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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种微机电系统-CN201720627569.X有效
发明人：黄玲玲 -专利权人：北京万应科技有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种微机电系统，包括采用扇出封装的微机电系统芯片晶圆、采用扇入封装的专用集成电路芯片晶圆，所述微机电系统芯片晶圆上设有与微机电系统管脚电连接的微机电系统凸块，所述微机电系统凸块与所述专用集成电路芯片晶圆正面的专用集成电路凸块电连接本实用新型将MEMS芯片通过扇出型封装形式，使其尺寸能够和ASIC芯片晶圆实现晶圆级封装。
一种微机系统

[发明专利]具有伪管芯的扇出堆叠系统级封装(SIP)及其制造方法-CN201510830657.5有效
发明人：林宗澍;陈宪伟;谢政杰;黄昶嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种示例性封装件包括第一扇出层、位于第一扇出层上方的扇出再分布层(RDL)以及位于扇出RDL上方的第二扇出层。第一扇出层包括一个或多个第一器件管芯以及沿着一个或多个第一器件管芯的侧壁延伸的第一模塑料。第二扇出层包括接合至扇出RDL的一个或多个第二器件管芯、接合至扇出RDL的伪管芯以及沿着一个或多个第二器件管芯和伪管芯的侧壁延伸的第二模塑料。扇出RDL将一个或多个第一器件管芯电连接至一个或多个第二器件管芯，并且伪管芯基本上没有任何有源器件。本发明的实施例还涉及具有伪管芯的扇出堆叠系统级封装(SIP)及其制造方法。
具有管芯堆叠系统封装 sip 及其制造方法

[发明专利]三维扇出型集成封装结构及其封装方法和无线耳机-CN202111373008.9在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种三维扇出型集成封装结构及其封装方法和无线耳机，所述三维扇出型集成封装结构包括第一重新布线层、第二重新布线层、金属连接柱、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一填充层、第一封装层、功能芯片、第二填充层而且本发明的三维扇出型集成封装结构可以同时整合GPU/PMU/DDR/毫米波天线/电容/电感/电晶体/闪存/滤波器等各种功能芯片和元器件，实现系统级封装，不仅能够降低成本，而且通过采用物理隔离的方式减少器件干扰
三维扇出型集成封装结构及其方法无线耳机

[发明专利]一种晶圆级扇出型堆叠封装工艺方法-CN201710702492.2有效
发明人：姚大平;宋涛 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种晶圆级扇出型堆叠封装工艺方法，包括如下步骤：在透光临时基板上的高温键合胶层上贴附一层干性光阻膜；在所述干性光阻膜上形成多个直通高温键合胶层的盲孔；在所述干性光阻膜固化后，在所述盲孔内植入导电金属柱；整体注塑并对塑封体的表面进行磨削直至将所述裸芯片的焊垫完全暴露；在所述塑封体的磨削面上制作用于连接所述导电金属柱和裸芯片的重布线层，所述重布线层上设置有通过植球和回流焊得到微凸点；去除所述透光临时基板和高温键合胶层，得到封装单元；根据所述封装单元得到扇出型堆叠封装结构该发明简化了扇出型堆叠封装制造工艺，降低了堆叠封装的制造成本。
一种晶圆级扇出型堆叠封装工艺方法

[实用新型]一种三维扇出型封装结构-CN202020939025.9有效
发明人：王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开一种三维互连扇出型封装结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。三维扇出型封装结构包括树脂塑封体，所述树脂塑封体的正面和背面均制作有n层再布线；凸点，生长在所述树脂塑封体的正面；若干个异构或异质芯片，通过微凸点倒装焊接在所述树脂塑封体的背面，同时所述异构或异质芯片底部填充有底填料三维扇出型堆叠封装结构包括通过微凸点进行三维堆叠的若干个树脂塑封体，每层之间填充有底填料；最底部的树脂塑封体正面生长有凸点；所述树脂塑封体的正面和背面均制作有n层再布线。
一种三维扇出型封装结构

[实用新型]双层堆叠的3D扇出型封装结构-CN202120383007.1有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双层堆叠的3D扇出型封装结构，该结构包括：第一半导体芯片、塑封材料层、金属连接柱、第一重新布线层、第二重新布线层、第二半导体芯片、焊球凸块、底部填充层。形成的封装结构在三维方向可封装两层扇出型晶圆，切割后的单个封装体沿三维方向具有两层半导体芯片，且通过设置第一重新布线层、金属连接柱及第二重新布线层实现对单个封装体中所有半导体芯片电信号的控制，从而在单个封装体中封装更多的芯片，提高扇出型晶圆级封装的整合性、同时减小封装体积；再者，将多个芯片封装于同一个封装体中，还可有效提高单个芯片的效能。
双层堆叠扇出型封装结构

[实用新型]三维堆叠的扇出型封装结构-CN202120383190.5有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种三维堆叠的扇出型封装结构，该结构包括：第一半导体芯片、第一塑封材料层、金属连接柱、第一重新布线层、第二重新布线层、第二半导体芯片、焊球凸块、底部填充层、第二塑封材料层。形成的封装结构在三维方向可封装两层扇出型晶圆，切割后的单个封装体沿三维方向具有两层半导体芯片，且通过设置第一重新布线层、金属连接柱及第二重新布线层实现对单个封装体中所有半导体芯片电信号的控制，从而在单个封装体中封装更多的芯片，提高扇出型晶圆级封装的整合性、同时减小封装体积；再者，将多个芯片封装于同一个封装体中，还可有效提高单个芯片的效能。
三维堆叠扇出型封装结构

[实用新型]双层塑封的3D扇出型封装结构-CN202120383235.9有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双层塑封的3D扇出型封装结构，该结构包括：第一半导体芯片、第一塑封材料层、金属连接柱、第一重新布线层、第二重新布线层、第二半导体芯片、焊球凸块、第二塑封材料层。形成的封装结构在三维方向可封装两层扇出型晶圆，切割后的单个封装体沿三维方向具有两层半导体芯片，且通过设置第一重新布线层、金属连接柱及第二重新布线层实现对单个封装体中所有半导体芯片电信号的控制，从而在单个封装体中封装更多的芯片，提高扇出型晶圆级封装的整合性、同时减小封装体积；再者，将多个芯片封装于同一个封装体中，还可有效提高单个芯片的效能。
双层塑封扇出型封装结构

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202011570685.5在审
发明人：吴俊毅;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：SoIS封装包括集成扇出型结构及用于对多个半导体器件进行外部连接的器件重布线结构。集成扇出型结构包括将半导体器件中的两个半导体器件电耦合在一起的多个局部内连器件。可以晶片或面板的形式制作集成扇出型结构，且接着将集成扇出型结构单体化成多个集成扇出型结构。SoIS封装还可包括连接到集成扇出型结构的中介层，以用于对SoIS封装进行外部连接。
制造半导体器件方法

[发明专利]一种扇出晶圆级封装件及其制造方法-CN201510223394.1在审
发明人：陈峥嵘 -专利权人：三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种扇出晶圆级封装件及其制造方法。该扇出晶圆级封装件包括：第一芯片、塑封第一芯片的侧面并且暴露第一芯片的正面和背面的第一塑封层、设置在第一芯片的正面和第一塑封层的下表面上的第一再布线层、其背面位于第一芯片的背面上的第二芯片、塑封第二芯片的侧面并且暴露第二芯片的正面的第二塑封层通过本发明的扇出晶圆级封装件及其制造方法，能够提供一种尺寸小、成品率高、低高温翘曲的扇出晶圆级封装件。
一种扇出晶圆级封装及其制造方法

[发明专利]一种三维扇出型晶圆级封装方法及封装结构-CN202111590876.2在审
发明人：顾峰光;郁澄宇;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开一种三维扇出型晶圆级封装方法及封装结构，属于集成电路封装领域。电镀工艺形成芯片铜柱凸块，再分割成单颗裸芯片；采用face up工艺装载、粘合于圆片预设计位置；多层芯片间通过机械切割、多重布线、铜柱凸块、塑封及研磨工艺实现Z轴方向的引线互联；最后再进行多重布线及凸点制程等，完成三维扇出型封装
一种三维扇出型晶圆级封装方法结构

[发明专利]一种三维堆叠圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法-CN201410844316.9在审
发明人：夏国峰;于大全 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维堆叠圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法。该三维堆叠圆片级扇出PoP封装通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成，上、下相邻扇出PoP封装单元之间通过第二焊球实现互联，采用第二塑封材料进行包覆密封。在载体圆片上配置金属基材圆片，在金属基材圆片上表面制作第一金属凸点结构，倒装芯片贴片，塑封，在第一塑封材料上制作通孔，在通孔中制作第二金属凸点结构，植球，堆叠回流焊，去除载体圆片，制作再布线金属走线层，植球和回流焊工艺后形成扇出PoP封装单元，至少一个扇出PoP封装单元进行堆叠回流焊，塑封形成该结构。
一种三维堆叠圆片级扇出 pop 封装结构及其制造方法

[发明专利]一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构-CN201510969543.9在审
发明人：侯峰泽;苏梅英;徐成 -专利权人：成都锐华光电技术有限责任公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明属于电子封装领域，尤其涉及一种基于载体的扇出2.5/3D封装结构，包括TSV转接板、倒装芯片、底部填充胶、塑封料、BGA焊球等。倒装芯片倒装焊在TSV转接板的正面；塑封料包封所有芯片以及TSV转接板；TSV转接板背面植BGA焊球。该结构结合了扇出以及转接板技术实现系统级封装，降低生产成本；有利于减小翘曲，减小芯片偏移量，提高工艺的可行性及封装体的可靠性。
一种基于载体 2.5 封装结构

[发明专利]集成散热结构的硅基扇出型封装及晶圆级封装方法-CN201711364900.4在审
发明人：王腾 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成散热结构的硅基扇出型封装及晶圆级封装方法，基于硅基扇出型封装技术，在埋入芯片后硅基体的第二表面直接制作散热结构，由晶圆级制程制造，加工精度高，过程简单，价格低。
集成散热结构硅基扇出型封装晶圆级方法

[发明专利]扇出型系统级封装结构及其制备方法-CN201710543371.8在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型系统级封装结构及其制备方法，包括如下步骤1）提供一载体；2）于载体的上表面形成重新布线层；3）于重新布线层的上表面形成屏蔽框、半导体芯片及天线控制芯片；4）于所述重新布线层的上表面形成塑封层本发明的扇出型系统级封装结构即具有半导体芯片本身的功能，又具有通信等功能，具有较高的整体效率；通过设置金属屏蔽框，将半导体芯片置于屏蔽框内并由金属屏蔽盖封盖，可以有效避免天线及天线控制芯片对半导体芯片的电磁干扰
扇出型系统封装结构及其制备方法

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