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[发明专利]底部防反射层形成方法-CN201410014457.8有效
发明人：邹永祥;王鹢奇;杨晓松;王跃刚;易旭东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种底部防反射层(BARC)形成方法，向晶圆中心滴BARC后仅旋转晶圆3～8秒，此过程时间较短BARC还未固化，随后向晶圆边缘滴洗边液，并旋转晶圆13～18秒，使BARC厚度均匀，同时由于洗边时BARC还未固化，可有效的去除晶圆边缘的BARC，以在晶圆表面形成厚度均匀的BARC。
底部反射层形成方法

[发明专利]晶圆的侧墙刻蚀方法-CN201811007629.3在审
发明人：朱轶铮;产斯飞;李全波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆的侧墙刻蚀方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括侧墙主刻蚀工艺和晶边处理工艺，所述晶边处理工艺为对晶圆边缘进行工艺操作，以补偿晶圆侧墙主刻蚀工艺中晶圆边缘与晶圆中心刻蚀速率不同的缺陷，而提高侧墙面内均一性，进而提高晶圆整体均一性。
侧墙晶圆刻蚀处理工艺晶圆边缘均一性主刻蚀半导体集成电路制造工艺操作晶圆中心侧墙面种晶

[发明专利]利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法-CN202111170674.2在审
发明人：桑野嘉宏;野口广;森下隆博 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其能够抑制配置于为了晶圆设置区域的温度均匀化设置的保温块的附近的硅晶圆的金属污染。本发明的利用卧式热处理炉（100）的硅晶圆的热处理方法在圆筒形状的炉芯管（12）内配置晶舟（16），此时，(A)在晶舟（16）上配置晶圆组（WF），(B)在晶舟（16）上的炉芯管的中心轴（X）方向上的晶圆组（WF）的两侧，与晶圆组（WF）离开地配置保温块（第1保温块（18A）及第2保温块（18B）），(C)在晶舟（16）上的炉芯管的中心轴（X）方向上的第1保温块（18A）及第2保温块（18B）的两侧配置高清洁度的伪晶圆
利用卧式热处理硅晶圆方法

[发明专利]研磨垫及研磨装置-CN201911040174.X有效
发明人：杨一凡 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种研磨垫及研磨装置，包括：一面为研磨面、另一面为支持面的板状的垫主体；以及多个开孔，每个所述开孔从所述研磨面朝向所述支持面凹陷，且每个所述开孔从靠近所述垫主体的中心区域延伸至靠近所述垫主体的周边区域所述研磨垫上分布多个开孔，减少了被研磨的晶圆中心跟所述研磨垫开孔的区域的接触时间，从而减少了晶圆中心的研磨量，使晶圆中心和晶圆周圈的研磨量趋于一致，提高被研磨晶圆的平整度。
研磨装置

[实用新型]一种陶瓷环-CN202021323700.1有效
发明人：朱明明 -专利权人：连云港旭晶光电科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种陶瓷环，包括，外周面形成有若干具有螺栓孔的固定凸沿的环状体，环状体的外周面上还形成有至少1个便于环状体从晶圆加工机台上取出的凹部；以环状体的内周面向环状体中心延伸有用于螺接晶圆载片盘所设的具有晶圆载片盘接触面的安装凸沿；以环状体的内周面向环状体中心延伸有若干间隔凸沿；形成在螺接于安装凸沿和若干间隔凸沿之间的若干段晶圆载片盘的底面、若干间隔凸沿底面和安装凸沿内周面之间用于容纳晶圆的晶圆容纳空间；将用于与晶圆接触的晶圆载片盘设置成若干段，改变了以往每次更换晶圆载片盘必须更换一整个晶圆载片盘、也即是说每次仅需要对损坏情况严重的其中一个晶圆载片盘进行拆卸并更换即可。
一种陶瓷

[实用新型]晶圆承载盘和外延设备-CN202221016978.3有效
发明人：许昊;张丽旸;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆承载盘和外延设备。晶圆承载盘包括盘状本体，盘状本体具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面及第二表面和盘状本体具有相同的回转中心；还包括晶圆槽，晶圆槽为从第一表面向第二表面凹陷形成以容纳晶圆的凹槽，多个晶圆槽沿回转中心圆周均布；还包括整流结构，整流结构从第一表面向第二表面凹陷形成，整流结构包括从晶圆槽的侧壁外侧向盘状本体的周边延伸的外槽。通过设置包括外槽的整流结构以调控外延工艺中用于在晶圆上形成沉积膜的沉积源气流的流动状态并降低晶圆槽的侧壁温度，因而影响沉积源在晶圆边缘处的掺入组分，达到改善晶圆外延后得到的外延片的发光波长均匀性，因此，
承载外延设备

[发明专利]一种调节晶圆内活性可操作区高度均一性的方法-CN202310332176.6在审
发明人：何杨 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种调节晶圆内活性可操作区高度均一性的方法，晶圆表面分为中心区域及边缘区域，中心区域设有相互间隔的有源区结构；有源区结构的顶部依次设有pad氧化层和氮化硅层；中心区域及边缘区域均覆盖有氧化硅；氧化硅填充于有源区结构之间并覆盖氮化硅层；经由去除有源区结构上方的氧化硅，进而去除有源区结构上的氮化硅层，将有源区结构顶部的pad氧化层露出；利用氢氟酸刻蚀晶圆中心区域的pad氧化层和氧化硅，及边缘区域的氧化硅，以减小中心区域与边缘区域上的氧化硅的高度差。本发明在深井离子注入工艺前通过DHF调节晶圆内外氧化硅高度，保证晶圆内氧化硅高度良好的均一性，提升晶圆内的氧化硅高度均一性。
一种调节晶圆内活性可操作高度均一方法

[发明专利]一种齿轮钢超大断面圆坯内部凝固组织的控制方法-CN202111098903.4有效
发明人：赵冠夫;戈文英;刘兵;梁娜;关强;范斌;李玉华;何明生;况兴宇 -专利权人：山东钢铁股份有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： B22D11/16 文献下载
摘要：本发明属于连续浇铸领域，具体涉及一种齿轮钢超大断面圆坯内部凝固组织的控制方法，其中，圆坯断面直径≥650mm，利用本发明的控制齿轮钢超大断面圆坯内部凝固组织的方法，有效扩大铸坯内部柱状晶区，减少中心等轴晶区；铸坯内部柱状晶区面积不小于60％，从而减少柱状晶区与中心等轴晶区交界面积，实现降低柱状晶区和中心等轴晶区交界处成分偏析和夹杂聚集对产品质量的影响，并且通过降低铸坯拉速，调配二冷区的水冷和空冷的区间，增强水冷强度和弱化末端搅拌，有效抑制了铸坯产生中间裂纹、中心裂纹质量缺陷，并避免了中心偏析、中心疏松和缩孔的产生，在增加铸坯柱状晶区的同时保证了端面直径大于650mm的圆坯铸坯的内部质量。
一种齿轮超大断面内部凝固组织控制方法

[发明专利]一种晶圆自动纠偏方法-CN201911084735.6在审
发明人：徐方;凌霄;杨奇峰;谭学科;朱洪彪;姚东东 -专利权人：沈阳新松机器人自动化股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于真空机器手运输晶圆过程中自动校正手指上晶圆位置的控制技术，具体涉及一种晶圆自动纠偏(AWC)方法，主要包含AWC方法的实现方式以及AWC算法。本发明包括以下步骤：AWC数据采集：采集晶圆通过激光传感器时，激光传感器所记录的坐标；AWC标定：通过机器手手指中心坐标以及晶圆半径，计算得到激光传感器在机器手基坐标下的坐标，用于以此坐标为基准进行自动纠偏功能；AWC偏差计算：通过激光传感器在机器手基坐标下的坐标、手指中心在机器手基坐标下的坐标、晶圆中心的坐标以及触发点相对于机器手基坐标原点的夹角，计算得到偏差值。本发明实现了机器手在传输晶圆过程中的自纠偏功能，保证了机器手传输晶圆的精度。
一种自动纠偏方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201380081222.4有效
发明人：中田和成 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在半导体晶圆(2)的中央部形成器件区域(17)，在器件区域(17)的外周形成比器件区域(17)厚的环状加强部(18)。在形成器件区域(17)和环状加强部(18)后，对半导体晶圆(2)进行湿式处理。在进行湿式处理后，使半导体晶圆(2)旋转而进行干燥。半导体晶圆(2)的中心位置和环状加强部(18)的中心位置不同。
半导体装置制造方法

[实用新型]一种半导体用晶圆支撑组件-CN202121572240.0有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;侯娟华 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体用晶圆支撑组件，所述的半导体用晶圆支撑组件包括吸盘本体，所述的吸盘本体表面设置有至少一条冷却水道，所述的冷却水道以吸盘本体的中心为环绕中心呈螺旋结构环绕，所述吸盘本体表面垂直设置有至少一个中空结构的支撑柱，所述的支撑柱与冷却水道位于同一侧表面，对吸盘本体的中心区域抽气，使得晶圆吸附于支撑柱远离吸盘本体的一端。本实用新型提供的半导体用晶圆支撑组件有效提高了支撑组件的散热效果，通过设置支撑柱使晶圆受力均匀，避免发生偏斜，晶圆不容易脱落。
一种半导体用晶圆支撑组件

[实用新型]一种用于晶圆的热辐射装置-CN202221960315.7有效
发明人：黄日红;肖剑文;黄廷飞 -专利权人：广东库锐特科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及热辐射设备技术领域，具体涉及一种用于晶圆的热辐射装置。所述用于晶圆的热辐射装置包括加热板、冷却板和安装板；所述加热板底部安装有加热机构，所述加热机构均匀分布于所述加热板上，且其中心处留设有空白区域；所述冷却板安装在所述加热板顶部，其用以对所述加热机构进行冷却本实用新型解决了现有技术中用于加热晶圆的热辐射装置多以呈螺旋状由内至外均匀绕设的发热丝进行产热，如此，因晶圆中心与外缘散热的不同，易导致晶圆中心温度高而外缘温度低，影响晶圆热处理时均匀性的问题。
一种用于热辐射装置

[发明专利]一种降低晶圆键合边缘扭曲度的方法-CN201811401688.9有效
发明人：郝林坡;郭万里 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开一种降低晶圆键合边缘扭曲度的方法，用于晶圆键合工艺中，其中包括：提供一具有芯片的器件晶圆与一承载晶圆；通过一夹具夹持叠置的器件晶圆及承载晶圆的边缘，并通过施加预设压力至器件晶圆与承载晶圆的中心区域上，进行晶圆键合工艺，以形成键合晶圆；根据器件晶圆上的芯片数量，控制夹具的释放时间。本发明的技术方案有益效果在于：在晶圆键合的过程中，根据器件晶圆上的芯片数量，控制夹具的释放时间，从而降低键合晶圆的边缘的扭曲度，提高后续光刻制程或刻蚀制程穿透晶圆的对准精度，进一步提高键合晶圆的产品性能
一种降低晶圆键合边缘扭曲方法

[发明专利]晶圆晶边清洗装置及晶圆晶边清洗方法-CN201811061241.1在审
发明人：邢磊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆晶边清洗装置及晶圆晶边清洗方法，清洗装置包括：晶圆卡盘；位置传感装置，设置于晶圆卡盘上，用于感测晶圆的边缘的至少三个边缘位置坐标；数据处理终端，用于接收各边缘位置坐标，并基于各边缘位置坐标换算出圆心位置坐标，继而将圆心位置坐标与晶圆卡盘中心的位置进行比对，以基于比对结果判断是否继续进行晶圆的晶边光刻胶清洗。本发明可以实时监测晶圆与晶圆卡盘之间的位置关系，判断晶圆是否发生偏移，及时发现缺陷并进行处理，从而在晶圆晶边清洗工艺之前及时调整晶圆的位置，保证在晶圆清理时具有精确的洗边宽度，提高洗边效果，改善了晶圆边缘脱落缺陷
晶圆晶边清洗装置方法

[发明专利]曝光装置及其曝光方法-CN201310069610.2有效
发明人：伍强;祖延雷;胡华勇;顾一鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光装置及其曝光方法，所述曝光装置，包括：基台；晶圆载物台组，所述晶圆载物台组包括若干晶圆载物台，若干晶圆载物台依次在基台上的第一位置和第二位置之间循环移动；对准检测单元，进行晶圆的对准；掩膜板载物台，用于装载圆筒形掩膜板，并使所述圆筒形掩膜板绕中心轴旋转；光学投影单元，将透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上晶圆的曝光区；当晶圆载物台从第一位置移动到第二位置，然后沿扫描方向的单方向扫描时，圆筒形掩膜板绕中心轴旋转，透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上的晶圆上，对晶圆上的沿扫描方向排列的某一列曝光区进行曝光。进行曝光时，晶圆载物台不需要改变扫描方向，从而节省了曝光时间，提高了曝光效率。
曝光装置及其方法