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[发明专利]气相沉积设备和晶圆应力调整方法-CN202311198423.4在审
发明人：周洁鹏;陈金良;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请公开了一种气相沉积设备和晶圆应力调整方法，涉及半导体技术领域。气相沉积设备包括沉积室、第一供气组件和阻挡盘组件。第一供气组件用于向晶圆的背面提供工艺气体，阻挡盘组件包括阻挡盘和旋转驱动件，阻挡盘可转动地设置于第一供气组件所形成的气流路径中，阻挡盘在围绕转动轴线的周向上具有阻挡区域和避让区域，工艺气体可通过避让区域抵达晶圆的背面，旋转驱动件用于驱动阻挡盘绕转动轴线转动，以调节避让区域和阻挡区域在周向上的位置，从而调节晶圆背面的沉积区域。因此本设备能够更加灵活地对晶圆背面进行镀膜，从而调整晶圆的应力分布，使其趋于平整。本申请实施例提供的晶圆应力调整方法使用上述的气相沉积设备来实现。
沉积设备应力调整方法

[发明专利]晶圆生产设备和晶圆生产工艺-CN202311190246.5在审
发明人：陈东伟;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆生产设备和晶圆生产工艺，涉及半导体技术领域。本申请的晶圆生产设备中用于冷却晶圆的冷却腔室中的气压可以一直维持在适于冷却的气压，不用反复充入、抽出保护气体。晶圆在进入（或送出）冷却腔室之前，只需要调节第一调节腔室（或第二调节腔室）的气压，一次抽气、充气就可以完成一片晶圆的传递，效率较高，镀膜完成的晶圆可以以较短地时间间隔依次进入冷却腔室，而冷却腔室也可以同时冷却多个晶圆，因此可以提高生产效率。本申请提供的晶圆生产工艺能够高效地对晶圆进行冷却，可提高晶圆的生产效率。
生产设备生产工艺

[发明专利]接地端子底座及包含其的磁控溅射电介质薄膜沉积装置-CN202311196611.3在审
发明人：汪昌州;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01R4/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种接地端子底座及包含其的磁控溅射电介质薄膜沉积装置。接地端子底座包括座体；座体呈圆台形并具有与沉积装置的晶圆承载台安装配合的安装孔；座体顶部设有沿其轴向延伸且呈阵列排列并用于增大比表面积且能够阻挡溅射物质到达孔底的沉积孔；沉积孔为锥形孔且其底端直径为其顶端直径的1.2倍；沉积孔的孔深大于或者等于沉积孔的顶端直径的2倍。本发明实施例通过在接地端子底座上形成呈阵列排列的孔结构使其具有足够大的比表面积，使得沉积过程中晶圆附近的工艺腔室表面的电荷密度显著降低，其表面电压接近接地电压，维持等离子体放电稳定进行，避免出现薄膜沉积速率及薄膜性能的偏离。
接地端子底座包含磁控溅射电介质薄膜沉积装置

[发明专利]一种气相沉积设备-CN202311182445.1在审
发明人：杨林;潘钱森;周云;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相沉积设备，该气相沉积设备包括：加热装置以及边缘组件；加热装置包括加热面，加热面用于对放置于加热面一侧的晶圆进行加热；加热面包括边缘分部；边缘组件包括第一边缘结构，第一边缘结构分别与边缘分部以及晶圆接触；第一边缘结构呈环形连续设置，且第一边缘结构至少覆盖边缘分部。采用上述技术手段，通过设置边缘组件能够实现晶圆与边缘分部之间无缝隙，如此在溅射镀膜时不会在加热装置的边缘位置沉积薄膜，进而能够保证加热装置对晶圆进行均匀加热，且延长了加热装置的使用寿命。
一种沉积设备

[发明专利]原子层沉积设备-CN202311118197.4在审
发明人：王良栋;龙风琴;陈金良 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种原子层沉积设备，包括沉积腔室和供气装置；沉积腔室包括基座、基板和密封盖板；基座用于承载衬底，基板位于基座上方，基座和基板之间的间隔空间为沉积空间，沉积空间的相对两端设置有进气口和排气口；密封盖板位于基板上方，底面设置有开口朝向基板的气槽，气槽环绕于沉积空间四周；供气装置包括惰性气体通道及复数个反应气体通道，一端各自与不同的反应气体源相连通，另一端与沉积空间相连通；惰性气体通道两端分别与惰性气体源以及密封盖板的气槽相连通，惰性气体的压力大于反应气体压力，惰性气体通道设置有开口，由此形成气体保压墙，以将不同的反应气体通道相互隔离。本发明有助于提高沉积均匀性，降低设备维护成本。
原子沉积设备

[发明专利]一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法-CN202311132064.2在审
发明人：王卫玲;潘钱森;周云;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法，包括以下步骤：S1：提供PVD反应腔体，反应腔体内设置有加热器，加热器上设置有一导热结构，加热器上设置有顶针，靶材为AlSi或AlSiCu；S2：加热器温度设置在150‑280℃，反应腔体的气压为真空或者接近真空；S3：反应腔体的射频功率设置为11‑18kw，通入氩气，沉积相应时间的AlSi或AlSiCu薄膜；S4：关闭反应腔体电源，通过导热气体稳压冷却，静置相应时间后抽出导热气体，进行下一次沉积，直到得到相应厚度的沉积AlSi或AlSiCu薄膜，使用此工艺方式可以使单片工艺时间可以缩短30%左右。
一种产能 alsi alsicu 薄膜沉积方法

[发明专利]一种磁控溅射设备及工艺流程-CN202310886785.6有效
发明人：陈东伟;汪昌州;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射设备及工艺流程，包括下部设置有基台的腔体；密封扣合于腔体的开口的腔盖；靶材本体的溅射面为凹面，靶材本体厚度均匀；背板，背板与靶材本体形状相匹配，靶材本体贴合安装在背板上，背板安装于腔盖上；永磁组件设置于背板与腔盖之间，永磁组件与靶材本体形状相匹配；腔体内壁设置有进气环，进气环环绕在靶材本体外周下方，进气环上开设有若干朝向靶材本体外缘的出气口。本发明通过改变靶材形状同时设置进气环，改变靶材边缘的溅射速度，进而提高对应靶材边缘区域的成膜均匀性。
一种磁控溅射设备工艺流程

[发明专利]半导体加热装置和气相沉积设备-CN202311119966.2在审
发明人：周政;诸迎军;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体加热装置和气相沉积设备，涉及半导体技术领域。半导体加热装置包括加热组件和声波源组件，加热组件具有用于支撑半导体器件的支撑面，加热组件用于加热支撑面上的半导体器件；声波源组件连接于加热组件，用于向加热组件施加声波震动。本申请提供的半导体加热装置中集成了声波源组件，能够在加热组件加热半导体器件的同时，向加热组件乃至半导体器件施加声波震动。声波震动会引起空化作用，从而提高薄膜沉积效果。即便在对高深宽比的孔进行薄膜覆盖时，也能够较好地填充覆盖，保证器件互连的可靠性。本申请提供的气相沉积设备包括反应腔室和上述的半导体加热装置，因此其沉积薄膜的效果较佳。
半导体加热装置和气沉积设备

[发明专利]溅射工艺反应腔-CN202311038211.X在审
发明人：汪昌州;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射工艺反应腔，通过设置第一冷却件和第二冷却件，同时第一冷却件和第二冷却件的上下表面均各自设置了多个能够喷出冷却介质的冷却孔，因此通过这样通过第一冷却件和第二冷却件能够同时对晶圆的上下表面以及加热基座和腔室整体进行冷却降温，可以有效降低晶圆由于磁控溅射引起的升温现象，避免了晶圆升温对薄膜质量的影响，保证了工艺过程的稳定进行，提高效率。同时，对晶圆上下表面同时喷射冷却介质也可以保证晶圆上下表面的气压平衡，避免在晶圆受到冷却介质吹扫冷却过程中在顶针上发生位置偏移。
溅射工艺反应

[发明专利]二氧化硅薄膜的低温沉积方法及器件制备方法-CN202311092652.8在审
发明人：周政;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种二氧化硅薄膜的低温沉积方法及器件制备方法。低温沉积方法包括步骤：S1：提供化学气相沉积腔室，对腔室抽真空至第一真空度，将腔室预热至不高于150℃的第一温度，预热过程中通入N2O气体，直至腔室内环境稳定；S2：将待沉积的衬底放入腔室内的基座上，对腔室抽真空至第二真空度，第二真空度高于第一真空度且第二真空度为2torr‑4torr，保持腔室内的温度为第一温度，然后通入流量为540sccm±10%的SiH4和流量为9500 sccm±10%的N2O作为反应源气体，将射频功率控制在190W‑690W，经预设时长后于衬底上沉积预设厚度的二氧化硅薄膜；S3：停止反应源气体SiH4和N2O的供应且关闭射频功率，对腔室抽真空至第一真空度后将衬底取出。本发明有助于提高二氧化硅薄膜的均一性、致密性和洁净度。
二氧化硅薄膜低温沉积方法器件制备

[发明专利]一种连续制备低温氮化硅薄膜中降低晶圆表面温度的方法-CN202311061976.5在审
发明人：周洁鹏;封拥军;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续制备低温氮化硅薄膜中降低晶圆表面温度的方法，通过在连续形成低温氮化硅薄膜的过程中对氛围气体氮气的温度进行控制，限定其初始氮气温度为20～25℃，并在检测到晶圆表面温度上升一定值后，通过对氮气进行冷却的方式下调氮气温度，形成的低温氛围气体通入真空反应腔室后可带走晶圆表面产生的热量，达到降低晶圆表面温度的作用，并且不影响反应气体的组分，使得薄膜稳定。由此可使设备的效率提高，更好的保护了器件。
一种连续制备低温氮化薄膜降低表面温度方法

[发明专利]射频磁控溅射设备-CN202311034895.6在审
发明人：潘钱森;周云;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种射频磁控溅射设备，其包括：腔体、溅射组件、基座、支撑轴、挡板及阳极压环；所述溅射组件位于腔体顶部；所述基座位于腔体内，用于承载基板；所述支撑轴一端与基座底部连接，另一端向下延伸到腔体外部；所述挡板和阳极压环位于腔体内，挡板自溅射组件外围向下延伸到基座外围；所述阳极压环延伸到基板边缘上方，所述阳极压环上均匀间隔设置有多个开口朝上的凹槽。本发明通过在阳极压环上设置多个凹槽，使得在有限的空间内，阳极压环的表面积大大增加，延长其使用寿命，有助于提高射频溅射速率和稳定性，且有助于提高设备产出率。
射频磁控溅射设备

[发明专利]用于反应溅射的物理气相沉积设备-CN202311034897.5在审
发明人：周云;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种用于反应溅射的物理气相沉积设备，包括：溅射腔体、溅射组件、基座及导气组件；基座位于溅射腔体内，用于承载基板；溅射组件位于溅射腔体顶部，用于产生溅射粒子；导气组件位于溅射腔体内，且间隔设置于基座上方，导气组件包括进气管、3个以上喷气管及遮蔽板，进气管与反应气体源相连通，3个以上喷气管一端与进气管相连通，另一端朝基座中心上方水平延伸，用于沿水平方向供应反应气体，3个以上喷气管在同一水平面上间隔分布，遮蔽板位于所有喷气管的中央，且遮蔽板与各喷气管的喷气口具有水平间距。采用本发明可以大幅优化反应气体分压的分布均匀性，改善反应溅射膜层的厚度和方阻均匀性，提升产品良率以及厂家的产出率。
用于反应溅射物理沉积设备

[发明专利]一种形成低温碳氧化硅薄膜的方法-CN202310735429.4有效
发明人：王晓芳;宋维聪;周洁鹏;苗春雨 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成低温碳氧化硅薄膜的方法，所述方法包括：将PECVD设备的真空反应腔室升温至60～100℃后，在真空反应腔室内放入基底，然后通入硅烷、二氧化碳和氦气，设置高频功率源的功率值为300～550 W，低频功率源的功率值为90～200 W，在基底表面沉积碳氧化硅的步骤。本发明首次开发了一种在60～100℃的低温下制备碳氧化硅薄膜的方法，有效降低了成膜温度，且制得的低温碳氧化硅薄膜具有良好的稳定性和低温抗反射性，能够满足低温器件沉积SiOxCy要求。
一种形成低温氧化薄膜方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法和电子设备-CN202310693307.3在审
发明人：汪昌州;宋维聪 -专利权人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供半导体器件及其制作方法和电子设备，涉及半导体领域。半导体器件的制作方法包括采用原子层沉积工艺在基体上分别沉积第一介电层和第二介电层，且沉积第二介电层时的第二氧前体的浓度高于沉积第一介电层时的第一氧前体的浓度。在本实施例中，第一介电层相较于第二介电层较薄。第一介电层在较低的氧前体浓度下沉积得到，因此与基体之间不容易形成界面层。而第二介电层作为较厚的一层，其在相对较高的氧前体浓度下沉积得到，具有较少的氧空位缺陷。本申请提供的制作方法能够保证第一介电层与第二介电层所组成的介电层结构整体具有较少的氧空位缺陷，并且也不容易在介电层与基体之间形成界面层，因此具有较佳的电学性能。
半导体器件及其制作方法电子设备

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