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[发明专利]一种用HF和冰乙酸配制的腐蚀液去除晶圆边缘氧化膜的方法-CN201110420551.X无效
发明人：刘建伟;刘振福;董建斌;张俊生 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种用HF和冰乙酸配制的腐蚀液去除晶圆边缘氧化膜的方法，包括如下步骤：A、配制冰乙酸和HF的混合溶液，将其倒入滚轮式去边机的酸槽内；冰乙酸为98%，AR级；HF为40%-49%，AR级；配比为数据为，冰乙酸：HF=1:1至15:1；B、将装有晶圆硅片的片架装入滚轮式去边机，转动转轮，使转轮上布袋浸有的氢氟酸与硅片氧化膜边缘反应；C、取出片架，清洗，检验边缘去除效果，应用本发明的腐蚀液后的滚轮式去边技术该方法成本低，生产效率高，实用性强，是一种适用于大规模工业生产的去除背面边缘SiO2膜的技术。
一种 hf 冰乙酸配制腐蚀去除边缘氧化方法

[实用新型]一种拆包机-CN202223453133.3有效
发明人：李达;曾友华;王张全 -专利权人：楚天科技股份有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B65B69/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种拆包机，涉及食品、药品包装设备技术领域，包括输送通道1和沿输送通道1依次设置的切膜工位2、揭膜工位3和顶升去膜工位4，切膜工位2用于将包材顶膜的三边与包材侧膜分离，揭膜工位3包括揭膜机构7和压瓶机构8，揭膜机构7包括安装座9，安装座9上设有升降驱动件10、第一平移驱动件22和揭膜夹具12，揭膜夹具12连接升降驱动件10和第一平移驱动件22，压瓶机构8包括压瓶件13和第二平移驱动件14，该拆包机，具有能够适应多规格包材，实现稳定揭膜的优点。
一种包机

[发明专利]晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件-CN202210064011.0在审
发明人：杨凌辉;黎哲;邓方圆;吴荣成;刘晗 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件，晶圆单面化学镀方法包括：提供一侧形成Taiko环的晶圆；将两个所述晶圆的Taiko环端面相对并紧密相连；将所述紧密相连的两个所述晶圆进行化学镀处理；分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆。利用该单面化学镀方法可进行采用Taiko减薄工艺减薄后的晶圆单面化学镀处理，省去了现有化学镀工艺前后的贴膜和揭膜工序，且化学镀时可两片晶圆为一组同时作业，有效提高了化学镀的作业效率，也避免了原有化学镀贴膜工艺漏液的发生
单面化学方法半导体器件制造

[发明专利]晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件-CN202210407375.4在审
发明人：杨凌辉;黎哲;邓方圆;吴荣成;刘晗 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件，晶圆单面化学镀方法包括：提供一侧形成Taiko环的晶圆；提供刚性支撑板；将Taiko环的端面与刚性支撑板紧密相连；将紧密相连的晶圆以及刚性支撑板进行化学镀处理；分离化学镀处理后的晶圆与刚性支撑板。利用该单面化学镀方法可进行采用Taiko减薄工艺减薄后的晶圆单面化学镀处理，省去了现有化学镀工艺前后的贴膜和揭膜工序，避免了原有化学镀贴膜工艺漏液的发生；采用刚性支撑板与晶圆的Taiko环的端面进行粘接，有助于减小单面化学镀时晶圆的翘曲度，可以显著降低晶圆单面化学镀后片内色差，对产品的外观及应用的可靠性都有所提升。
单面化学方法半导体器件制造

[发明专利]一种晶圆片翻膜装置-CN202310367712.6在审
发明人：孙勇;肖海苹;徐志刚 -专利权人：深圳市博辉特科技有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆片翻膜装置，包括固定架，所述固定架的侧壁上安装有双向驱动机构，双向驱动机构的中部从上往下依次设置有翻转定位机构、气吸机构，固定架的上端通过支架与揭膜机构连接，本发明可以解决现有的按压方式的定位难以控制力度，力度较小容易造成撕膜时晶圆片出现滑动的情况，力度较大又容易对晶圆片的本体直接造成破损，且在撕膜过程中，撕膜的力度难以控制，容易造成撕膜时膜产生褶皱变形，产生的褶皱导致晶粒排列歪斜、旋转等排列异常的情况，从而影响了翻膜的质量以及效率等情况。
一种晶圆片翻膜装置

[发明专利]晶边刻蚀方法和半导体器件制造方法-CN201810583120.7有效
发明人：张海洋;郑二虎;钟伯琛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶边刻蚀方法和半导体器件制造方法，所述晶边刻蚀方法，先通过旋转晶圆来对晶圆上的待晶边刻蚀的膜层的晶边区域进行多次干法刻蚀，使所述膜层的晶边的均匀性达到要求，避免晶边非均匀性而导致的晶圆翘曲问题，再对所述膜层的晶边区域进行湿法清洗，可以进一步的去除所述干法刻蚀造成的膜层不对称性以及残留缺陷，从而更好地改善膜层在晶片边缘造成的缺陷、击穿以及应力过剩等问题，提高了最终制造的半导体器件的良率；进一步地，当所述晶圆的正面上有待晶边刻蚀的上膜层且背面上有待晶边刻蚀的下膜层时，所述干法刻蚀和湿法刻蚀的叠加效果可以使得刻蚀后的上膜层和下膜层的晶边区域关于晶圆对称。
刻蚀方法半导体器件制造

[发明专利]一种厚光刻胶的涂布方法-CN202310582097.0在审
发明人：彭廉钦;汪璐;桂林;史发睿;许生健;唐仕伟;李云峰 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开一种厚光刻胶的涂布方法，包括以下步骤：1)对待涂胶的晶圆进行预处理；2)采用分步滴胶的方法在预处理后的晶圆表面滴涂光刻胶；3)滴胶完成后，控制所述晶圆转动，令光刻胶成膜；4)对所述晶圆进行清洗、去边和干燥处理，得到涂覆有光刻胶的晶圆。本发明解决了现有低黏度厚光刻胶涂布方式造成的光刻胶厚度不稳定和光刻胶易堆积在晶圆边缘的问题，改善了光刻胶膜厚稳定性和均匀性。
一种光刻方法

[实用新型]防止溶液反溅的光刻胶去边装置-CN202320889431.2有效
发明人：陈涛;朱琪;李波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种防止溶液反溅的光刻胶去边装置，包括晶圆固定台，晶圆固定台用于对晶圆固定，晶圆固定台的底端固定连接有旋转轴；设置于晶圆上侧的喷嘴，喷嘴用于喷洒有机溶剂去除晶圆边缘上的光刻胶层，喷嘴处固定连接有一环形的第一挡板，第一挡板的侧壁可拆卸连接有第一多孔材料层；设置于晶圆外侧的第二挡板，第二挡板的侧壁可拆卸连接有第二多孔材料层。本发明的光刻胶去边装置正常作业时，能有效吸附溅到第二挡板内壁的溶剂，防止溶剂返溅；光刻胶去边装置异常作业时，能有效防止喷嘴异常时溶剂飞溅污染第二挡板外单元及晶圆，也解决了常规的第一挡板上溶剂滴落污染的问题
防止溶液光刻胶去边装置

[实用新型]一种方便滤波器晶圆去膜用支撑结构-CN202220556351.0有效
发明人：余文锦 -专利权人：全讯射频科技(无锡)有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种方便滤波器晶圆去膜用支撑结构，其通过对晶圆起支撑作用，使得其去膜时受力更加均匀，提高了生产效率及良品率。其包括支撑盘，所述支撑盘呈环形、且安装于固定晶圆用吸盘的口部，所述支撑盘的外表面设有两个缺口，两个所述缺口的顶点分别与晶圆的切口处的两个角部相对应。
一种方便滤波器晶圆去膜用支撑结构

[发明专利]一种晶圆棒开方控制系统及控制方法-CN202210094054.3在审
发明人：王晓鹏;梁志慧;李喜珍;贡艺强;王猛;石岩;杨树生;赵艳慧;常顺;林雪龙;李志剑;赵伟;王光宇;尹琨 -专利权人： TCL中环新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：一种晶圆棒开方控制系统及控制方法，包括：用于去除晶圆棒边皮的开方仓以及置于所述开方仓端部的移动平台；所述移动平台配设有上料机构和下料机构，所述上料机构和所述下料机构异侧设置在所述开方仓两侧，所述上料机构能够在所述下料机构收集所有边皮并将开方后的所述晶圆棒移走时同步将新的待开方的所述晶圆棒送至所述开方仓处本发明待开方的晶圆棒上料和去边皮后的晶圆棒下料是采用异侧传输，且可同步进行下一轮待开方晶圆棒的上料和上一轮去边皮晶圆棒的下料，不仅可提高硅棒周转的安全性，亦可使上下料工作无缝隙衔接，生产效率高，并可降低边皮之间及边皮与晶方棒之间的磕碰
一种晶圆棒开方控制系统控制方法

[发明专利]一种晶圆蒸镀辅助装片装置-CN202310389452.2在审
发明人：王锋博;刘旭昌;陈宏明 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆蒸镀辅助装片装置，包括装置主体、真空发生器，装置主体上设置有晶圆吸盘以及晶圆承片环；装置主体内部设置有第一空腔，顶部设置有与第一空腔连通的晶圆吸盘安装孔，晶圆吸盘安装孔边缘设置有晶圆承片环抓取口和晶圆承片环安装凹槽；晶圆吸盘设置在第一空腔内，晶圆吸盘与真空发生器连通，晶圆吸盘用于吸附目标晶圆；晶圆承片环设置在晶圆承片环安装凹槽内。该装置设计合理，操作简单，制造成本低，通过该装置可以简单快捷的将揭膜后的晶圆安装到行星盘上，避免了晶圆安装过程中造成裂片报废，提高了良品率与工作效率，节约了生产成本。
一种晶圆蒸镀辅助装置

[发明专利]一种晶圆背面减薄方法-CN202211030849.4在审
发明人：张洁;刘子泽;刘东栋 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆背面减薄方法，包括提供晶圆，在晶圆的边缘包括一与晶圆的110晶向垂直的平边，在晶圆的正面粘贴研磨保护膜，随后将晶圆固定在减薄机台的晶圆支撑盘上，对晶圆的背面进行打磨减薄，得到晶圆减薄片，最后再去除晶圆减薄片正面的研磨保护膜。通过将晶圆的平边设置在与晶圆的110晶向相垂直的方向上，以使晶圆在减薄过程中，平边出现缺口时产生的微裂纹仅在沿平行于平边的方向扩展，而不会扩展至晶圆的中心，避免了在晶圆减薄过程中产生裂片，提高了晶圆背面减薄的良率
一种背面方法

[实用新型]一种半导体晶圆去边装置-CN202321132934.1有效
发明人：张晓立 -专利权人：上海瞬雷科技有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，且公开了一种半导体晶圆去边装置，包括工作台，所述工作台的外表面开设有四个呈圆周排列的L形槽，每个L形槽的内侧壁均固定连接有滑杆，每个滑杆均做削边处理，每个滑杆的外表面均套接有套筒该半导体晶圆去边装置，通过设置连杆和寻心板的配合，能够实现四个寻心板相互靠近的目的，达到了使晶圆圆心与放置垫圆心同心的效果，避免在去边的过程中发生偏差，通过设置寻心板和压盘的设置，能够对晶圆的侧面和上表面进行固定限位的目的，达到了避免晶圆在去边的过程中偏移的情况。
一种半导体晶圆去边装置

[发明专利]一种NOR Flash芯片加工方法及其应用-CN202111468236.4在审
发明人：孔秋东;李灿;程飞;吕向东;任军 -专利权人：恒烁半导体（合肥）股份有限公司
申请日： 2021-12-04 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种NOR Flash芯片加工方法及其应用，所述方法包括顺次进行的晶圆测试、正面贴膜、磨片减薄、UV照射、正面揭膜、划片和封装测试作业步骤，还包括在晶圆测试和正面贴膜步骤间增加的附加UV照射和附加晶圆测试步骤，本发明的方法可以有效降低Nor Flash芯片在终端应用时数据变异丢失发生的概率，具有切实意义上的实用价值。
一种 nor flash 芯片加工方法及其应用

[发明专利]贴合晶圆的制造方法及贴合晶圆-CN200580048490.1有效
发明人：武井时男;吉泽重幸;宫崎进;横川功;能登宣彦 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2005-11-02 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种贴合晶圆制造方法，该贴合晶圆是通过至少贴合基体晶圆以及结合晶圆来制造的，该方法具有对贴合晶圆的外周部的平台部的氧化膜进行蚀刻的步骤，其中对该平台部的氧化膜进行的蚀刻，是一边保持该贴合晶圆使其旋转，一边使用旋转蚀刻来进行的。借此，可提供一种贴合晶圆的制造方法，不会蚀刻到基体晶圆背面的氧化膜，且可有效地对形成在基体晶圆的平台部的氧化膜进行蚀刻。
贴合制造方法