元件是半导体层，它包括一种聚合物，这种聚合物中至少10重量％的单体单元选自9位取代的芴单元和/或9，9位取代的芴单元，该半导体层具有第一侧面、第二侧面、第一端和第二端，半导体层的第二侧面位于绝缘体层的第二侧面上第四元件是一个源，它是一种导电体，例如银，该源与半导体层的第一端电接触。第五元件是一个漏，它是一种导电体，例如银，该漏可与半导体层的第二端电接触。施加于栅的负偏压会在连接源与漏的半导体层中形成传导通道。另一方面，施加于栅的正偏压会在半导体层中形成导电通道。
高分子半导体场效应晶体管

[发明专利]沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法-CN201710997848.X在审
发明人：徐承福;朱阳军 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法，其包括半导体基板以及位于所述半导体基板中心区的元胞区，半导体基板包括第一导电类型衬底以及位于所述第一导电类型衬底上方的第一导电类型外延层；在元胞区的第一导电类型外延层内设置超结结构，第二导电类型柱与第一导电类型外延层能形成超结结构，在相邻的第二导电类型柱间设置元胞沟槽，元胞沟槽内设置绝缘氧化层以及导电多晶硅，利用超级结构以及沟槽栅结构能有效降低导通电阻；绝缘氧化层覆盖元胞沟槽槽口外的第一导电类型外延层，导电多晶硅同时覆盖在元胞沟槽槽口外的绝缘氧化层上，利用元胞沟槽槽口外的绝缘氧化层以及奥迪多晶硅可以提高雪崩耐量，结构紧凑，安全可靠。
沟槽栅超结 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]大满阱容量带抗晕结构的CCD-CN201711102973.6有效
发明人：王小东;汪朝敏;李博乐;涂戈 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明公开了一种大满阱容量带抗晕结构的CCD，所述CCD为多个像元构成的可见光帧转移结构的面阵CCD；其创新在于：单个像元包括四个转移控制栅、两个势垒区、两个势阱区和两个抗晕栅；本发明的有益技术效果是：提供了一种大满阱容量带抗晕结构的CCD，该CCD具备较大的满阱容量，像元的量子效率也较高，而且具备较强的抗晕能力，可有效提高图像的对比度和动态范围。
大满阱容量带抗晕结构 ccd

[发明专利]一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅MOSFET-CN201810921041.2有效
发明人：易波;张丙可 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体领域，具体提供一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅MOSFET，用以克服现有的集成肖特基续流二极管的碳化硅槽栅MOSFET元胞面积大、集成度低的缺点。本发明提供碳化硅槽栅MOSFET的元胞结构中，通过深槽正下方设置P+型电场屏蔽区，将肖特基二极管集成在深槽两侧，在集成肖特基二极管的同时实现了其所需的电场屏蔽效果，不仅在碳化硅槽栅MOSFET上集成了续流二极管，且具有低导通损耗和低开关损耗，同时具有高集成度和降低面积成本的优点。
一种集成肖特基续流二极管碳化硅 mosfet

[发明专利]蓄电池阴阳极板平衡搭配生产的方法-CN200410060750.4无效
发明人：韦元基;周道熙;厦红;王华丹;李仕庆;廖春图;苏家红;蔡勇;甘平;王航;刘琼秀;雷黎明 -专利权人：柳州华锡集团有限责任公司
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：一种蓄电池阴阳极板平衡搭配生产的方法，是以板栅代替阳生极板化成，单独产阴极板，或以板栅代替阴生极板化成，单独产阳极板的方法。当蓄电池生产过程阳极板过剩时，将板栅代替阳生极板装槽，阴极为阴生极板，在常规化成条件下单独产出含Pb04.33～7.13％的阴极板。在阴极板过剩时，则将板栅代替阴生极板装槽，阳极为阳生极板，在常规化成条件下，单独产出含PbO₂77.68～85.21％的阳极板。采用本发明生产阴阳极板，指标稳定，技术可靠，以0.26～0.30元/单片的生产成本，可换取≥1元/单片的效益，是蓄电池阴阳极板平衡搭配、增创效益的好方法。
蓄电池阴阳极板平衡搭配生产方法

[实用新型]一种自动清分式公交投币箱-CN201620046788.4有效
发明人：李震昊;王伟;李汝岱;张闻雷 -专利权人：东北大学
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： G07D11/00 文献下载
摘要：一种自动清分式公交投币箱，在箱体顶部开设有条缝状投币口，投币口下方倾斜设置有由边框和栅型弹性清分网组成的一级筛板，栅型弹性清分网固定安装在边框内，栅型弹性清分网的栅缝方向与投币口的条缝方向相垂直；一级筛板末端连通有竖向的纸币下落通道硬币导向板下方倾斜设置有二级筛板，二级筛板上平行设置有若干分币滑道，分币滑道中部设置有限高挡板，限高挡板与分币滑道之间留有仅供单枚硬币通过的间隙，限高挡板斜下方的分币滑道底板上依次开设有5角硬币筛孔和1元硬币筛孔，在5角硬币筛孔下方设置有5角硬币收集槽，在1元硬币筛孔下方设置有1元硬币收集槽。
一种自动分式公交投币箱

[实用新型]一种球栅阵列结构的印制电路板封装及显示装置-CN201420156703.9有效
发明人：吴月 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种球栅阵列结构的印制电路板封装及显示装置，涉及显示技术领域，不仅能够省略为BGA封装添加BGA测试点的步骤，而且具有良好的散热效果，从而提高BGA封装的性能。该球栅阵列结构的印制电路板封装包括：第一基板，设置于第一基板上的无铅锡球，设置于第一基板上的晶元，无铅锡球和晶元分别设置于第一基板的两侧，设置于第一基板上的、与晶元接触的绝缘层，设置于绝缘层和晶元上的第二基板
一种阵列结构印制电路板封装显示装置

[发明专利]一种双沟道MOS栅控晶闸管及其制造方法-CN201711303949.9在审
发明人：陈万军;刘承芳;刘亚伟;陶宏;刘杰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，具体的说是一种双沟道MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明主要是在相同元胞宽度下增加多晶硅栅极的密度，从而在不改变掩膜版数目的情况下，增加栅极密度，从而增加了栅电容，减小栅极电压振荡，避免了栅控晶闸管在脉冲应用条件下出现因栅介质击穿而发生失效的问题。
一种沟道 mos 晶闸管及其制造方法

[发明专利]增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构-CN201110412662.6无效
发明人：张帅;李冰 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构；包括：源区、漏区、栅区，紧靠栅区边界形成沟道，在P型体区下方有硅衬底N--，在硅衬底N--上生长有N-外延层。本发明可以减轻绝缘栅双极型晶体管Planner IGBT元胞间寄生的结型场效应晶体JFET的夹断效应，从而增强器件的驱动电流。
增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构

[发明专利]一种VDMOS器件及其制作方法-CN201410247129.2在审
发明人：马万里;闻正锋;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种VDMOS器件及其制作方法，所述制作方法包括：刻蚀多晶硅层，形成所述VDMOS器件的元胞区，其中，所述多晶硅层形成在栅氧化层上，所述栅氧化层形成在外延层上；注入第一离子，在所述元胞区的外延层形成体区；通入氧气，在所述体区的表面上生长第一氧化层；注入第二离子，在所述元胞区的外延层的第一预定区域形成源区；注入第一离子，在所述体区对应的外延层形成深体区。本发明提供的VDMOS器件及其制作方法，通过在所述体区的表面上生长第一氧化层，修复了多晶硅刻蚀时对栅极氧化层的损伤，保证了栅氧化层的抗击穿能力。
一种 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]横向双扩散场效应管-CN201510054806.3在审
发明人：顾炎;苏巍;张森 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双扩散场效应管，对单个元胞中的源极结构部分加入多于一个的栅极沟槽结构，并从该栅极沟槽结构引出栅极引出端作为栅电极，因而当在栅电极加上一定电压时，沟槽两侧的栅绝缘层与第一导电类型阱都形成反型层，即导电沟道如果栅极沟槽结构的个数为N个，则电流流过的导电沟道就有2N个，较之传统的LDMOS的单个元胞结构中电流密度显著增加，从而可以在多元胞结构下总体提高了单个器件的电流密度。因而，在同样的工作电流下，上述横向双扩散场效应管因为单个元胞结构更大的工作电流使得器件面积小、导通电阻小。
横向扩散场效应

[发明专利]基于浮栅晶体管的脉冲神经元网络-CN202011638759.4在审
发明人：王青;陈静;吕迎欢;谢甜甜;赵瑞勇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于浮栅晶体管的脉冲神经元网络，包括多节点输入单元和脉冲产生单元：所述多节点输入单元包括一多输入端浮栅晶体管，多输入端浮栅晶体管的多个栅极输入端分别连接外部的多个仿生传感器输入信号，源极接地，漏极接脉冲产生单元的正极；脉冲产生单元包括一Mott忆阻器，Mott忆阻器的负极连接工作电压，正极连接晶体管的漏极，并作为所述脉冲神经元网络的脉冲输出端。本发明给出了一种全新的电子传入神经元实现架构。该架构面向硬件神经形态脉冲神经网络的应用，实现了模拟信号到脉冲信号的转换，具有结构简单、功能多、功耗低等优点，更加适应于脉冲神经网络。
基于晶体管脉冲神经元网络

[发明专利]弥散燃料和毒物颗粒的分层燃耗的多尺度耦合方法及装置-CN202111092461.2在审
发明人：蔡杰进;李学仲;陈智奇;李杰聪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种弥散燃料和毒物颗粒的分层燃耗的多尺度耦合方法及装置，其中方法包括：根据棒束栅元模型的几何参数，构建微观精细模型；对微观精细模型进行中子输运计算，获得其有效增值因子；根据有效增值因子将毒物颗粒球与SiC基体进行混合，获得微观等效均匀模型，以及毒物颗粒球的有效份额；将棒束栅元模型作为一个宏观模型，根据有效份额将燃料棒中的毒物颗粒球和SiC基体进行混合，获取燃料棒的有效增殖因子和平均通量；根据有效增殖因子和平均通量做燃耗计算本发明根据微观等效均匀模型对宏观的棒束栅元模型进行混合处理，提高了计算效率，可广泛应用于核工程领域。
弥散燃料毒物颗粒分层燃耗尺度耦合方法装置

[发明专利]创建具有富铟侧表面和底表面的有源沟道的设备和方法-CN201680082393.2有效
发明人： C.S.莫哈帕特拉;A.S.墨菲;G.A.格拉斯;M.V.梅茨;W.拉赫马迪;G.德维;T.加尼;J.T.卡瓦利罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：可形成具有含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道的晶体管装置及用于制作该晶体管装置的过程，其在制作例如在三栅或环栅（GAA）装置中使用的那些有源沟道的鳍形有源沟道时使能改进的载流子迁移率。在一个实施例中，含铟的三元或以上的III‑V族化合物可沉积在子结构的重构的上表面上的窄沟槽中，这可产生具有富铟侧表面和富铟底表面的鳍。这些富铟表面将邻接晶体管的栅氧化物，并且相对于含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道的常规同质组成可产生高电子迁移率和改进的切换速度。
创建具有富铟侧表面有源沟道设备方法

[发明专利]一种减小反应堆逐棒计算中组件外围棒功率误差的方法-CN201510727633.7有效
发明人：李云召;张斌;曹良志 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：；2、求解组件不连续因子，首先利用修正后均匀化截面进行简化球谐函数方法的计算，然后根据广义等效理论求出组件不连续因子；3、在堆芯计算中同时使用超级均匀化因子修正后的截面以及组件不连续因子；本发明方法中栅元均匀化中的超级均匀化方法给出各个栅元的超级均匀化因子，很好的保证了组件内部的栅元中积分反应率的守恒；广义等效均匀化理论应用于组件均匀化中，给出了组件边界上的不连续因子，以此来达到考虑组件周边环境、减少组件外围棒功率误差的目的。
一种减小反应堆计算组件外围功率误差方法

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