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- [发明专利]单片晶圆蚀刻设备-CN201280061973.5有效
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李在桓;崔恩硕
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LG矽得荣株式会社
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2012-12-06
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2014-08-20
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H01L21/306
- 提出了一种每次蚀刻一片晶圆的单片晶圆蚀刻设备。根据本发明，所述单片晶圆蚀刻设备不仅能够甚至在产生气体(蚀刻反应的副产品)的情况下通过振动所述晶圆来排放气体，并且还可防止所述气体吸附在所述晶圆的表面上。此外，由于所述单片晶圆蚀刻设备可对所述晶圆的各个区域进行直接加热，所以甚至在由于蚀刻进行的同时蚀刻溶剂从所述晶圆的中心朝向圆周方向移动而导致蚀刻温度从所述晶圆的中心朝向圆周方向逐渐增加的情况下，所述单片晶圆蚀刻设备可通过从圆周方向朝向所述晶圆的中心以温度增加的方式进行加热来均衡地维持反应温度因此所述单片晶圆蚀刻设备不仅能够在所述晶圆的任何位置处维持均衡的蚀刻程度，并且还能够提高平整度。
- 单片蚀刻设备
- [发明专利]一种晶圆翻转设备-CN202011542248.2有效
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吕天爽;苏建生
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西安奕斯伟硅片技术有限公司
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2020-12-23
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2021-04-02
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H01L21/687
- 本发明提供一种晶圆翻转设备。晶圆翻转设备包括转轴和承载臂，承载臂固定于转轴的侧向；承载臂包括框架和支撑件，支撑件包括多个第一支撑件和至少一个第二支撑件；晶圆翻转设备还包括多个缓冲件，缓冲件与支撑空间的中心之间的距离大于第一支撑件与支撑空间的中心之间的距离本发明实施例的技术方案，仅设置了一个承载臂，有助于提高晶圆翻转过程中控制晶圆位置的准确性。通过设置多个支撑件支撑晶圆的边缘，能够避免支撑晶圆时和翻转晶圆过程中，晶圆翻转设备与晶圆的上下表面接触导致损伤晶圆，通过设置缓冲件，当晶圆与支撑件发生相对移动时，能够通过缓冲件实现对晶圆的保护，避免晶圆脱落，有助于提高对于晶圆翻转的稳定性。
- 一种翻转设备
- [实用新型]MEMS传感器结构-CN202221852944.8有效
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陈达;刘孟彬;丁敬秀
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中芯集成电路（宁波）有限公司
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2022-07-15
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2022-12-27
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B81B7/02
- 本申请公开一种MEMS传感器结构，能够提升MEMS传感器结构的良率，包括：第一晶圆，用于形成功能器件，功能器件至少包括MEMS传感器，且第一晶圆上形成有贯穿第一晶圆上下表面的空腔，MEMS传感器位于空腔内，且空腔为一刻蚀空腔，由刻蚀剂刻蚀第一晶圆形成；第二晶圆，通过金属柱键合至第一晶圆的上表面，第二晶圆的中心区域与空腔相对，且空腔在第一晶圆、第二晶圆键合后形成；中心区域设置有第一凹槽，开口与第一晶圆相对，并与空腔连通；第二晶圆与空腔相对的区域内设置有阻挡层，用于阻挡刻蚀剂对第二晶圆表面的刻蚀。
- mems传感器结构
- [发明专利]晶圆的传片位置调整方法及装置-CN202111508493.6在审
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田云龙;野沢俊久;李晶
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拓荆科技股份有限公司
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2021-12-10
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2022-03-18
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H01L21/67
- 本发明提供了一种晶圆的传片位置调整方法及装置，应用于对所述晶圆的加热过程，所述调整方法包括：通过三维拍摄装置获取所述晶圆的第一局部图像，根据所述第一局部图像确定所述晶圆的第一中心位置；通过所述三维拍摄装置获取对所述晶圆进行加热的加热器的第二局部图像，根据所述第二局部图像确定所述加热器的第二中心位置；计算所述第一中心位置和所述第二中心位置在水平方向的间隔距离，根据所述间隔距离与预设距离阈值的大小，调整所述晶圆的传片位置，本发明能够在对晶圆进行加热的过程中检测晶圆的位置并对应调整，提高了晶圆加工工艺的片内均匀性。
- 位置调整方法装置
- [发明专利]一种晶圆定位装置及方法-CN201610326082.8有效
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赵旭良
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上海新昇半导体科技有限公司
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2016-05-17
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2020-10-09
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H01L21/68
- 本发明提供一种晶圆定位装置及相关方法，该装置包括：设有旋转中心的晶圆旋转机构、标记检测器和控制模块，其中，所述晶圆旋转机构包括与晶圆接触并驱动晶圆以所述旋转中心进行旋转的驱动轮；所述标记检测器检测晶圆上的定位标记，并将检测结果发送给所述控制模块；所述控制模块根据所述标记检测器的检测结果控制所述驱动轮以实现晶圆定位。本发明的晶圆定位装置采用驱动轮驱动晶圆旋转代替传统的吸盘吸取方式，可以避免在定位时造成晶圆损伤，能实现多点检测定位，多段速度控制，高效率高精度，结构简单成本低。
- 一种定位装置方法
- [发明专利]改善晶圆中心位置良率的方法-CN202210287638.2在审
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彭景;徐晓林
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上海华力微电子有限公司
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2022-03-22
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2022-06-21
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H01L21/02
- 本发明提供了一种改善晶圆中心位置良率的方法，应用于半导体领域。本发明提供了一种改善晶圆中心位置良率的方法，具体的，在对正面形成有半导体器件的晶圆进行湿法清洗工艺之前，先对该晶圆的正面和/或背面进行至少一种特定溶液的至少一次冲洗，以增加晶圆表面的导电性，从而可以实现利用该特定溶液将晶圆正面上存在的静电电荷去除(导出)，进而避免了在后续的晶圆湿法清洗工艺制程中，由于湿法清洗在晶圆表面喷射的清洗溶液与晶圆的表面接触并产生电弧放电的现象的问题，即，从而避免了电弧放电位置处造成晶圆放电位置炸开，进而造成晶圆上出现多处电弧缺陷，从而导致晶圆上形成的多个芯片失效的问题，最终降低了晶圆良率。
- 改善中心位置方法
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