“晶体状态”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2058165个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]温控机构、复合激光晶体生长系统及复合激光晶体的制备方法-CN202111638315.5有效
发明人：李兴旺;芦佳;王肖戬;杨宇;韩剑锋;王永国 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种温控机构、复合激光晶体生长系统及复合激光晶体的制备方法，属于激光晶体领域。该温控机构包括调节件、第一保温件和第二保温件。第一保温件的接触端具有第一过孔，第二保温件的接触端具有第二过孔；调节件分别与第一保温件和第二保温件连接，使得温控机构在第一温控状态和第二温控状态之间切换；第一温控状态下，第一保温件和第二保温件的接触端相接触，使得第一过孔和第二过孔适配对接形成籽晶杆过孔，同时使激光晶体的生长热场的温度梯度减小；第二温控状态下，第一保温件和第二保温件彼此分离，使激光晶体的生长热场的温度梯度增大。基于该温控机构，能够制备得到高质量的大尺寸YAP复合激光晶体。
温控机构复合激光晶体生长系统晶体制备方法

[发明专利]半导体集成电路装置-CN201210116664.5无效
发明人：竹中哲朗 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：其非反相输入端子被输入基准电压，并且反相输入端子与输出负载连接；和输出电路(X1)，该输出电路(X1)包括：栅极与运算放大器(OP)的输出端(O/)连接，并且漏极与运算放大器(OP)的反相输入端子连接，且在工作状态下导通，在非工作状态下截止的PMOS晶体管(p11)；和被串联连接在电源(vdd)与PMOS晶体管(p11)的源极之间，与PMOS晶体管(p11)相比，栅极宽度/栅极长度比小，且在工作状态下导通，在非工作状态下截止的PMOS晶体管(p12)。从而，在构成恒压输出电路的晶体管的驱动器能力提高的情况下，也能够防止该晶体管的截止漏电流超过输出负载的截止漏电流的情况。
半导体集成电路装置

[发明专利]显示装置、用于驱动该显示装置的方法以及电子设备-CN201410377868.3有效
发明人：木村圭;小野山有亮;丰村直史;山下淳一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：所述显示装置包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元通过排列驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管，以及具有储存通过采样晶体管采样写入的信号电压的储存电容的像素电路构成；以及驱动单元，在当所述驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入栅极节点后，所述驱动单元使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态，直到使采样晶体管执行信号电压的写入。
显示装置用于驱动方法以及电子设备

[发明专利]显示装置、用于驱动该显示装置的方法以及电子设备-CN201811062153.3有效
发明人：木村圭;小野山有亮;丰村直史;山下淳一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：所述显示装置包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元通过排列驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管，以及具有储存通过采样晶体管采样写入的信号电压的储存电容的像素电路构成；以及驱动单元，在当所述驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入栅极节点后，所述驱动单元使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态，直到使采样晶体管执行信号电压的写入。
显示装置用于驱动方法以及电子设备

[发明专利]电光学装置以及备有其的电子设备-CN200710154742.X有效
发明人：神田荣二 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：本发明公开一种电光学装置，其在复位期间中晶体管(Tr1)成为导通状态，驱动晶体管(Tdr)被二极管连接。而且，晶体管(Tr4)成为导通状态。此时，电流从驱动晶体管(Tdr)流入到供电线(17)。因此，即使复位电流流入到供电线(17)，也不会对发光期间中的驱动晶体管(Tdr)的栅极电位造成影响。从而，可抑制驱动晶体管的栅极电位发生变动。
光学装置以及备有电子设备

[发明专利]智能谐振笔-CN201610466994.5有效
发明人： T.范德梅登 -专利权人：株式会社和冠
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G06F3/0354 文献下载
摘要：一种具有多个谐振频率的谐振笔包括：第一电路段，其包括用于所述多个谐振频率的电感器；第二电路段，其包括多个晶体管，其中所述多个晶体管中的每一个晶体管包括晶体管状态；以及第三电路段，其包括控制器。所述控制器被配置成更改所述多个晶体管的晶体管状态以将所述谐振笔改变到一个谐振频率。所述谐振笔进一步包括被配置成控制所述控制器的开关。
智能谐振

[发明专利]可擦除且可编程非易失性单元-CN03816168.0无效
发明人： J·索洛德扎迪瓦;W·汤门 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-06-25 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种可擦除且可编程的非易失性单元，包括具有源极、漏极和栅极的第一晶体管；具有浮栅和控制栅的浮动电容器，所述浮栅连接至所述第一晶体管的所述栅极，以及用于检测单元是否被擦除或被编程的状态的装置；其特征在于，所述用于检测单元状态的装置包括具有源极、漏极和栅极的第二晶体管，所述第二晶体管对于所述第一晶体管是互补的，所述第二晶体管的所述栅极连接至所述浮栅。
擦除可编程非易失性单元

[发明专利]半导体器件、其设计方法和制造方法以及电子电路-CN201810461396.8有效
发明人：托马斯·艾兴格尔;沃尔夫冈·贝格纳;罗曼·埃斯泰夫;丹尼尔·屈克;德塔德·彼得斯;拉尔夫·西明耶克;贝恩德·齐佩利乌斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过使用处理器器件和模型晶体管单元中的至少一个，确定用于宽带隙半导体器件的晶体管单元和漂移结构中的至少一个的一组设计参数，其中，晶体管单元的栅极电介质的导通状态故障率和关断状态故障率对于预定导通状态栅源电压、预定关断状态栅源电压以及预定关断状态漏源电压来说在相同的量级内。
半导体器件设计方法制造以及电子电路

[发明专利]抗多节点翻转的存储单元-CN201510786303.5在审
发明人：肖立伊;齐春华;李安龙;王天琦;柳姗姗 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力，从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体管、四号PMOS晶体管、一号NMOS晶体管、二号NMOS晶体管、三号NMOS晶体管、四号NMOS晶体管、五号NMOS晶体管、六号NMOS晶体管、七号NMOS晶体管、八号NMOS晶体管，字线WL、位线BL和位线BLN。本发明所述的存储单元能够抵抗单粒子单一节点的翻转和单粒子多节点的翻转，防止SEU效应改变存储单元的存储状态，提高了系统的可靠性。适用于集成电路中。
节点翻转存储单元

[发明专利]一种低功耗输出缓冲器电路-CN202010380201.4在审
发明人：王千;余天宇;孙磊 -专利权人：北京中电华大电子设计有限责任公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H03K19/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗的输出缓冲器电路，包括上拉控制单元，上拉输出晶体管，下拉控制单元，下拉输出晶体管。其中，上拉控制单元用来产生上拉输出晶体管的控制信号，在控制信号为低时，控制上拉输出晶体管开启，缓冲电路输出为高；下拉控制单元用来产生下拉输出晶体管的控制信号，在控制信号为高时，控制下拉输出晶体管开启，缓冲电路输出为低本发明所述的输出缓冲器电路，当输入发生变化，缓冲器电路输出电平将要发生翻转时，控制下拉晶体管先于上拉晶体管开启之前关闭，或者控制上拉晶体管先于下拉晶体管开启之前关闭，避免缓冲电路输出状态改变时上拉晶体管、下拉晶体管同时切换开关状态造成的瞬间漏电现象，从而降低输出缓冲器的动态功耗。
一种功耗输出缓冲器电路

[发明专利]可变增益放大器-CN201110288636.7有效
发明人：安正旭;须田哲平;上田富雄 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：一种可变增益放大器包括：源极接地晶体管，输入信号被提供到其栅极；多个第一共源共栅晶体管，其源极被连接到源极接地晶体管的漏极；第二共源共栅晶体管，其源极被连接到源极接地晶体管的漏极；第一栅极接地晶体管，其源极被连接到多个第一共源共栅晶体管的漏极，并且恒定电压被施加到其栅极；以及输出负载，其被连接到第一栅极接地晶体管的漏极，其中，多个第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管被置入传导状态或非传导状态，从而使得源极接地晶体管的漏极电流恒定，并且使得漏极电流中被提供给多个第一共源共栅晶体管的部分改变
可变增益放大器

[发明专利]显示面板中驱动晶体管阈值电压的检测方法及装置-CN201710737635.3有效
发明人：陈燚 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板中驱动晶体管阈值电压的检测方法及装置，属于显示领域。方法包括：为显示面板中每个驱动晶体管的栅极加载数据信号，为每个驱动晶体管的第一极加载参考信号，并为每个驱动晶体管的第二极加载电源信号；检测每个驱动晶体管处于截止状态时第一极上的第一极电压；根据第一极电压不在预设电压范围内的驱动晶体管的个数，确定目标驱动晶体管；调整加载在目标驱动晶体管的给定信号的电压，并再次检测每个目标驱动晶体管处于截止状态时第一极上的第一极电压；根据检测到的每个驱动晶体管的第一极电压，确定每个驱动晶体管的阈值电压。本发明有效地提高了检测到的驱动晶体管的阈值电压的准确性。
显示面板驱动晶体管阈值电压检测方法装置

[发明专利]电源电压产生电路-CN200410077633.9无效
发明人：江武;黄永兆;李云 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：一种电源电压产生电路，NMOS晶体管与PMOS晶体管的漏极形成电源电压输出端，源极与电源相连，栅极分别耦合至第二开关晶体管与第三开关晶体管的集电极。第一开关晶体管、第二开关晶体管与第三开关晶体管的集电极经由电阻与电源相连，发射极接地。第二开关晶体管的基极耦合至第一开关晶体管的集电极，第三开关晶体管的基极经一电阻耦合至第一开关晶体管的集电极。第一开关晶体管的基极经由电阻耦合至一信号源。通过利用本发明，可以避免计算机等电子产品在从“休眠”状态进入正常工作状态时发生死机现象，并降低制造成本。
电源电压产生电路

[发明专利]用于发光元件的像素电路-CN02156151.6有效
发明人：宫泽贵士 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2002-12-13 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：一种用于发光元件的像素电路，它(210)包括：电流编程电路(240)、电压编程用晶体管(251、252)。在设定有机EL器件(220)的发光辉度时，分别将第1和第2电压编程用晶体管(251、252)设定成截止状态和导通状态，利用电压信号(Vout)进行电压编程。然后，切换第1和第2电压编程用晶体管(251、252)的状态，利用电流信号(Iout)进行电流编程。
用于发光元件像素电路

[发明专利]绝缘栅极场效应晶体管-CN200580024432.5无效
发明人： J·R·卡特 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-07-18 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种场效应晶体管划分成多个单元(6)，并包括连接到第一晶体管单元(8)的分离的第一栅线(20)和连接到第二晶体管单元(10)的分离的第二栅线(22)。驱动电路用于将所有单元(6)驱动于正常的饱和工作状态，但是仅将第二单元(10)驱动于线性工作状态以减少该线性工作状态下使用的单元的数目。
绝缘栅极场效应晶体管