“有机气相沉积法专利”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2988661个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]有机金属化学气相沉积设备-CN202210354709.6在审
发明人：朱锦新;龙俞伊;柴宝华;薛松龄;杜开文;毕可明;冯波;韩冶;王泽鸣;张亚坤;阎鑫;闫傲 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：一种有机金属化学气相沉积设备，该有机金属化学气相沉积设备包括：反应壳体，其用于形成发生有机金属化学气相沉积的反应腔；喷淋组件，其设置在反应腔的上部，与气体源流体连通并用于进行气体的喷淋；支承座，其用于支承基片根据本发明的有机金属化学气相沉积设备采用了具有高度均温性的平板热管加热装置，能够将平板热管加热装置的加热表面的温差控制在0.1℃以内，由此能够有利地确保对基片的均匀加热，使得基片的局部温差极小，同时能够非常快速地控制基片的升温或降温，为基片上的有机金属晶体生长提供了温度保障。
有机金属化学沉积设备

[发明专利]一种二硫化钼纳米薄片的制备方法-CN201810417992.6在审
发明人：江峰;闫鹏飞 -专利权人：张家港钛光新材料科技有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种二硫化钼纳米薄片的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法；其中，化学气相沉积法中采用高低双温区加热方法；所述化学气相沉积法的原料包括钼源和硫源；所述钼源的位置位于所述硫源的下风向，衬底的位置位于所述钼源的下风向
衬底二硫化钼化学气相沉积钼源生长纳米薄片纳米柱下风向硫源制备可重复性双温区加热加压耗时垂直申请

[发明专利]多发色玻璃容器及其制造方法-CN200580002247.6有效
发明人：伏见邦博;宇惠英次 -专利权人：兴亚硝子株式会社
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：在所述多发色玻璃容器的玻璃容器的外面和内面或它们中的任何一方的表面上用气相沉积法或溅射法直接或间接地形成交替地含有例如折射率的不同为0.1或更大的2种气相沉积膜的多层膜。(1)准备玻璃容器的工序，(2)用气相沉积法或溅射法在玻璃容器的外面和内面或它们中的任何一方的表面上形成包含折射率不同的多个气相沉积膜的多层膜的工序。
多发玻璃容器及其制造方法

[发明专利]在液晶显示器的基板上形成排列层的方法-CN200710165733.0有效
发明人：王协友 -专利权人：王协友;协立光电股份有限公司
申请日： 2007-11-06 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：的基板上形成排列层的方法，其中该基板被放置于真空室并且经过净化步骤，该净化步骤加热该基板且从真空室中移除水蒸气，特别的是重复多次地将该真空室排空至低压状态，并将已预热的惰性气体填充至真空室，该排列层接着以气相沉积法沉积，等离子体辅助气相沉积法亦可选择性地用于沉积该排列层，再者，等离子体清洁法可在沉积该排列层前清洁该基板。
液晶显示器基板上形成排列方法

[发明专利]一种二维层状-非层状范德华异质结构及制备方法、应用-CN202210798016.6在审
发明人：何军;尹蕾;程瑞清;姜健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供的二维层状‑非层状范德华异质结构的制备方法包括以下步骤：采用机械剥离法或气相沉积法在基底上制备层状二硫化钼纳米片；采用气相沉积法在云母衬底上制备非层状硒化铅纳米片；在所述云母衬底上悬涂聚甲基丙烯酸甲酯并加热，形成聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜；移去云母衬底，则硒化铅纳米片粘附在聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜上；将硒化铅纳米片放置在二硫化钼纳米片上，利用有机溶剂溶解聚甲基丙烯酸甲酯支撑薄膜，即得到二维层状‑非层状范德华异质结构
一种二维层状范德华异质结构制备方法应用

[发明专利]一种低温化学气相沉积生长单层石墨烯薄膜的方法-CN201510167967.3无效
发明人：陈林锋;孔知之 -专利权人：武汉大学
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温化学气相沉积生长单层石墨烯薄膜的方法，属于二维薄膜材料制备技术领域。其制法为：1）制备合金基底；（2）对合金基底进行平整化处理；（3）在保护性气氛下，对合金基底进行退火处理；（4）采用化学气相沉积法沉积石墨烯，冷却至室温，即得生长有单层石墨烯薄膜的合金基底，所述化学气相沉积法的条件为：温度为200-800℃，时间为5-180min，碳源为气相碳源、液相碳源或固相碳源。
一种低温化学沉积生长单层石墨薄膜方法

[发明专利]化学气相沉积法涂层装置-CN201110246181.2有效
发明人：朴万成;黄宇哲;李成哲;金哲男;金上万;李权星;王宏刚 -专利权人：沈阳金研机床工具有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明创造涉及化学气相沉积法涂层装置。采用的技术方案是：包括反应炉，反应炉内设有支撑筒，支撑筒上端设有排气帽，反应炉和支撑筒之间为尾气通道，支撑筒内从上到下依次为沉积区、气体分配区和预热区；沉积区内：设有若干托盘），托盘上设有若干通气孔Ⅰ；
化学沉积涂层装置

[发明专利]磁场辅助化学气相沉积法-CN200610114717.4无效
发明人：刘云圻;魏大程;曹灵超;付磊;李祥龙;王钰;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明一种磁场辅助化学气相沉积法，涉及纳米材料的制备技术，用以制备分支型及填充型纳米材料；其是在公知的化学气相沉积过程中，通过引入外加磁场的方法使催化剂粒子合并或分裂，来制备分支型或填充型的纳米材料。
磁场辅助化学沉积

[实用新型]化学气相沉积法涂层装置-CN201120312655.4有效
发明人：朴万成;黄宇哲;李成哲;金哲男;金上万;李权星;王宏刚 -专利权人：沈阳金研机床工具有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型创造涉及化学气相沉积法涂层装置。采用的技术方案是：包括反应炉，反应炉内设有支撑筒，支撑筒上端设有排气帽，反应炉和支撑筒之间为尾气通道，支撑筒内从上到下依次为沉积区、气体分配区和预热区；沉积区内：设有若干托盘），托盘上设有若干通气孔Ⅰ；
化学沉积涂层装置

[发明专利]一种基于化学气相沉积的半导体复合材料的制备方法-CN201910730634.5在审
发明人：吴亿;相倩;李凡;陈文龙;马艳玲;施枫磊;邬剑波;邓涛;陶鹏;宋成轶;尚文 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于化学气相沉积的半导体复合材料的制备方法，在化学气相沉积反应室内，采用半导体合成原料以化学气相沉积法在基底上沉积半导体材料，得到半导体材料与基底之间具有耦合界面的目的产物。与现有技术相比，本发明利用化学气相沉积制备出具有特定耦合界面的金属半导体复合物，该材料既具备了基底金属材料的优异电导性能和表面结构性质，同时又因其特殊的耦合界面，使得材料的电催化性能进一步提高。
化学气相沉积基底耦合制备半导体复合材料沉积半导体材料半导体材料表面结构性质电催化性能金属半导体金属材料合成原料耦合界面复合物电导半导体室内

[实用新型]覆盖CVD金刚石涂层的钻探用金刚石复合片-CN200820233781.9有效
发明人：陈继锋 -专利权人：陈继锋
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： E21B10/46 文献下载
摘要：该新材料是采用在常规金刚石复合片的表面用化学气相沉积的办法沉积一层金刚石薄膜，而得到的新型金刚石复合片。在PDC片1的PCD表面2沉积覆盖一层0.01-2mm厚的CVD金刚石膜3。本专利采用微波等离子体、直流辉光放电等离子体、等离子体喷射、热丝法、弧光放电、多激光束辅助分解等等化学气相沉积方法，将含碳气体或液体分解，在经过处理的PCD表面沉积一层0.01-2mm厚的CVD金刚石膜
覆盖 cvd 金刚石涂层钻探复合

[发明专利]再生石墨材料及其制备方法-CN202010171155.7有效
发明人：钟泽钦;万远鑫;孔令涌;任望保;朱成奔 -专利权人：深圳市德方纳米科技股份有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C01B32/21 文献下载
摘要：本发明再生石墨材料的制备方法是通过将锂离子电池负极回料经酸浸、水洗、加热处理，得到粉末I与碳源混合处理，使碳源包覆于粉末I表面，得到粉末II，再通过化学气相沉积法使有机碳源包覆于粉末II表面，得到再生石墨材料本发明再生石墨材料的制备方法通过酸浸、水洗和加热处理，将负极回料中大部分影响首次效率和电容量的物质除去，再经二次碳包覆，且第二次碳包覆是通过化学气相沉积法进行，使所得再生石墨材料具有均匀致密且完整的界面
再生石墨材料及其制备方法

[发明专利]多组分沉积-CN200510069697.9无效
发明人： A·V·马克霍特金;I·S·马拉申科;I·V·贝洛索夫 -专利权人：联合工艺公司
申请日： 2005-05-08 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：物理气相沉积被一种或多种有机金属化合物的化学气相沉积加强以沉积多组分材料。所述有机金属化合物可以是羰基化合物。本工艺可被用以在超合金涡轮机部件上沉积涂层和修复材料。
组分沉积

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法-CN201510559574.7有效
发明人：张少伟;刘世锋;陈明;李晨露;李咏梅;石春梅 -专利权人：陕西天宏硅材料有限责任公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供一种等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法，针对等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)产生的达不到生产指标要求的单晶硅片进行二次制绒及返工处理，以达到提高整线的良率，降低生产成本，
等离子体增强化学沉积产生不合格单晶硅处理方法

[发明专利]一种氮化物材料外延装置-CN200710118634.7无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-07-11 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明一种氮化物材料外延装置，其特征在于，包括：一金属有机源化学气相沉积系统，该系统具有独立的金属有机源管路和气体源管路；一金属卤化物独立供应源，该金属卤化物独立供应源通过阀门和管路与金属有机源化学气相沉积系统的金属有机源管路直接相连
一种氮化物材料外延装置

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top