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[发明专利]热电晶圆夹盘-CN200610078191.9无效
发明人：林俞良;林进贤;黄见翎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-04-28 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明有关于一种热电晶圆夹盘。此热电晶圆夹盘包括用以承载晶圆的晶圆承载面；以及与晶圆承载面热接触的热电模组，其用以加热或冷却晶圆承载面及晶圆。
热电晶圆夹盘

[发明专利]一种SOI晶圆及制造方法-CN202210526183.5在审
发明人：蒋兴教;梁昕;郭晨浩;宋飞;张涛 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI晶圆及制造方法，该制造方法包括：提供第一硅晶圆和第二硅晶圆；分别在第一硅晶圆的键合面和第二硅晶圆的键合面形成键合面氧化层；分别对第一硅晶圆的键合面及第二硅晶圆的键合面进行等离子体注入；将等离子体注入后的第一硅晶圆的键合面与第二硅晶圆的键合面键合；键合后，对第一硅晶圆的非键合面进行第一次减薄；第一次减薄后，在第二硅晶圆的非键合面形成介质层。本发明在SOI晶圆的第二硅晶圆背面沉积一层介质层，可降低SOI晶圆的应力和弯曲度，并且该介质层是在第一硅晶圆与第二硅晶圆键合后且对第一硅晶圆第一次减薄后形成，有利于减少第一硅晶圆与第二硅晶圆键合面的键合空洞
一种 soi 制造方法

[发明专利]具有阻挡结构的存储器件及其制备方法-CN201911147935.1有效
发明人：王永庆;陈赫;董金文;王博;伍术;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种具有阻挡结构的存储器件及其制备方法，该方法包括：提供第一晶圆及第二晶圆，第一晶圆包括第一晶圆键合面，第一晶圆包含存储单元阵列，存储单元阵列包括至少一个沟道柱，第二晶圆包括第二晶圆键合面，第二晶圆包含外围电路；于第一晶圆中和/或第二晶圆中嵌入氢阻挡层，其中，氢阻挡层形成于靠近第一晶圆键合面和/或靠近第二晶圆键合面；通过第一晶圆键合面及第二晶圆键合面键合第一晶圆及第二晶圆；在氢气氛下进行退火。该氢阻挡层可有效阻挡退火时产生的游离氢扩散进入所述第二晶圆内的外围电路结构中，降低对外围电路结构的不良影响，提高外围电路结构的可靠性。
具有阻挡结构存储器件及其制备方法

[实用新型]托盘装置及具有该托盘装置的刻蚀机-CN202223434261.3有效
发明人：王海东;郭颂;郭春祥;陈龙保;李娜;张彪;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种托盘装置及具有该托盘装置的刻蚀机，所述托盘装置包括：托盘，用于放置于刻蚀机的下电极，包括：晶圆承载面，用于承载晶圆；晶圆非承载面，低于所述晶圆承载面；通孔，位于晶圆承载面与晶圆非承载面之间，用于流通冷却气体；压盘，用于盖设于所述托盘以固定晶圆。托盘装置能够提高晶圆降温效果。
托盘装置具有刻蚀

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910733121.X在审
发明人：余兴 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一面；在所述第一晶圆内形成第一金属结构，所述第一金属结构内具有第一凹槽，且所述第一晶圆第一面暴露出所述第一凹槽；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第二面；在所述第二晶圆内形成第二金属结构，所述第二金属结构具有凸出部，所述凸出部顶部表面高于所述第二晶圆第二面；将所述第一晶圆第一面与所述第二晶圆第二面压合，所述第二金属结构的凸出部位于所述第一凹槽内，且所述凸出部的表面与所述第一凹槽表面之间有间隙；在将所述第一晶圆第一面与所述第二晶圆第二面压合后，对所述第一晶圆与所述第二晶圆进行退火。所述形成方法改善了晶圆键合工艺。
晶圆金属结构第二面半导体结构凸出部压合退火凸出部顶部凹槽表面晶圆键合凸出部位面暴露

[发明专利]一种晶圆夹持装置-CN202010492466.3在审
发明人：张迎信;王双成;高延飞;潘小龙;魏浩军 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆夹持装置，所述晶圆夹持装置包括：底座；至少一个垫块，设置于所述底座的工作面；至少两个晶圆限位结构，设置于所述底座的工作面，所述晶圆限位结构包括第一工作面和凹槽，所述第一工作面延伸至所述凹槽本申请所述的晶圆夹持装置，在进行晶圆翻转时，晶圆可以在重力作用下沿所述第一工作面滑入所述沟槽，并被所述沟槽固定，不会损伤晶圆，并且晶圆不容易倾倒，可以大幅提高晶圆加工良率和效率。
一种夹持装置

[发明专利]一种晶圆封装及制作方法-CN202210839950.8在审
发明人：叶怀宇;李世朕;刘旭;张国旗 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆封装及制作方法，晶圆封装包括：第一晶圆、第二晶圆以及连接在第一晶圆与第二晶圆之间的连接层；连接层包括：子面碳纳米管束结构与母面碳纳米管束结构；子面碳纳米管束结构设置在第一晶圆上，母面碳纳米管束结构设置在第二晶圆上，子面碳纳米管束结构与母面碳纳米管束结构相互连接构成连接层。本发明通过子面碳纳米管束结构与母面碳纳米管束结构相互连接形成的连接层对第一晶圆与第二晶圆进行连接能够形成稳定的连接，提高了晶圆之间的连接强度，在满足晶圆之间互联区域的导电导热性要求的同时，还可防止晶圆封装采用碳纳米管束对晶圆进行连接形成的连接层在功率器件长久服役过程中无法满足连接稳定性要求的问题
一种封装制作方法

[实用新型]面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体-CN201921611779.5有效
发明人：周辉星 -专利权人： PEP创新私人有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体。该面板组件包括：至少一个晶圆，所述晶圆包括彼此相对的第一面和第二面以及连接所述第一面和所述第二面的侧面，所述第一面为活性面；连接部，位于所述晶圆的侧面且连接到所述晶圆，所述连接部包括与所述晶圆的第一面位于同一侧的第三面和与所述晶圆的第二面位于同一侧的第四面，所述第三面与所述第一面形成所述面板组件的待处理面；以及第一介电层，至少位于所述晶圆的第一面。根据本公开实施例的面板组件可以提高晶圆的封装效率以及利用率。
面板组件封装以及芯片

[发明专利]封装方法、面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体-CN201910915139.1在审
发明人：周辉星 -专利权人： PEP创新私人有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种封装方法、面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体。该半导体器件封装方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆包括彼此相对的第一面和第二面以及连接所述第一面和所述第二面的侧面，所述第一面为活性面；在所述至少一个晶圆的侧面形成围绕所述晶圆的连接部，以使所述晶圆与所述连接部形成一面板组件，所述连接部包括与所述晶圆的第一面位于同一侧的第三面和与所述晶圆的第二面位于同一侧的第四面，所述第三面与所述第一面形成所述面板组件的待处理面；以及在所述晶圆的第一面上形成第一介电层。根据本公开实施例的封装方法可以提高晶圆的封装效率以及利用率。
晶圆面板组件第二面封装半导体器件封装芯片封装体彼此相对封装效率侧面板组件处理面封装体活性面介电层面形

[实用新型]一种用于溅射工艺的晶圆固定结构和晶圆溅射装置-CN202021671287.8有效
发明人：高局;赵亚东;钟志明;陈楚杰;杨小龙;方梁洪 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本公开提供一种用于溅射工艺的晶圆固定结构和晶圆溅射装置，涉及芯片制造领域，其中晶圆固定结构包括：非金属平台，具有放置所述晶圆的工作面，所述工作面为能够与所述晶圆贴合的平面，所述工作面能够覆盖所述晶圆的非溅射面；固定件，设置于所述工作面的上方，能够压紧在所述晶圆的溅射面上，进而将所述晶圆压紧在所述工作面上。本公开能够防止溅射作业过程中电离子上下导通击穿晶圆，确保晶圆质量，提高良品率。
一种用于溅射工艺固定结构装置

[发明专利]封装方法、面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体-CN201910914975.8在审
发明人：周辉星 -专利权人： PEP创新私人有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种封装方法、面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体。该半导体器件封装方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆包括彼此相对的第一面和第二面以及连接所述第一面和所述第二面的侧面，所述第一面为活性面；以及在所述至少一个晶圆的侧面形成围绕所述晶圆的连接部，以使所述晶圆与所述连接部形成一面板组件，所述连接部包括与所述晶圆的第一面位于同一侧的第三面和与所述晶圆的第二面位于同一侧的第四面，所述第三面与所述第一面形成所述面板组件的待处理面。根据本公开实施例的封装方法可以提高晶圆的封装效率以及利用率。
晶圆面板组件第二面封装半导体器件封装芯片封装体彼此相对封装效率侧面板组件处理面封装体活性面面形

[发明专利]工艺盘-CN200810208081.9有效
发明人：张磊;吴东利 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺盘，包括具有晶圆承载面的工艺盘平台和基座，晶圆承载在所述的晶圆承载面上，关键在于，所述的晶圆承载面设有晶圆限位导片，用于将所述的晶圆限制在由所述晶圆限位导片所限定范围内的晶圆承载面上本发明给出多种晶圆限位导片的实施结构。采用该带有晶圆限位导片的工艺盘，在晶圆下落到晶圆承载面时，在真空吸附系统还未发生作用之前就可以固定晶圆的位置，更有效地防止了晶圆滑出晶圆承载面而破碎。
工艺

[发明专利]晶圆键合方法-CN201611191657.6有效
发明人：胡杏;王华;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法，其包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域和/或第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层；在所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面形成一平坦化层，第一晶圆上的平坦化层和/或第二晶圆上的平坦化层连接环状膜层构成一连续膜层，所述连续膜层的边缘区域的高度不低于其中心区域的高度；将所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面相对放置，并对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆施加压力，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。采用本发明提供的晶圆键合方法，避免了晶圆键合后形成缝隙或者减小了晶圆键合后缝隙的尺寸。
晶圆键合方法

[发明专利]键合晶圆制作方法-CN201610545388.2在审
发明人：邹文;胡胜;王喜龙 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种键合晶圆制作方法，包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，并在所述第一晶圆的第一面与所述第二晶圆的第一面进行键合工艺形成键合晶圆；在所述键合晶圆的第二晶圆的第二面形成保护层；以及在所述键合晶圆的第二晶圆的第二面进行后续工艺本发明所提供的键合晶圆制作方法通过在键合晶圆表面沉积氮化物或氮氧化物的保护层，防止后续工艺中键合晶圆上器件结构受到的等离子体损伤。
键合晶圆制作方法

[实用新型]面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体-CN201921611584.0有效
发明人：周辉星 -专利权人： PEP创新私人有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体。该面板组件包括：至少一个晶圆，所述晶圆包括彼此相对的第一面和第二面以及连接所述第一面和所述第二面的侧面，所述第一面为活性面；以及连接部，位于所述晶圆的侧面且连接到所述晶圆，所述连接部包括与所述晶圆的第一面位于同一侧的第三面和与所述晶圆的第二面位于同一侧的第四面，所述第三面与所述第一面形成所述面板组件的待处理面。根据本公开实施例的面板组件可以提高晶圆的封装效率以及利用率。
面板组件封装以及芯片

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