“有机气相沉积法专利”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2988661个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法-CN201810404071.6在审
发明人：王帅;郭巍;池凯 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明属于石墨烯合成技术领域，具体涉及化学气相沉积法合成单层大尺寸单晶石墨烯材料的方法。向化学气相沉积系统中通入预先配置好的标准混合气体，所述标准混合气体为高纯甲烷、高纯氢气和高纯氩气的混合气，在铜箔表面进行化学气相沉积生长获得大尺寸单晶石墨烯；其中甲烷作为石墨烯生长的碳源，所述铜箔作为石墨烯的生长催化基底本发明通过改变化学气相沉积系统混合气体的供气方式，从而提高反应混合气的纯度，最终达到高重复率快速制备大尺寸单晶石墨烯的目的。
石墨烯大尺寸单晶化学气相沉积系统标准混合气体化学气相沉积快速制备反应混合气石墨烯材料高纯甲烷高纯氢气高纯氩气供气方式合成技术混合气体生长催化铜箔表面预先配置高重复混合气生长甲烷单层基底铜箔合成

[发明专利]一种硅碳负极材料及其制备方法和应用-CN202211686205.0在审
发明人：陈厚富;胡亮;彭天权;俞有康;章镇;谭桂明 -专利权人：赣州立探新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅碳负极材料的制备方法，包括以下步骤：采用化学气相沉积法，将金属化合物进行第一碳包覆，得到多孔碳基质前驱体；所述金属化合物包括氧化钾、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氧化锌、碳酸钠、碳酸镁和碳酸钙中的一种或多种；将所述多孔碳基质前驱体进行酸洗，得到多孔碳基质；采用化学气相沉积法，将所述多孔碳基质进行硅沉积，得到硅碳前驱体；采用有机碳源裂解的方式，将所述硅碳前驱体进行第二碳包覆，得到所述硅碳负极材料。
一种负极材料及其制备方法应用

[发明专利]含软金属的高粘结强度硬质涂层-CN202180009454.3在审
发明人：马丁·达比克;诺拉·曼尼宁;康耐特·阿克格茨·多罗金 -专利权人：欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种用于在物理气相沉积过程中将软金属加入硬质涂层中的方法。该法包括以下步骤：提供基材；在该基材上沉积粘结层；并且利用气相沉积该粘结层上沉积该硬质涂层，其中，该软金属在该硬质涂层中形成孤岛。
金属粘结强度硬质涂层

[发明专利]沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法-CN200410042096.4无效
发明人：铃木正康;猿渡哲也 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2004-04-30 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法，在通过表面波等离子体化学气相沉积(SWP－CVD)法沉积薄膜的薄膜沉积设备中，对上面放置有基底(9)的基底支架(8)配置冷却装置，由此防止在薄膜沉积期间可能引起的基底
沉积用于有机电致发光保护薄膜设备方法

[发明专利]一种玻璃面板镀膜层及其制备方法-CN201610447128.1在审
发明人：裴艳丽;林家勇;刘佳慧;吴土祥 -专利权人：中山大学;深圳业际光电有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开一种玻璃面板表面有机金属气相化学沉积（MOCVD）高硬镀膜技术。其特征在于：在玻璃面板表面采用MOCVD技术，高速沉积微纳晶氧化铝薄膜，生长温度300‑600度。本发明的优点：制备的氧化铝薄膜具有高硬度，大大提高玻璃面板的耐刮划性能，本发明专利将提高移动终端，平板显示等电子设备屏幕的耐磨特性，有望获得广泛应用。
一种玻璃面板镀膜及其制备方法

[发明专利]一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法-CN202110662034.7有效
发明人：杨尚洁;杨永峰;张万垚;李林;折宇;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛钨层上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜；在硬掩膜上完成电阻图形的制备；对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层进行去除；对铬硅电阻层进行干法预刻蚀；使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层进行腐蚀，得到铬硅系薄膜电阻
一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法

[发明专利]一种化学气相沉积改性石墨的制备方法-CN201910470395.4在审
发明人：刁金香 -专利权人：西安航空职业技术学院
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C01B32/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积改性石墨的制备方法，以乙醇为碳源，以Ni作为催化剂，催化剂担载量为1wt％、2wt％、3wt％、4wt％和4.5wt％，以石墨为基底，通过化学气相沉积法对石墨进行改性。本发明采用超声波辅助，冷冻干燥和化学气相沉积法实现在石墨的表面上原位的生长多壁碳纳米管，所得碳纳米管的尺寸均一，最佳的管径在20～30nm。改性后的石墨电池容量与未改性的相比较电池容量增加了149mAg^‑1，利用低担载量Ni催化剂，减少贵金属浪费、降低成本；超声辅助冷冻干燥法担载的催化剂分散较为均匀、比表面积增加，改变了石墨表面的微观结构，制备得到的化学气相沉积改性改性石墨作为电极材料提高了电池的电性能。
化学气相沉积石墨制备催化剂改性石墨担载量改性多壁碳纳米管超声波辅助冷冻干燥法贵金属超声辅助尺寸均一电池容量电极材料改性改性石墨表面石墨电池碳纳米管微观结构电性能未改性乙醇担载管径基底电池生长

[发明专利]CMOS的形成方法-CN202310631394.X在审
发明人：王乐平 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：CMOS的形成方法，包括：提供衬底，分别形成位于衬底上的栅极和侧墙、位于栅极的两侧的源端和漏端以及分别位于源端、漏端和栅极的表面的钴金属层；进行热退火工艺，钴和硅进行第一次反应；去除未反应的钴；通过常压化学气相沉积法的方法形成覆盖侧墙和钴金属层的第一氧化层；通过低压化学气相沉积法的方法在第一氧化层表面形成氮化层；通过常压化学气相沉积法的方法在氮化层的表面形成第二氧化层；在第二氧化层表面形成硼磷硅玻璃层；对硼磷硅玻璃层进行平坦化工艺处理，平坦化工艺包括热退火本发明减少了等离子体化学气相沉积流程，减少了等离子损坏的几率。
cmos 形成方法

[发明专利]一种超疏水纸及其制备方法-CN201710816908.3有效
发明人：陈庆;司文彬 -专利权人：邱禹
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： D21H25/02 文献下载
摘要：本发明涉及功能纸技术领域，特别是涉及一种超疏水纸及其制备方法，所述超疏水纸的制备方法，包括以下步骤：（1）对纸张进行羟基化改性；（2）采用等离子刻蚀法对纸张进行刻蚀；（3）以Ar为气源对纸张进行等离子体预处理；（4）采用等离子体化学气相沉积法在纸张表面沉积超疏水薄膜。本发明采用等离子刻蚀法对纸张进行刻蚀能够在纸张表面上制备微结构，增加纸张的比表面积，使纸张的粗糙增加，使纸张得表面难以被水浸润，有利于提高接触角，进行氟改性,通过等离子体化学气相沉积法在纸张表面沉积含氟的超疏水薄膜
一种疏水及其制备方法

[发明专利]用于生产烷基铟化合物的方法及其用途-CN201480046319.6有效
发明人： J·桑德梅尔;A·福雷;W·绍恩;D·格罗塞-哈根布鲁克;R·卡驰;A·里瓦斯纳斯;E·沃恩内尔;A·多皮优 -专利权人：优美科股份公司及两合公司
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：可获得的这些含铟前体因为其高纯度而特别适合于金属‑有机化学气相沉积法(MOCVD)或金属‑有机气相外延法(MOVPE)。根据本发明的新颖方法由于改善的工艺方案，尤其是一种快速的工艺操作而引起关注。
用于生产烷基化合物方法及其用途

[发明专利]一种粉末催化材料、纳米带催化材料、复合多孔催化材料的制备及应用-CN201711098385.X有效
发明人：栾景飞;沈栎 -专利权人：南京大学（苏州）高新技术研究院
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉末催化剂，由GdSnWSbO9组成，粉末催化材料的粒径为0.15μm‑0.30μm；能够光催化降解水中有机污染物对氯苯胺、甲基橙和十溴二苯醚。同时公开了一种粉末催化材料的制备方法包括高温固相烧结法、直接沉淀法和化学气相冷凝沉积法。本发明还公开了一种复合纳米催化材料的制备方法，制备得到了GdSnWSbO9‑钠基蒙脱石复合纳米催化材料，可以用于光催化去除水中有机污染物对氯苯胺、甲基橙和十溴二苯醚
一种粉末催化材料纳米复合多孔制备应用

[发明专利]一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法-CN200710177814.2无效
发明人：于贵;狄重安;魏大程;刘云圻;郭云龙;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法。本发明的电极结构有机场效应晶体管，包括栅极电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极，其中，源电极和漏电极是本发明的图案化石墨烯电极。本发明制备图案化石墨烯电极的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积金属薄膜，并将所述金属薄膜图案化；2)将沉积有图案化金属薄膜的衬底置于化学气相沉积系统中，在图案化金属电极材料表面上化学气相沉积石墨烯，得到图案化石墨烯电极；其中，化学气相沉积所用的碳源为甲醇、乙醇、丙醇、戊醇、苯、甲苯、二甲苯和甲烷等。
一种有机场效应晶体管及其专用漏电制备方法

[发明专利]一种In₂Se₃纳米材料的制备方法-CN201010599420.8无效
发明人：孙旭辉;李洋 -专利权人：苏州大学
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种In2Se3纳米材料的制备方法，包括：将气相In2Se3用载气输送到含有催化剂的基体上，并在所述基体上沉积生长得到In2Se3纳米材料；所述催化剂为金颗粒、金膜或铟膜。本发明使用气相沉积法将气相In2Se3沉积在基体上，在催化剂的催化作用下生长成纳米棒或纳米线，而且控制载气的种类可以控制纳米线的晶相，在氩气、氮气或氦气中沉积生长可以制备主晶相为κ相的In2Se3纳米线，在氢气中沉积生长可以制备α相In2Se3纳米线，制备的纳米线晶相均一，直径均匀，提高了In2Se3纳米线和纳米棒的密度，使In2Se3纳米材料的性能更好。
一种 in sub se 纳米材料制备方法

[发明专利]基于碳纳米管和二氧化锰的杉木碳片的电极材料、制备方法和超级电容器-CN201910256257.6有效
发明人：罗勇锋;张森;吴陈灵;周璀;吴维;邓圆圆;王欣;李贤军;陈道勇 -专利权人：中南林业科技大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：基于碳纳米管和二氧化锰的杉木碳片电极材料，包括由碳化后的片状杉木片经过活化处理、化学气相沉积和电化学沉积得到；经过活化处理在碳化后的片状杉木片内形成有从上到下整齐顺直的管胞结构；化学气相沉积包括在CO2活化后的片状杉木片上化学气相沉积碳纳米管，使得在管胞结构的内壁生长有碳纳米管；电化学沉积包括在化学气相沉积后的片状杉木片上碳纳米管的周围电化学沉积有二氧化锰。本发明采用化学气相沉积法在杉木管胞内壁制备了碳纳米管，并在管胞内表面电化学沉积了MnO2，提高了器件的稳定性和循环性能。
基于纳米二氧化锰杉木电极材料制备方法超级电容器

[发明专利]在玻璃基板上生长微纳结构氧化锡掺氟薄膜的方法-CN201210075384.4有效
发明人：韩高荣;高倩;汪建勋;李铭;宋晨路;刘涌;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明公开了一种在玻璃基板上生长微纳结构氧化锡掺氟薄膜的方法，将经过清洗的玻璃基片放入气相沉积反应室；先驱体有机锡源和有机氟源用氮气作载气，催化剂H2O用空气做载气，分别在鼓泡器中气化后通入混气室；将得到的混合反应气通入镀膜反应器中输送到玻璃基板上，控制镀膜反应器喷气口与玻璃表面的距离为2～5毫米，有机气源中Sn:F质量比例为2:1-3:1，在玻璃基片表面沉积5-30s，冷却即可。本发明制备工艺简单，使用设备简单，对环境无污染，成本低廉，效率高，耗能低，适合浮法在线生产大面积透明导电膜；制得的呈微纳结构的氧化锡掺氟薄膜，具有更好的可见光透过率，中远红外反射率。
玻璃基板上生长结构氧化锡掺氟薄膜方法