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[发明专利]一种硅基扇出型晶圆级封装方法及封装结构-CN202111603506.8在审
发明人： 顾峰光;张鹏;郁澄宇;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基扇出型晶圆级封装方法及封装结构，属于集成电路封装领域。提供硅基，在其正面依次成型trench槽、大空腔；研磨硅基的背面使大空腔形成贯通槽；将硅基、埋入芯片采用facedown工艺依次通过临时键合胶固定在塑封载板上；采用塑封工艺将塑封料填充于埋入芯片、硅基空隙及trench槽；拆除塑封载板并清洗干净临时键合胶，形成重构晶圆；在晶圆正面依次制作钝化层、多层布线、阻焊层；在晶圆背面进行研磨减薄、激光打标；在晶圆正面制作微凸点，再将晶圆切成单颗封装芯片，完成封装。使用贯穿槽解决了现有贴片过程中因凹槽底部硅凸起带来的芯片crack或硅基破片问题；晶圆以硅为基体，能够改善流片过程中存在地翘曲、偏移问题，提高布线密度。
一种硅基扇出型晶圆级封装方法结构

[发明专利]一种三维扇出型晶圆级封装方法及封装结构-CN202111590876.2在审
发明人： 顾峰光;郁澄宇;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开一种三维扇出型晶圆级封装方法及封装结构，属于集成电路封装领域。首先IC晶圆需经过种子层的沉积、电镀工艺形成芯片铜柱凸块，再分割成单颗裸芯片；采用face up工艺装载、粘合于圆片预设计位置；多层芯片间通过机械切割、多重布线、铜柱凸块、塑封及研磨工艺实现Z轴方向的引线互联；最后再进行多重布线及凸点制程等，完成三维扇出型封装。本发明通过多重布线和机械切割方式实现Z轴方向的引线互联；工艺技术简单、流程短、制备成本低，适宜大规模量产。
一种三维扇出型晶圆级封装方法结构

[发明专利]一种可六面散热的微流道封装结构及其制作方法-CN202111572199.1在审
发明人：张鹏;耿雪其;顾峰光;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开一种可六面散热的微流道封装结构及其制作方法，属于集成电路封装领域，包括通过键合工艺组装的微流道盖板、二维异构集成结构单元和基板；微流道盖板包括第一微流道结构单元和第二微流道结构单元，第一微流道结构单元和第二微流道结构单元上均制作有微流体出入口；二维异构集成结构单元包括转接通孔、凹槽和微流道结构，凹槽中埋有功能芯片，微流道结构分布于功能芯片的侧壁和底部，转接通孔中填充有电镀铜，通过再布线层与功能芯片实现信号互联；基板中设有微流体进液口和微流体出液口。本发明通过在芯片周边集成微流道结构，实现三维封装系统在芯片级的多维度、大面积的主动散热，有效地提升三维封装系统的芯片散热能力。
一种可六面散热微流道封装结构及其制作方法