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[发明专利]晶片涂布制作工艺-CN201910831370.2在审
发明人：陈有证;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片涂布制作工艺。首先，放置一晶片于支撑柱上，且晶片与位于晶片下方的一加热盘之间具有一间距，使晶片能以一第一温度涂布。接着，判定一目标晶片制作工艺温度与第一温度的差异，以改变晶片的一涂布温度，其中当目标晶片制作工艺温度大于第一温度时，直接加热加热盘至目标晶片制作工艺温度；当目标晶片制作工艺温度小于第一温度但大于一最低涂布温度时，仅增加晶片与加热盘之间的间距，其中最低涂布温度为在没有冷却加热盘且晶片与加热盘之间具有一最大间距时的温度；当目标晶片制作工艺温度小于最低涂布温度时，增加晶片与加热盘之间的间距且冷却加热盘。
晶片制作工艺

[实用新型]激光退火设备-CN202020145155.5有效
发明人：谢凯;王福金;黄凯斌;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开一种激光退火设备，包括卸载单元，用于将晶片导入与导出该激光退火设备；制作工艺单元，用于对该晶片进行激光退火制作工艺；传送单元，用于在该卸载单元与该制作工艺单元之间传送该晶片；一承载元件，设置在该制作工艺单元中，用于托持该晶片；影像提取单元，设置在该制作工艺单元中并且位于该承载元件的上方，用于提取该晶片的检测晶片图；制作工艺监控单元，连接至该影像提取单元，用于判定该晶片是否异常。
激光退火设备

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法-CN201210142613.X无效
发明人：雷海波;董颖 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法，包括：将器件晶片的两面定义为镜面、背面，对器件晶片的镜面进行绝缘双极型晶体制作常规的光刻、注入形成注入层，刻蚀出对准标注的沟槽，所述沟槽深度大于器件注入退火后所形成注入层深度；将处理晶片的两面定义为镜面、背面，对处理晶片的镜面进行表面氧化处理；将器件晶片、处理晶片的镜面进行硅硅键和；对器件晶片的背面进行减薄抛光至对准标注的沟槽露出为止；在器件晶片背面进行常规的晶片制作处理工艺，在器件晶片处理工艺完成后进行器件晶片背面贴膜；对处理晶片背面进行硅去除；将氧化膜去除。本发明绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法能降低绝缘栅双极型晶体管晶片制作时对设备硬件精度的要求。
一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法

[发明专利]半导体制作工艺-CN201710377577.8在审
发明人：魏国智;陈翁宜;李世伟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺，包括以下步骤。提供晶片，其中晶片具有正面与背面，且在晶片的正面上具有半导体元件。在晶片的正面上形成保护层，其中保护层覆盖半导体元件，且保护层的材料包括光致抗蚀剂材料。对保护层进行表面硬化处理制作工艺。对晶片的背面进行第一图案化制作工艺。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。
晶片半导体制作工艺制作工艺保护层半导体元件有效地晶背背面光致抗蚀剂材料表面硬化处理图案化覆盖

[发明专利]一种石英晶片腐蚀方法和系统-CN202211499571.5在审
发明人：睢建平;耿春;李霞;郑文强;刘小光;贾晓龙 -专利权人：北京无线电计量测试研究所
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种石英晶片腐蚀方法和系统，其中，该方法的步骤包括：对预置的石英晶片进行清洗；对清洗后的石英晶片依次进行预腐蚀和高基频腐蚀处理，获得成品晶片。本申请所述方案制作方式简单，制作时间短，在保证晶片频率质量的前提下，能够满足高频晶片的制作需求。
一种石英晶片腐蚀方法系统

[发明专利]电子标签封装及其制作方法-CN200910049730.X无效
发明人：杨军良;钟卫 -专利权人：上海赞润微电子科技有限公司
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种电子标签封装，其包括电子标签晶片、封装引脚以及放置电子标签晶片、封装引脚的基板，封装引脚与电子标签晶片之间电连接，并且，电子标签晶片、封装引脚、导线与基板一同被封装在封装填充体内。本发明另提供一种制作电子标签封装的制作方法，该方法包括如下步骤：制作晶圆盘，该晶圆盘上制作若干矩阵排列的电子标签晶片；切割晶圆盘，获得单独的电子标签晶片；提取电子标签晶片，将其直接放置在一基板上；制作封装引脚，并将该封装引脚放置在上述基板上；将封装引脚与电子标签晶片电连接；利用封装填充体灌封电子标签晶片、基板与封装引脚。
电子标签封装及其制作方法

[发明专利]一种蓝宝石衬底制作方法-CN202210023998.1在审
发明人：吴琼琼;张丙权;崔思远;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种蓝宝石衬底制作方法，一种蓝宝石衬底制作方法，方法包括：获取线切后清洗完成的晶片，并将线切后清洗完成的晶片进行退火前清洗，再对晶片进行退火处理；根据晶片规格数据，对退火处理后的晶片进行线切后分规处理，并对分规处理后的晶片进行筛选，得到筛选后的第一规格晶片；对第一规格晶片进行倒角，获得蓝宝石衬底。上述蓝宝石衬底制作方法，通过将线切割后的晶片，根据晶片规格数据进行检测，得到第一规格晶片，将第一规格晶片进行倒角，通过倒角后的晶片获得蓝宝石衬底，无需经过双面研磨，简化了制作工艺流程，解决了现有技术中多线切割后产品需要全部经过双面研磨后才可进行之后的生产工序
一种蓝宝石衬底制作方法

[发明专利]晶片非感光聚酰亚胺层制作方法-CN202210875036.9在审
发明人：刘希仕;姚振海;王绪根;朱联合;闻旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种晶片非感光聚酰亚胺层制作方法。所述晶片非感光聚酰亚胺层制作方法包括以下依次进行的步骤：在晶片上涂布非感光聚酰亚胺层；通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤；对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层；通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。本申请提供了的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，可以解决相关技术在制作非感光聚酰亚胺层时，聚酰亚胺溢流至加热板上，沾污该加热板，使得后续对其他晶片的软烘操作造成不利影响的问题。
晶片感光聚酰亚胺制作方法

[发明专利]晶片切割研磨制作方法-CN00133368.2无效
发明人：张仕育;陈锦德;蔡文达 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2000-11-27 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种晶片切割研磨制作方法，用以去除芯片因切割时所产生的裂缝。其制作方法包括：在晶片的背面粘贴第一贴带；沿芯片间的切割道进行一切割步骤；粘贴第二贴带于晶片的有源表面上后，去除第一贴带；接着，研磨晶片的背面，使晶片达一预定的厚度；最后再粘贴第三贴带于研磨后晶片背面后；去除第二贴带，完成晶片的切割研磨制作工艺。
晶片切割研磨制作方法

[发明专利]图案形成方法-CN201410319742.0在审
发明人：翁文毅;翁子文 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供晶片，晶片包括多个晶片内部管芯与多个晶片边缘管芯。在各晶片内部管芯上形成第一图案，且在各晶片边缘管芯上形成第二图案，其中第一图案的形成方法包括进行至少两次曝光制作工艺，第二图案的形成方法包括进行上述至少两次曝光制作工艺中的至少一次，且形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数
图案形成方法

[发明专利]使用图案化晶片几何测量的过程引发的非对称检测、量化及控制-CN201680032550.9有效
发明人：佩拉迪·悟卡达拉;J·K·辛哈;J（钟）·金 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：公开使用图案化晶片几何测量来检测、量化及控制过程引发的非对称图征的系统及方法。所述系统可包含几何测量工具，所述几何测量工具经配置以在晶片经历制作过程之前获得晶片的第一组晶片几何测量，且在所述制作过程之后获得所述晶片的第二组晶片几何测量。所述处理器可经配置以：基于所述第一组晶片几何测量及所述第二组晶片几何测量而计算几何变化映图；分析所述几何变化映图以检测由所述制作过程引发到晶片几何形状的非对称成分；及基于在所述晶片几何形状中检测到的所述非对称成分而估计由所述制作过程引发的非对称重叠误差
使用图案晶片几何测量过程引发对称检测量化控制

[发明专利]晶片清洗液及应用其的晶片加工方法-CN201410469017.1有效
发明人：吕志升;许嘉豪;黄礼勇;张鸿铭 -专利权人：长春石油化学股份有限公司
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C11D1/722 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片清洗液及应用其的晶片加工方法。该晶片清洗液，包括0.01wt％至30wt％的水溶性高分子、0.01wt％至10wt％的界面活性剂以及其余为水。本发明的晶片清洗液可适用于晶片切割制作工艺或晶片研磨制作工艺上，以移除残留在晶片表面上的杂质，提升晶片产品的表现。
晶片清洗应用加工方法

[发明专利]半导体器件失效分析样品制作方法及分析方法-CN201010532607.6无效
发明人：陈强;钟怡 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体器件失效分析样品的制作方法，本发明所提供的半导体器件失效分析样品的制作方法包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；去除晶片背面的封装覆层，直至暴露晶片焊垫；去除晶片焊垫；去除晶片背面的封装覆层，暴露引脚框架，不暴露晶片内的引线。采用本发明所提供的半导体器件失效分析样品制作方法和分析方法可以有效提高实效分析的效率，并且在暴露晶片背面的时候能够避免对晶片造成损伤。
半导体器件失效分析样品制作方法方法

[发明专利]在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构-CN201710830577.9有效
发明人：李洪涛 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开一种在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构，在晶片上制造对准标记的方法包括在晶片上图案化出网状的划线，其中所述划线定义出多个元件区域。对所述晶片进行第一注入制作工艺，以在所述划线内形成多个注入标记于所述晶片中。对所述晶片进行第二注入制作工艺，其中所述第二注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的位置为参考。
晶片制造对准标记方法以及结构

[发明专利]半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法-CN201880064409.6在审
发明人：西村雅史;田中宏知 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片的评价方法，该半导体晶片的评价方法包括：获取评价对象的半导体晶片的剖面像，上述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；制作仅在晶片厚度方向上放大了上述获取的剖面像的放大像；以及在上述制作的放大像中评价上述边界部的形状。
半导体晶片评价方法制造

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