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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体制作工艺-CN201710377577.8在审
发明人：魏国智;陈翁宜;李世伟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺，包括以下步骤。提供晶片，其中晶片具有正面与背面，且在晶片的正面上具有半导体元件。在晶片的正面上形成保护层，其中保护层覆盖半导体元件，且保护层的材料包括光致抗蚀剂材料。对保护层进行表面硬化处理制作工艺。对晶片的背面进行第一图案化制作工艺。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。
晶片半导体制作工艺制作工艺保护层半导体元件有效地晶背背面光致抗蚀剂材料表面硬化处理图案化覆盖

[发明专利]半导体制作工艺-CN201410225048.2在审
发明人：戴炘;廖玉梅;刘韦廷;彭文权 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺，包含有：提供一半导体基材，其上形成有一底层、一硬掩模层，设于该底层上，以及一核心层，设于该硬掩模层上；在该核心层上形成一光致抗蚀剂图案；进行一第一各向异性干蚀刻制作工艺，将该光致抗蚀剂图案转移至该核心层，形成一核心层图案；对该核心层图案进行一后清洗制作工艺；在该后清洗制作工艺之后，在该核心层图案上沉积一间隙壁层；进行一第二各向异性干蚀刻制作工艺，蚀刻该间隙壁层，在该核心层图案的侧壁上，形成一间隙壁图案；去除该核心层图案；以及进行一第三各向异性干蚀刻制作工艺，将该间隙壁图案转移至该硬掩模层。
半导体制作工艺

[发明专利]半导体制作工艺-CN201110293384.7在审
发明人：林建良;蔡世鸿;林俊贤;孙德霖;王韶韦;颜英伟;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺，其包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，形成至少一鳍状结构于基底上及一氧化层于鳍状结构以外的基底上。而后，进行一热处理制作工艺，以使至少部分鳍状结构的侧壁形成为一熔融层。
半导体制作工艺

[发明专利]半导体制作工艺-CN201610871615.0在审
发明人：韩广涛;陆阳;任远程;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子（张家港）有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体制作工艺，包括在注入n阱和p阱之前，在漂移区生长第一衬垫氧化层；在注入n阱和p阱的同时，将n阱和p阱打开区域的第一衬垫氧化层去掉；在去掉第一衬垫氧化层的区域生长第二衬垫氧化层，第二衬垫氧化层的厚度小于第一衬垫氧化层的厚度由于厚衬垫氧化层区形成的较长鸟嘴，可有效提高击穿电压，而薄的衬垫氧化层区形成的较短鸟嘴，不影响工艺中其他器件的特性。利用本发明提供的半导体制作工艺制作的LDMOS结构，在不增加工艺成本的前提下，能够保持较低的导通阻抗且具有较高的击穿电压。
半导体制作工艺

[发明专利]半导体制作工艺-CN201610871614.6在审
发明人：韩广涛;陆阳;任远程;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子（张家港）有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体制作工艺，包括以下步骤在场氧形成后，生长厚氧化层；在生长厚氧化层之后，利用n阱光刻板和p阱光刻板，分别进行n阱注入和p阱注入，并去掉厚氧化层；在去掉厚氧化层之后，生长栅氧，并在生长的栅氧上淀积多晶硅本发明利用形成的厚氧化层，可以降低靠近场氧的厚氧化层下方的硅中产生的电场，从而在不增加LDMOS的导通阻抗以及工艺制作成本的前提下，提高LDMOS的击穿电压。
半导体制作工艺

[发明专利]半导体制作工艺-CN202010626386.2在审
发明人：梁丝萍 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺，其包括第一供力步骤及第二供力步骤。第一供力步骤是对供应至晶片的晶片表面上的清洗液提供第一固定离心力。第二供力步骤是对供应至晶片表面上的清洗液提供第二固定离心力。
半导体制作工艺

[发明专利]半导体制作工艺-CN201811517666.9有效
发明人：车行远;姜宏奇;姜文萍;方彦程 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺，包括以下步骤：提供基底，基底包括主动区，在主动区中的基底上形成栅极，栅极与基底彼此隔离，在基底上形成阻挡层，阻挡层位于主动区中，在阻挡层与栅极之间具有间距，使用阻挡层作为掩模，对基底进行倾斜角离子注入制作工艺，而在栅极两侧的基底中形成口袋掺杂区。通过阻挡层与栅极之间的间距，来调整倾斜角离子注入制作工艺所形成的口袋掺杂区的掺杂浓度。
半导体制作工艺

[发明专利]半导体制作工艺-CN201310355946.5无效
发明人：童宇诚;廖晋毅 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺，其包含下述步骤：形成一第一栅极以及一第二栅极于一基底上。形成一第一应力层，覆盖第一栅极以及第二栅极。
半导体制作工艺

[发明专利]半导体制作工艺-CN200910161268.2无效
发明人：方俊杰;陈柏荣;郭聪敏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体制作工艺。提供基底，且基底上已形成有介电层。接着，于介电层中形成内连线结构，其中内连线结构的材料包括铜。于介电层上形成金属层，并图案化金属层，以形成焊垫。
半导体制作工艺

[实用新型]用于半导体制作工艺的输送装置-CN201320309738.7有效
发明人：朱贤明 -专利权人：朱贤明
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体制作工艺的输送装置，其包括一输送链带，及多个结合于输送链带上用以承载半导体的承载组件；该承载组件具有一用于接触半导体的承载部，承载部的表面设有一钛基镀膜层。本实用新型所提供的用于半导体制作工艺的输送装置，能够达到提升耐磨耗机械特性及延长使用寿命的功效。
用于半导体制作工艺输送装置

[发明专利]半导体制作工艺方法-CN201410634454.4在审
发明人：钟泽伟;周宗辉;赖郁元 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺，包括：首先提供一半导体基材，其上设有多个半导体元件。再于半导体基材上形成至少一介电层，在介电层中形成多个开口，显露出半导体元件，再于半导体基材上涂布一材料层，使材料层填入开口，再对材料层进行一曝光及显影制作工艺，去除部分材料层，显露出部分介电层的上表面，如此形成一材料图案，然后对材料图案进行一化学机械研磨制作工艺。
半导体制作工艺方法

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201110365347.2有效
发明人：林坤贤;林俊贤;黄信富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构包含有一基底、一介电层以及一含氟的金属层。介电层位于基底上。含氟的金属层位于介电层上。此外，本发明也提供一种半导体制作工艺，其可形成前述的半导体结构。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201210223143.X有效
发明人：刘志建;张家隆;陈哲明;李瑞珉;林育民 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构位于一基底的一凹槽中。半导体结构包含有一衬垫层、一富硅层以及一填充材料。衬垫层位于凹槽的表面。富硅层位于衬垫层上。填充材料位于富硅层上并填满凹槽。此外，本发明也提出一种半导体制作工艺用以形成前述的半导体结构。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201210217772.1有效
发明人：蔡旻錞;黄信富;许启茂;林进富;陈健豪;陈威宇;孙启原;谢雅雪;郑存闵 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构包含有一功函数金属层、一（功函数）金属氧化层以及一主电极。功函数金属层位于一基底上。（功函数）金属氧化层位于功函数金属层上。此外，本发明也提供一种半导体制作工艺，用以形成上述的半导体结构。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]半导体制作工艺的良率预测方法、系统与模型训练装置-CN202010927456.8在审
发明人：洪世芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺的良率预测方法、系统与模型训练装置。半导体制作工艺的良率预测方法包括以下步骤。建构半导体装置的一电路图网表的一电路路径与一集成电路版图的一对应关系。获得半导体装置于数个堆叠层的数个缺陷点。依据此些缺陷点，训练电路路径发生一故障的一识别模型。依据识别模型，识别一半导体半成品于各个堆叠层导致电路路径发生故障的一发生机率。依据发生机率，预测半导体半成品的良率。
半导体制作工艺预测方法系统模型训练装置

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