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[发明专利]一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件-CN202210089673.3在审
发明人：李彬;李志华;谢玲;杨妍;李东浩;唐波;张鹏;刘若男 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件，涉及光器件技术领域，用于提供一种采用低压化学气相淀积法与等离子体增强化学气相沉积相结合的方式有效提升光纤与光芯片的耦合效率的技术方案。形成在包层中的光栅耦合器；其中，光栅耦合器包括自下而上间隔设置的第一氮化硅光栅耦合层和第二氮化硅光栅耦合层，第一氮化硅光栅耦合层与第二氮化硅光栅耦合层之间形成有包层；其中，第一氮化硅光栅耦合层采用低压化学气相淀积法形成，第二氮化硅光栅耦合层采用等离子体增强化学气相沉积法形成。
一种氮化光栅耦合器及其制备方法器件

[发明专利]纯钨或钼薄壁器件的制备方法-CN201210019137.2无效
发明人：李一;柳学全;周武平;李金普;李楠;霍静;熊宁;石文 -专利权人：中国钢研科技集团有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：工艺步骤为：以紫铜材质制作所需器件的模板，其表面粗糙度Ra低于6.3并保持表面清洁干燥；将模板放入气相沉积室内，以六羰基钨或六羰基钼为反应有机源，高纯氢气或氮气为稀释气，在沉积室压力500～10000Pa、沉积温度280～420℃条件下在模板上进行热解离气相沉积，沉积过程中根据沉积壁厚要求每沉积2～4小时进行一次退火。沉积完成后，关闭有机源阀门，继续通入稀释气保持器件降至室温。将模板表面沉积钨或钼的器件采用硝酸腐蚀去除紫铜模板基体，得到壁厚0.1～3mm的纯钨或钼薄壁器件。优点在于，沉积温度低，沉积速度快，沉积膜纯度高，膜层致密，膜表面的光洁度好，加工流程短，无污染，无腐蚀。
薄壁器件制备方法

[发明专利]硼纳米线的制备方法-CN200810101787.5有效
发明人：高鸿钧;刘飞;申承民;鲍丽宏;惠超 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备硼纳米线的方法，该方法将以硼粉、氧化硼和碳粉一起作为源材料，Fe₃O₄、Au或Fe纳米粒子作为催化剂，利用化学气相沉积CVD法合成硼纳米线，包括(a)将催化剂沉积在衬底上；(b)在保护气体的气氛下，在900-1200℃的温度将源材料和沉积了催化剂的衬底一起加热，通过化学气相沉积形成硼纳米线。
纳米制备方法

[发明专利]一种有机金属化合物伴生物的收集装置及气相沉积系统-CN201610073029.1有效
发明人：林桂荣;邢志刚;徐春阳 -专利权人：中晟光电设备（上海）股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机金属化合物伴生物的收集装置及气相沉积系统，涉及气相沉积技术领域。该收集装置包括外壳，所述外壳的两端设有气体进口和气体出口，所述外壳内壁上分层固定有多个挡板，所述挡板与进气方向夹角小于180°，每个挡板上均设有开口，不同挡板之间的间隙以及挡板上的开口构成流动通道，所述流动通道的截面面积沿气体的流动方向逐渐增大本发明提出的有机金属化合物伴生物的收集装置及气相沉积系统，能够沉积不同的伴生物，减少后续滤芯的负担，延长滤芯的使用寿命，且该收集装置能够重复利用，节约成本。
一种有机金属化合物伴生收集装置沉积系统

[发明专利]一种碳纳米管的制备方法-CN201410140424.8在审
发明人：李培成;陈章华 -专利权人：江苏天泽纳米科技有限公司
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管的制备方法，其特征在于包括以下几种制备方法：催化裂解法、化学气相沉积法、模板法、水热法、凝聚相电解生成法。
一种纳米制备方法

[发明专利]聚合物膜层及其制备方法和LED产品-CN202110895813.1在审
发明人：宗坚 -专利权人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：该聚合物膜层用于在LED基材表面形成，其中该聚合物膜层是以由丙烯酸酯类单体、含氟烯烃类单体、有机硅类单体、环氧类单体和含芳环有机物类单体组成的单体组中的一种或多种作为反应原料，通过等离子体增强化学气相沉积法在该
聚合物及其制备方法 led 产品

[发明专利]膦亚胺－Cp载体催化剂-CN98115968.0有效
发明人： D·W·斯特范;J·C·斯特瓦特;D·G·哈里森 -专利权人：诺瓦化学品(国际)股份有限公司
申请日： 1998-07-09 - 公布日： 1999-01-27 - 主分类号： C08F10/00 文献下载
摘要：一种特别适用于所谓“淤浆”或“气相”法烯烃聚合的催化剂组分,它含有4族金属的有机金属配合物(带有环戊二烯基型配位体和膦亚胺配合体)和颗粒载体。在优选的实施方案中,有机金属配合物和活化剂都沉积在颗粒载体上。
亚胺 cp 载体催化剂

[发明专利]耐磨涂层、包含该耐磨涂层的产品以及涂覆该耐磨涂层的方法-CN201180058513.2有效
发明人： D·A·史密斯;J·B·马特拉泽;P·H·西尔维斯;G·A·贝伦;M·E·辛吉斯 -专利权人：西尔科特克公司
申请日： 2011-10-05 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐磨涂层，其包含经过三官能有机硅烷处理的涂层。本发明还公开了一种产品，所述产品表面涂覆了该耐磨涂层。本发明还公开了涂覆该耐磨涂层的方法。在一些实施例中，有机硅烷为三甲基硅烷；涂覆耐磨涂层的方法为化学气相沉积法，随后在存在三甲基硅烷的条件下进行耐磨涂层的热处理。
耐磨涂层包含产品以及方法

[发明专利]薄膜封装方法及薄膜封装结构、显示装置-CN201510104413.9有效
发明人：孙雯雯 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：所述薄膜封装方法，包括：1)将待封装器件置于等离子体增强化学气相沉积装置中，设置掩膜板以控制封装区域，遮蔽无需封装的区域；2)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的气体，沉积无机硅材料膜层；3)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的N2，在所述无机硅材料膜层上利用与无机硅材料发生化学反应的有机材料沉积有机硅烷膜层。
薄膜封装方法结构显示装置

[发明专利]一种高效制备高纯砷化铝的方法-CN201711168246.X在审
发明人：陈迁;张丽梅;李畅;黄文伟 -专利权人：红河砷业有限责任公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：一种高效制备高纯砷化铝的方法，采用气相沉积法，在氩气保护下分别将三氯化铝和三氯化砷在挥发室中加热挥发成蒸汽，通过喷嘴喷入反应室反应，气相沉积生成砷化铝晶体。
一种高效制备高纯砷化铝方法

[外观设计]热丝化学气相沉积设备-CN202030259525.3有效
发明人：刘鲁生;姜辛;黄楠 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：热丝化学气相沉积设备。2.本外观设计产品的用途：用于热丝化学气相沉积法生长金刚石薄膜。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
化学沉积设备

[发明专利]一种复合原子氧防护涂层的制备方法-CN201610779448.7在审
发明人：赵琳;李中华;杨生胜;马亚莉 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明的特点在于采用液相化学制膜法制备PHPS过渡层，然后再采用化学气相沉积技术制备硅氧烷原子氧防护涂层，将液相化学制膜法和化学气相沉积法结合起来，制备出的复合原子氧防护涂层结合力大大提高，涂层中没有贯通性缺陷
一种复合原子防护涂层制备方法

[发明专利]固态金属有机化合物转态方法及其转态系统-CN202010787184.6在审
发明人：吕宝源 -专利权人：吕宝源
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明揭露一种固态金属有机化合物转态方法及其转态系统，其方法应用具有反应腔的有机金属化学气相沉积设备(MOCVD)，包含(a)提供预先填充金属有机化合物的可替换式容器；(b)加热固态金属有机化合物为液态金属有机化合物；(c)载入第一载气；(d)第一载气通过流经可替换式容器中的金属有机化合物；(e)输出饱和蒸气压；(f)加载来自于有机金属化学气相沉积设备的第二载气；以及(g)稳定模块混合第二载气与第一载气带出的金属有机的饱和蒸气压以形成混合气体，混合气体不会发生冷凝现象且输出至反应腔的金属有机化合物数量保持不变。
固态金属有机化合物方法及其系统

[发明专利]利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法-CN02141383.5有效
发明人：林辉巨 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2002-07-09 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法，于一等离子体化学气相沉积腔体中，以等离子体辅助化学反应，在基板上形成薄膜。然后，在取出基板后将清洁气体导入腔体中，以去除腔体内的附着物。随后，在下一批基板置入腔体前施行一预沉积制作工艺，以隔绝清洁过程的污染物。然后，施行一放电等离子体制作工艺，以降低预沉积薄膜表面累积电荷的数量。
利用等离子体化学沉积薄膜方法

[发明专利]掺氮石墨烯的制备方法-CN201110204957.4有效
发明人：周明杰;袁新生;王要兵 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用化学气相沉积法制备掺氮石墨烯的方法，包括步骤有：提供耐高温的衬底、固态和/或液态的有机碳源化合物；将有机碳源化合物配制成溶液或悬浊液；将含有机碳源化合物的溶液或悬浊液涂覆在衬底表面；在无氧环境、真空条件下，将涂覆有含有机碳源化合物的溶液或悬浊液的衬底升温至500～1300℃，再通入气态的氮源化合物进行反应，得到掺氮石墨烯。本发明掺氮石墨烯的制备方法将固态和/或液态的有机碳源化合物配制成溶液或悬浊液，并直接涂覆在衬底的表面，使有机碳源化合物和通入气态的氮源化合物直接反应，不需要另外添加催化剂，有效简化了掺氮石墨烯的生产工艺，降低了生产成本，同时，采用化学气相沉积法合成的掺氮石墨烯，使得掺氮石墨烯中掺氮量易控制、掺杂均匀，电化学稳定性能高。
石墨制备方法