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[发明专利]用于差分总线的驱动设备和相应的方法-CN201910536543.8有效
发明人：芒努斯-马里亚·赫拉;迪特尔·梅茨纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H04L12/40 文献下载
摘要：提供一种用于差分总线的驱动设备，所述驱动设备具有：第一晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管和第四晶体管互联，以便将总线驱动到显性状态；并且具有第二晶体管和第三晶体管，所述第二晶体管和第三晶体管互联，以便将总线驱动到隐性状态该驱动设备还包括冲突检测电路，所述冲突检测电路设计成：基于测量经过第一、第二、第三和第四晶体管中的至少一个晶体管的电流来识别总线上的冲突状态。
用于总线驱动设备相应方法

[发明专利]高效开关电路-CN201810491782.1在审
发明人：丹尼尔·兹穆德;察希·格罗文斯基 -专利权人：太阳能安吉科技有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种开关器件，包括第一支路，该第一支路具有串联连接的多个晶体管。所述开关器件还包括与所述第一支路并联连接的具有晶体管的第二支路。所述开关器件还包括控制器，其控制所述多个晶体管以及所述晶体管。所述控制器被配置为：通过首先将所述晶体管从第一状态转变到第二状态，并且然后将所述多个晶体管从第一状态转变到第二状态，从而将所述开关器件从第一状态转变到第二状态。
晶体管开关器件支路状态转变控制器高效开关电路支路并联配置

[发明专利]用于固态储存装置中晶体单元的群组区分方法-CN201310137889.3有效
发明人：曾士家;傅仁杰;吴郁姍;张锡嘉 -专利权人：光宝科技股份有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，包括建立一电压偏移参数对照表，该电压偏移参数对照表包含一第一位置参数表；利用N个具重大内部晶体单元干扰效应的晶体单元来决定MN个内部晶体单元干扰图样；当中央晶体单元为第一储存状态时，根据电压偏移参数对照表决定对应MN个内部晶体单元干扰图样的MN个中央晶体单元阈值电压偏移，并将第一储存状态区分为多个子区间；以及将对应第一数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至第一储存状态中的第一群组，其中第一数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于第一储存状态的第一子区间。
用于固态储存装置晶体单元区分方法

[发明专利]CMOS工艺中的RF开关实现方式-CN201080069202.1在审
发明人： Y·哈森;A·莫斯托夫 -专利权人： DSP集团有限公司
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H03K17/693 文献下载
摘要：一种用于在至少四个状态之间切换的双极双通开关（100）。该开关包含诸如N沟道金属氧化物半导体晶体管的四个晶体管（120、124、128、132），使得在每个状态，至多一个晶体管处于“导通”状态，且其他晶体管处于“截止”状态。每个晶体管（120、124、128、132）具有其自己的控制电路，该控制电路向晶体管的漏极提供零或负电压，向晶体管的源极提供正电压，且向晶体管的栅极提供交流电压。开关（100）可以针对设备片上使用。
cmos 工艺中的 rf 开关实现方式

[发明专利]熔丝单元电路、熔丝单元阵列及包括其的存储器件-CN201510559976.7有效
发明人：李康设 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种熔丝单元电路可以包括位线；第一熔丝晶体管，其具有第一编程状态和第二编程状态；第一选择晶体管，其耦接至第一熔丝晶体管的一端子与位线之间，且适于在第一熔丝晶体管被选中时导通；第二熔丝晶体管，包括一端子，其耦接至第一熔丝晶体管的另一端子，并具有第一编程状态和第二编程状态；以及第二选择晶体管，其耦接至第二熔丝晶体管的另一端子与位线之间，且适于在第二熔丝晶体管被选中时导通。
单元电路阵列包括存储器件

[发明专利]一种开关电源低功耗控制方法、系统、装置及存储介质-CN202310234260.4在审
发明人：沈仁波;程君永;解金军 -专利权人：屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种开关电源低功耗控制方法、系统、装置及存储介质，涉及开关电源技术领域，其方法包括：获取开关电源当前状态信息；判断开关电源当前状态信息是否为开关电源待机状态信息；若为是，则发送预设的待机状态晶体管启闭频率控制方案至开关电源中的晶体管；若为否，则获取开关电源连接负载实际值；根据开关电源连接负载实际值与预设的开机状态晶体管启闭频率调整值的对应关系，分析获取与开关电源连接负载实际值相对应的开机状态晶体管启闭频率调整值，并将开机状态晶体管启闭频率调整值发送至开关电源中的晶体管
一种开关电源功耗控制方法系统装置存储介质

[发明专利]驱动外部FET的半导体集成电路及具备其的电源装置-CN200710197123.9无效
发明人：中川英二;宫本孝司;青木启 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明提供一种驱动外部FET的半导体集成电路及具备其的电源装置，该半导体集成电路具备切换控制电路，该切换控制电路包括与FET结合的第一晶体管以及第二晶体管，通过分别使第一晶体管及第二晶体管导通、截止，而使FET导通、截止，在第一晶体管为导通状态且第二晶体管为截止状态时，FET为截止状态，半导体集成电路还包括：偏压电路，在第一晶体管以及第二晶体管为截止状态的情况下，向FET供给用于使FET截止的偏压；和保护控制电路，在检测出异常的情况下，通过使第一晶体管导通且使第二晶体管截止，从而使FET截止，在经过规定时间后，使第一晶体管以及第二晶体管截止。
驱动外部 fet 半导体集成电路具备电源装置

[发明专利]开关速度可调的IGBT与超结MOSFET组合器件-CN202010990292.3在审
发明人：徐范锡;马督儿·博德;管灵鹏;卡尔提克·帕德玛纳罕 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关速度可调的绝缘栅双极晶体管(IGBT)与超结金属‑氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)组合器件，具体公开了一种器件包括一个绝缘栅双极晶体管；以及一个超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管，其中绝缘栅双极晶体管和超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管是结构耦合的，并且其中配置超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管从“断开”状态切换到“接通”状态以及从“接通”状态切换到“断开”状态。
开关速度可调 igbt mosfet 组合器件

[实用新型]晶体管测试装置-CN201220676725.9有效
发明人：余廷义 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体管测试装置，用于对晶体管参数和使用状态进行测试，包括对接入的晶体管进行测试的测试模块和检测晶体管的接入状态并根据晶体管的接入状态输出测试控制信号的测试控制模块。当晶体管接入测试模块时，测试控制模块控制测试模块自动对晶体管进行测试；晶体管撤离测试模块时，测试控制模块控制测试模块自动停止测试。通过测试控制模块自动控制测试模块对晶体管进行测试，在进行大量测试时，避免了手工频繁的开关操作，十分方便。
晶体管测试装置

[发明专利]用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻-CN201910990760.4在审
发明人： J·罗伊格-吉塔特;A·康斯坦特;F·J·G·德克勒克 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明题为“用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻”。本发明提供了一种半导体晶体管器件，该半导体晶体管器件包括GaN晶体管，该GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，GaN晶体管具有驱动电压，该驱动电压施加在栅极和源极两端，并且被配置为在与GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换。半导体晶体管器件还包括可变栅极‑源极电阻器，该可变栅极‑源极电阻器连接在栅极和源极之间并具有可变电阻，该可变电阻响应于驱动电压当在GaN晶体管的导通状态和关断状态之间切换时的变化而改变。
用于降低氮化晶体管栅极电压振荡可变电阻

[发明专利]记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法-CN202110162675.6在审
发明人：张盟昇;杨耀仁;吴旻信 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法，记忆体位元单元包含第一记忆体单元，其是包括第一反熔丝晶体管及第一选择晶体管，第一反熔丝晶体管是对应第一信号而选择为第一状态或第二状态，且第一选择晶体管是配置以对应第二信号而提供第一反熔丝晶体管的存取；第二记忆体单元，其是包括第二反熔丝晶体管及第二选择晶体管，第二反熔丝晶体管是对应第一信号而选择为第一状态或第二状态，且第二选择晶体管是配置以对应第二信号而提供第二反熔丝晶体管的存取；第一字元线，以选择性地提供第一信号；第二字元线，以选择性地提供第二信号；及位元线，以感测第一状态或第二状态。
记忆体位元单元装置及其操作方法

[发明专利]半导体装置-CN201980085350.3在审
发明人：奥田肇;福田泰诏;宅间彻;高桥俊太郎;高桥直树 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括：半导体层；绝缘栅极型的第一晶体管，其形成于上述半导体层；绝缘栅极型的第二晶体管，其形成于上述半导体层；以及控制配线，其以与上述第一晶体管以及上述第二晶体管电连接的方式形成于上述半导体层之上，传递在通常动作时将上述第一晶体管以及上述第二晶体管控制为接通状态、在有源钳位动作时将上述第一晶体管控制为断开状态并且将上述第二晶体管控制为接通状态的控制信号。
半导体装置

[发明专利]用于增强的开状态和关状态性能的带有阈值电压切换的基于铁电的场效应晶体管-CN201680083054.6有效
发明人：邓汉威;S.达斯古普塔;M.拉多萨夫耶维奇 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本文中公开了对于用于增强RF开关晶体管开状态和关状态性能的带有阈值电压（VT）切换的基于铁电的场效应晶体管（FET）的技术。采用能够在两种铁电状态之间切换的铁电栅极电介质层能够实现在晶体管关状态（VT,hi）期间的更高VT和在晶体管开状态（VT,lo）期间的更低VT。相应地，晶体管开状态电阻（Ron）能够由于可用的相对高的栅极过压（Vg,on‑VT,lo）而被保持，同时由于高VT,hi‑Vg,off值而在晶体管关状态中仍操纵相对高的最大RF功率。因此，RF开关晶体管的Ron能够被改进而不牺牲最大RF功率，和/或反之亦然，最大RF功率能够被改进而不牺牲Ron。铁电层（例如，包括HfxZryO）能够在晶体管栅极电介质层与栅极电极之间被形成以实现此类益处。
用于增强状态性能带有阈值电压切换基于场效应晶体管

[发明专利]充电电路、电子设备和充电方法-CN201510231160.1在审
发明人：范杰;孙伟;石新明 -专利权人：小米科技有限责任公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：所述充电电路应用于电子设备中，所述充电电路包括：充电模块、阻值调整模块和控制模块；所述阻值调整模块包括多个并联连接的晶体管，且每个晶体管与所述充电模块并联连接；所述控制模块与所述阻值调整模块中的每个晶体管连接，所述控制模块用于控制每个晶体管的开关状态，所述开关状态包括导通状态和截止状态。本公开通过将多个晶体管与充电模块并联连接，并以控制模块来控制每个晶体管的开关状态，能够在调整晶体管的开关状态时，调整该充电电路的充电电流值，实现了充电电流值的阶梯式调整，而不仅是按照固定的充电电流值进行充电
充电电路电子设备方法

[发明专利]激光器的驱动单元、激光雷达的发射单元及激光雷达-CN202010716265.7在审
发明人：厉洪宇;刘建峰;向少卿 -专利权人：上海禾赛科技有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种激光器的驱动单元，包括：电压生成器，所述电压生成器配置成可输出驱动电压；晶体管开关，所述晶体管开关包括基极、输入极和输出极，其中所述输入极电连接到电源，输出极电连接到激光器；自举电路，分别耦接到所述电压生成器、晶体管开关的基极和输出极，所述自举电路具有充电状态和放电状态，充电状态时所述晶体管开关的基极电压为零，放电状态时将所述晶体管开关的基极和输出极的电压差升高至所述驱动电压，所述驱动电压大于所述晶体管开关导通所需的阈值电压，使所述晶体管开关的输入极和输出极导通；控制单元，与所述自举电路耦接，配置成控制所述自举电路按预设周期在充电状态和放电状态之间切换。
激光器驱动单元激光雷达发射