专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种射频封装结构及其制备方法-CN202310016030.0在审
  • 周云燕;张文雯;杨成林;侯峰泽;王启东;李君 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2023-01-05 - 2023-05-02 - H01L23/367
  • 本发明提供一种射频封装结构及其制备方法,属于半导体封装技术领域,射频封装结构包括依次层叠且电学连接的第一模块至第N模块,N为大于等于2的整数;m为大于等于1且小于等于N‑1的整数,第m模块包括第m基板、设置在第m基板一侧的第m射频芯片和设置在第m基板一侧表面的第m散热结构,第m散热结构位于第m基板与第m+1基板之间并与第m基板形成第m容置空间,第m射频芯片位于第m容置空间内且与第m基板电学连接,且第m射频芯片背离第m基板的一侧表面与第m散热结构连接,第m散热结构的材料为金属;第N模块包括第N基板、以及位于第N基板背离第一模块的一侧表面的天线层。上述结构改善了射频封装结构的集成度,提升了性能。
  • 一种射频封装结构及其制备方法
  • [发明专利]基于蚁群算法的SiC MOSFET封装结构优化方法-CN202011321629.8有效
  • 樊嘉杰;钱弈晨;侯峰泽;刘盼;张国旗 - 复旦大学
  • 2020-11-23 - 2023-04-18 - G06F30/23
  • 本发明公开了一种基于蚁群算法的SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层(RDL)在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力,然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析,构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的适应度函数;接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线,从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式,以达到优化目的。本发明主要应用于功率器件和模块封装可靠性优化场合,通过改善结构,降低SiC芯片结温和热应力,提高模块的可靠性。
  • 基于算法sicmosfet封装结构优化方法
  • [发明专利]一种集群式芯片系统的垂直供配电架构-CN202310034058.7在审
  • 尤祥安;侯峰泽;王启东;丁飞;方志丹 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-01-10 - 2023-04-04 - H02J1/00
  • 本发明公开了一种集群式芯片系统的垂直供配电架构,属于微电子封装技术领域,解决了现有技术中集群式芯片系统的供配电模组难以近距离摆放的布局问题或者集群式芯片系统无法实现短距离供配电的问题。该架构中,负载芯片与供配电模组在垂直于线路板的方向上堆叠;供配电模组包括从下至上依次垂直堆叠且连接的外部输入层、变换层和垂直接口层;供配电模组和负载芯片的数量均为多个,线路板的数量为1个,线路板作为多个负载芯片的承载和互连基板,线路板的内部金属层用于实现多个负载芯片之间的信号互连;负载芯片的电源端口通过线路板内的垂直配电孔与供配电模组的垂直接口层互连。本发明可用于集群式芯片系统的垂直供配电。
  • 一种集群芯片系统垂直配电架构
  • [发明专利]一种纳米金属低温烧结结构及其制备方法-CN202211599771.8在审
  • 葛宏林;侯峰泽;周云燕;尤祥安;王启东 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-12-12 - 2023-03-07 - H01L23/498
  • 本申请公开一种纳米金属低温烧结结构及其制备方法,涉及半导体功率器件封装领域。纳米金属低温烧结结构包括:具有至少两个功率芯片放置孔的载板、至少两个功率芯片、金属化层、烧结金属层、支撑结构和具有多个通孔的基板;功率芯片设置在功率芯片放置孔,金属化层和烧结金属层依次设置在功率芯片上;支撑结构设置于载板两侧,支撑结构用于承载基板;通孔在载板上的正投影和功率芯片在载板上的正投影具有重合区域,支撑结构让功率芯片不再受力于整个基板,通过基板与功率芯片倒置的结构可以避免烧结金属层的纳米焊膏大量流入基板的通孔中,由于通孔的存在使充分发挥烧结金属性能的同时也可以实现烧结金属层中的纳米焊膏的低温烧结。
  • 一种纳米金属低温烧结结构及其制备方法
  • [发明专利]一种芯片封装结构及其制备方法-CN202211560121.2在审
  • 周云燕;侯峰泽;王启东;李君 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2022-12-06 - 2023-03-03 - H01L23/367
  • 本发明提供一种芯片封装结构及其制备方法,其中芯片封装结构包括:散热结构,散热结构中具有贯通容置腔,散热结构包括沿着贯通容置腔的中心轴方向上依次连接的第一层散热部至第N层散热部,任意的第n层散热部呈环状结构;第k层散热部环绕的容置腔的开口大于第k-1层散热部环绕的容置腔的开口;第k层散热部与第k-1层散热部之间形成第k-1台阶;第一芯片模组至第N芯片模组,第一芯片模组位于第一层散热部环绕的容置腔中;任意的第k芯片模组位于第k层散热部环绕的容置腔中且与第k-1台阶相对设置;第k芯片模组与第k-1芯片模组电连接,第一芯片模组和第二芯片模组相对的区域固定连接。芯片封装结构的可靠性和散热效果好。
  • 一种芯片封装结构及其制备方法
  • [发明专利]功率芯片的过流保护电路及芯片-CN202210768356.4在审
  • 尤祥安;丁飞;侯峰泽;王启东;方志丹 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-07-01 - 2022-11-01 - H02H3/08
  • 本申请提出一种功率芯片的过流保护电路及芯片,该过流保护电路包括:接口模块,用于分别连接功率芯片和功率芯片连接的印刷电路板;过流检测模块,用于检测功率芯片的工作电流,并在工作电流大于或等于预设阈值时输出第一控制信号;断路保持模块,与过流检测模块连接,接收到第一控制信号后导通,且在接口模块上电的情况下持续导通,并输出驱动电流;驱动电路,与断路保持模块连接,且接地设置,并在驱动电流的作用下输出第二控制信号;断路开关,分别与驱动电路和接口模块连接,在第二控制信号的作用下断开,以切断功率芯片的工作电路。本申请可避免埋入式功率芯片在内部控制和保护功能失效后,造成封装结构或母板高温碳化和烧毁的现象产生。
  • 功率芯片保护电路
  • [发明专利]一种金属绝缘基板铜线结构及其制备方法-CN202210173511.8在审
  • 尤祥安;侯峰泽;丁飞;方志丹;王启东 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-02-24 - 2022-06-14 - H01L23/498
  • 本发明公开了一种金属绝缘基板铜线结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,用于提供一种具有具有圆弧边缘和圆弧角的铜线层的金属绝缘基板铜线结构的技术方案。金属绝缘基板厚铜线路结构包括:金属板层、形成在金属板层上的绝缘层,以及形成在绝缘层上的铜线层;其中,铜线层由电火花工艺对铜板层进行处理形成,铜线层具有圆弧边缘和圆弧角。金属绝缘基板铜线结构的制备方法包括以下步骤:提供金属板层,绝缘层以及铜板层层叠形成的第一叠层结构;利用电火花工艺对铜板层的非图形区域进行减薄处理,以将非图像区域的铜板层减薄至第二预设厚度;去除铜板层的非图形区域在电火花工艺中形成的硬化层,得到铜线层;其中,铜线层具有圆弧边缘和圆弧角。
  • 一种金属绝缘铜线结构及其制备方法

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