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[发明专利]一种用于FOPLP封装加工的半导体生产装置-CN202310545288.X在审
发明人：张兴杰;苏梅英 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产装置技术领域，具体为一种用于FOPLP封装加工的半导体生产装置，包括封装加工装置主体，封装加工装置主体的内部固定安装有调节组件，调节组件的内部固定安装有电机，电机的输出端转动连接有锥形齿轮，锥形齿轮的左侧啮合连接有第二转动轮，锥形齿轮的右侧啮合连接有第一转动轮，通过启动调节组件内部电机，电机带动锥形齿轮进行转动，锥形齿轮啮合侧面，第一转动轮、第二转动轮进行转动，分别带动第一螺纹杆和第二转动，螺纹杆分别啮合调节块在第一滑槽内部进行移动调节上方固定组件对半导体进行固定，从而使其使用较为方便，并通过螺纹杆与调节块相互啮合的设计方便拆装，便于自动化控制调节位置，有效的扩大了加工的范围。
一种用于 foplp 封装加工半导体生产装置

[发明专利]一种基于多芯片FOPLP封装的方法及过压保护器件-CN202310365861.9在审
发明人：张兴杰;苏梅英 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多芯片FOPLP封装的方法及过压保护器件，属于基于多芯片FOPLP封装的过压保护器件技术领域，通过本发明对过压保护器件以及多芯片FOPLP封装的方法设计实现了过压保护器件具有更好的抗浪涌能力、大大降低过冲电压、以及高效的散热功能和成本高的问题，而且该板级扇出封装技术可降低封装整体成本、减小产品体积、提升产品性能、提高可靠性。
一种基于芯片 foplp 封装方法保护器件

[发明专利]量化表征聚酰亚胺与镀铜界面结合力测试样品及制备方法-CN202211619201.0在审
发明人：刘云婷;苏梅英;马瑞;王旭刚 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及量化表征聚酰亚胺与镀铜界面结合力测试样品及制备方法，包括以下步骤：在硅晶圆上固化一层聚酰亚胺薄膜；在聚酰亚胺薄膜上制备铜层，并对铜层进行防氧化保护；将晶圆划片处理，切隔成一定尺寸的聚酰亚胺与镀铜界面样品；将聚酰亚胺与镀铜界面样品的上表面与拉伸夹具的底面焊接在一起，完成测试样品与拉伸夹具的一体化制备。本发明避免在硅晶圆上整片制备铜层，而后在铜层上以规定图形制备聚酰亚胺薄膜的方法，而是在硅晶圆上先整片制备聚酰亚胺薄膜，再在聚酰亚胺薄膜上以规定图形制备镀铜层，并在铜层上焊接拉伸夹具，高强度的焊点降低了测试过程中非测试面的断裂风险，以实现量化表征聚酰亚胺与镀铜层界面间的结合力。
量化表征聚酰亚胺镀铜界面结合测试样品制备方法

[发明专利]一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法-CN202211228121.2在审
发明人：付融;陈钏;曹立强;王启东;李君;苏梅英 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括依次层叠设置的超亲纳米结构层、气液分离膜层和流道结构层，当半导体芯片的热量传输到超亲纳米结构层后，液膜开始沸腾并进行相变产生气泡，利用对液体具有超亲性的超亲微纳米结构层有效限制气泡和超亲微纳米结构层的表面的接触面积，减小气泡附着力，利用气液分离膜层的超疏水部分实现将气泡中的气体快速排出，防止液膜中的液体溢出，实现气液分离强化，利用气液分离膜层的超亲水部分限制气泡在气液分离膜层的吸附扩张，降低液膜补液阻力，进而避免液膜干涸断裂，本申请实施例提供的受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构能够满足半导体芯片的散热需求。
一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法

[发明专利]一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法-CN202211227301.9在审
发明人：付融;陈钏;曹立强;王启东;李君;苏梅英 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括依次层叠设置的流道层、超疏滤膜层和工质进出结构层，当半导体芯片的热量传输到流道层后，液膜开始沸腾并进行相变产生气泡，利用对液体具有超亲性的超亲微纳米结构实现对于沸腾气化核心的近位补液，并且有效限制气泡和超亲微纳米结构的表面的接触面积，减小气泡附着力，利用超疏滤膜层实现将气泡中的气体快速排出，并且同时防止液膜中的液体溢出，实现气液分离强化的目的，由此可见，本申请实施例提供的受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构能够满足半导体芯片的散热需求。
一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法

[发明专利]一种多层高带宽存储器及其制造方法-CN202211082370.5在审
发明人：吕锡明;苏梅英 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种多层高带宽存储器，采用扇出型嵌入式元器件封装方式将高带宽存储器与逻辑芯片集成于一片晶圆上，提升了存储能力，并通过晶圆级凸点工艺使得封装效率得到提升。其包括：至少一个高带宽存储器芯片模块，每个高带宽存储器芯片模块包括N个垂直堆叠的高带宽存储器晶圆，且表面设置有与其电连接的第一金属连接层；逻辑芯片，其表面设置有与其电连接的第二金属连接层；塑封层，包覆高带宽存储器芯片模块、逻辑芯片、第一金属连接层、以及第二金属连接层，其第一表面设置有与第一、第二金属连接层电连接的重布线层及表面钝化层，第二表面设置有承载层；以及与重布线层电连接的凸点。
一种多层带宽存储器及其制造方法

[发明专利]一种三维堆叠封装结构及其制备方法-CN202110499384.6有效
发明人：张文雯;曹立强;周云燕;苏梅英;陈钏;侯峰泽 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明提供一种三维堆叠封装结构及其制备方法，三维堆叠封装结构包括：相对设置的下基板和上基板；位于下基板和上基板之间的第一芯片，第一芯片与下基板电学连接；第一微流道液冷板，位于上基板和下基板之间且设置于第一芯片背离下基板的一侧；第二芯片，设置于上基板背向第一微流道液冷板的一侧，第二芯片与上基板电学连接。第一芯片产生的热量能够以较短的路径传输至第一微流道液冷板以对第一芯片进行散热，提高了第一芯片的散热效果，避免由于结温过高导致第一芯片失效。第二芯片产生的热量也能够通过第一微流道液冷板进行散热，提高了第二芯片的散热效果。综上，第一微流道液冷板的设置提高了三维堆叠封装结构的散热效果。
一种三维堆叠封装结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件散热模块及电子装置-CN202011635116.4有效
发明人：侯峰泽;曹立强;陈钏;马瑞;苏梅英 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件散热模块和电子装置。半导体器件散热模块包括：导热板，导热板包括相对的顶端面和底端面，顶端面和底端面分别为导热板各个面中面积最大的两个面中的一个；刚性基板，刚性基板设置有多个发热器件，刚性基板贴装于顶端面和底端面；柔性基板，柔性基板表面贴装有多个发热器件，柔性基板贴装于导热板的侧面；柔性基板部分延伸至顶端面一侧，柔性基板延伸至顶端面一侧的部分连接位于顶端面的刚性基板；柔性基板还部分延伸至底端面一侧，柔性基板延伸至底端面一侧的部分连接位于底端面的刚性基板。
一种半导体器件散热模块电子装置

[发明专利]一种用于POP封装的散热结构及其构造方法-CN202111495590.6在审
发明人：周云燕;陈海英;陈钏;苏梅英 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，提出一种用于POP封装的散热结构及其构造方法。所述散热结构包括第一基板和第二基板；第一芯片，其布置于所述第一基板上；第二芯片，其布置于所述第二基板上；以及微流道，其与所述第一和第二芯片连接并且将所述第一和第二芯片工作生成的热量导出。
一种用于 pop 封装散热结构及其构造方法

[发明专利]一种芯片封装件-CN202010283341.X有效
发明人：刘鹏辉;苏梅英 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片封装件，该芯片封装件包括芯片、封装芯片的封装层、用于检测芯片封装件内温度的温度检测组件。芯片有相对的正面与背面。温度检测组件包括设置在芯片的背面且可与芯片热传导的电阻丝结构、与电阻丝结构电连接且用于测试电阻丝结构的电阻的管脚组件。电阻丝结构的电阻随芯片的温度的变化而改变，管脚组件部分外漏于封装层外。通过在芯片的背面设置可与芯片热传导的电阻丝结构，设置用于检测电阻丝结构的电阻的管脚组件，芯片的温度改变时，电阻丝结构的电阻也会发生改变，通过测试电阻丝结构的电阻变化，得到芯片封装件内的温度。与现有技术相比，无需在封装层内设置热电偶或温度传感器芯片，简化芯片封装件内温度的测试结构。
一种芯片封装

[发明专利]功率放大器散热结构及其制备方法-CN202010835902.2在审
发明人：刘云婷;苏梅英;李君;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率放大器散热结构及其制备方法，包括：在载板上形成重新布线层和介质层；在所述重新布线层上形成导电柱和导电层；将均热板附连至芯片上；将所述芯片附连至所述导电层；依次形成塑封层与散热层，所述散热层附连至所述导电柱和所述均热板。
功率放大器散热结构及其制备方法

[实用新型]一种用于定量分析介质薄膜/基底界面结合力的试样-CN201922195747.8有效
发明人： 苏梅英;王旭刚;陈峰;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及材料性能表征领域，具体涉及一种用于定量分析介质薄膜/基底界面结合力的试样，包括：基底；设置在基底上的介质薄膜；第一金属线路层，设置在所述基底与介质薄膜之间，用于使介质薄膜的一端与基底分离；以及，第二金属线路层，设置在所述介质薄膜的与第一金属线路层相对的一侧，所述第二金属线路层与所述第一金属线路层配合将所述介质薄膜的一端进行夹持以形成所述介质薄膜的待夹持自由端。本实用新型提供的试样，当要测试介质薄膜/基底界面结合力时，只需将两个拉伸夹具分别夹持基底以及介质薄膜的待夹持自由端，再进行拉伸即可，结构简单，且使用过程中不需受其他材料的限制，便于对介质薄膜/基底界面结合力进行测试。
一种用于定量分析介质薄膜基底界面结合试样

[发明专利]一种面向多维封装结构芯片可靠性评估方法-CN201910871610.1在审
发明人：陈新华;苏梅英;贝国平;董子钰;董金勇 -专利权人：北京建筑大学;中铭富驰(苏州)纳米高新材料有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向多维封装结构芯片可靠性评估方法，包括以下步骤：步骤1，选定晶圆上用于可靠性测试的芯片样本数量；步骤2，对选定的芯片样本进行外部损伤检查；步骤3，将通过外部损伤检查后的芯片样本进行预处理实验；步骤4，将预处理实验后的芯片样本分为3组，分别进行温度循环实验、无偏压高加速温湿度应力实验以及压力蒸煮实验；步骤5，对完成步骤4试验后的3组芯片通过失效统计和微观组织结构表征，确定芯片样本的缺陷和寿命预计值。本发明的可靠性评估方法，能够确定不同工作条件对芯片的组织结构变化和内部缺陷形成的影响，确定芯片的可靠性及失效形式，准确评估产品寿命预计值，有助于尽快改进芯片设计和生产中的缺陷。
芯片样本预处理芯片损伤微观组织结构组织结构变化可靠性测试可靠性评估芯片可靠性产品寿命封装结构内部缺陷失效形式温度循环芯片设计准确评估外部多维晶圆蒸煮检查评估试验改进统计生产

[发明专利]一种扇出封装结构及其制造方法-CN201710749301.8有效
发明人： 苏梅英;陈峰;王新;蒋震雷;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;浙江卓晶科技有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提出了一种扇出封装结构及其制造方法，该扇出封装结构包括塑封层和至少一个半导体芯片，半导体芯片的有源面朝下，塑封层形成在半导体芯片的上方，塑封层的上表面为翅片形状。本发明在不增加扇出封装厚度的同时，提高了扇出封装结构的散热性能。
一种封装结构及其制造方法

[发明专利]一种控制扇出式系统级封装翘曲的方法-CN201710631964.X有效
发明人： 苏梅英;陈峰;王新;蒋震雷;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;浙江卓晶科技有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提出了一种控制扇出式系统级封装翘曲的方法，包括：在载板上形成胶合层；将至少两个功能性芯片和至少一个无功能性调节芯片贴合于所述胶合层上，功能性芯片的有源面朝下，所述功能性芯片与所述无功能性调节芯片以使封装体结构对称的方式排列。本发明在不增加工艺步骤和制造成本、不改变常规工艺制程的前提下，减小了系统级扇出封装过程中产生的晶圆级或板级翘曲以及单个封装体翘曲，提高了封装产品的良率。
一种控制扇出式系统封装方法

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