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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有引线框锚定杆的半导体功率模块封装-CN202310360933.0在审
发明人：牛志强;徐范锡;李俊鎬;李钟茂;鲁军;葛小荣 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种功率模块包括引线框、安装在引线框上的衬底、第一锚定垫、第二锚定垫、多个管芯垫和多个晶体管管芯。引线框包括附接到第一锚定垫的第一引线框锚定杆和附接到第二锚定垫上的第二引线框锚定杆。功率模块可以包括单个控制IC或两个或多个控制IC。对于包括单个控制IC的情况，单个控制IC控制第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管。对于包括两个控制IC的情况，低压IC控制第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，高压IC控制第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管。
具有引线锚定半导体功率模块封装

[发明专利]包含晶体管管芯支撑元件裸露表面的智能功率模块-CN202310129158.8在审
发明人：牛志强;徐范锡;李俊镐;李钟茂;葛小荣 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种智能功率模块(IPM)，包括第一晶体管管芯支撑元件、第二晶体管管芯支撑元件、第三晶体管管芯支撑元件和第四晶体管管芯支撑元件、多个引线、第一倾斜截面、第二倾斜截面、第三倾斜截面、第四倾斜截面、第五倾斜截面和模制封装。第一、第二、第三和第四晶体管管芯支撑元件中的每一个的相应底表面都从模制封装中裸露出来。
包含晶体管管芯支撑元件裸露表面智能功率模块

[发明专利]模制智能功率模块及其制造方法-CN201810989030.8有效
发明人：牛志强;徐范锡;赵原震;鲁军 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种智能电源模块(IPM)具有第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个金属‐氧化物‐半导体场效应晶体管(MOSFET)、一个连接杆、一个金属块、多个垫片、多个引线和一个成型封装。成型封装包装了第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个MOSFET，连接杆和多个垫片。金属块的底面从成型封装中裸露出来。IPM的制备工艺包括制备第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个MOSFET、连接杆、多个引线、金属块和多个垫片，并且利用成型工艺制备成型封装。
智能功率模块及其制造方法

[发明专利]防止加湿水的污染的加湿器-CN202080088305.6在审
发明人：李相勳;石昌民;金恕贞;徐范锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： F24F6/00 文献下载
摘要：所述加湿器包括：加湿构件；储水箱；循环水箱；残留水箱；供应泵，被构造为将容纳在所述储水箱中的水供应给所述循环水箱；循环泵，被构造为将容纳在所述循环水箱中的水供应给所述加湿构件。风扇，被构造为将空气吹向所述加湿构件，从而使蒸发的水排放到所述加湿器的外部；内管，被构造为形成流动通道，其中，未被所述加湿构件蒸发的水通过所述流动通道被回收到所述循环水箱；排水构件，被构造为选择性地将容纳在所述循环水箱中的水排放到所述残留水箱；以及控制器，被构造为基于所述储水箱中的水位在湿度模式下运行所述加湿器。
防止加湿污染加湿器

[发明专利]含有IGBT和超级结MOSFET的智能功率模块-CN202111250923.9在审
发明人： 徐范锡;马督儿·博德;牛志强;李俊鎬;徐小静;庄肇嵘 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种智能功率模块(IPM)，包括第一、第二、第三和第四芯片支撑元件、第一组绝缘栅双极晶体管(IGBTs)、第二组IGBT、第一组超级结金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFETs)、第二组超级结MOSFET，第五芯片支撑元件、低压集成电路、高压集成电路和成型封装。低压和高压集成电路连接到第五芯片支撑元件。所述成型封装封装了包括第一、第二、第三和第四芯片支撑元件、第一组IGBTs、第二组IGBTs、第一组超结MOSFETs、第二组超级结MOSFETs、第五芯片支撑元件、低压IC、高压IC。
含有 igbt 超级 mosfet 智能功率模块

[发明专利]模制智能电源模块-CN201810392566.1有效
发明人：牛志强;徐范锡;鲁军;赵原震 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种智能电源模块(IPM)具有第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET、拉杆、集成电路IC、多个引线和一个模塑封装。第一个MOSFET连接到第一个芯片焊盘上。第二个MOSFET连接到第二个芯片焊盘上。第三个MOSFET连接到第三个芯片焊盘上。第四、第五和第六个MOSFET连接到第四个芯片焊盘上。IC连接到拉杆上。模塑封装包装第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和低的六个MOSFET、拉杆和IC。智能电源模块具有小外形封装。减少了系统的设计时间，提高了可靠性。IC包括升压二极管。减小了智能电源模块的封装尺寸。
智能电源模块

[发明专利]具有对准键的半导体装置及其制造方法-CN201710858966.2有效
发明人：申树浩;李周益;李俊镐;李基硕;金光敏;文一荣;朴济民;徐范锡;尹灿植;李昊仁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：提供一种具有对准键的半导体装置及其制造方法。对准键在基底上，该对准键包括：第一子对准键图案，具有顺序地堆叠在基底上的第一导电图案、第二导电图案和覆盖介电图案；对准键沟槽，穿过第一子对准键图案的至少一部分；以及下导电图案，在对准键沟槽中。对准键沟槽包括：上沟槽，设置在覆盖介电图案中且具有第一宽度；以及下沟槽，从上沟槽向下延伸且具有比第一宽度小的第二宽度。下导电图案包括分别设置在下沟槽的相对侧壁上的侧壁导电图案。
具有对准半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有模制金属互连基板的功率模块及其制造方法-CN202011396197.7在审
发明人：牛志强;徐范锡;王隆庆;松·德兰;李俊鎬;何约瑟 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种互连基板，包括一个金属层、多个金属焊盘以及一个模塑封装。模制复合层封装多个金属焊盘240的绝大部分。多个金属焊盘中每个金属焊盘各自的顶面暴露于模塑封装的顶面。第一多个金属焊盘中每个金属焊盘各自的顶面，与模制复合层的顶面是共面的。功率模块包括互连基板、多个芯片、多个接合引线、多个端子、一个塑料外壳以及一个模块级模塑封装。一种用于制备互连基板的方法包括以下步骤：制备多个金属焊盘；加载一个金属层；制备一个模塑封装；以及使用一个分割工艺。
具有金属互连功率模块及其制造方法

[发明专利]开关速度可调的IGBT与超结MOSFET组合器件-CN202010990292.3在审
发明人： 徐范锡;马督儿·博德;管灵鹏;卡尔提克·帕德玛纳罕 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关速度可调的绝缘栅双极晶体管(IGBT)与超结金属‑氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)组合器件，具体公开了一种器件包括一个绝缘栅双极晶体管；以及一个超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管，其中绝缘栅双极晶体管和超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管是结构耦合的，并且其中配置超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管从“断开”状态切换到“接通”状态以及从“接通”状态切换到“断开”状态。
开关速度可调 igbt mosfet 组合器件

[发明专利]改良IGBT的轻负荷效率-CN202010990312.7在审
发明人：马督儿·博德;管灵鹏;卡尔提克·帕德玛纳罕;徐范锡 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改良绝缘栅双极晶体管(IGBT)的轻负荷效率，具体公开了一种装置包括一个绝缘栅双极晶体管和超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管，其中绝缘栅双极晶体管和超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管是电耦合的，还可选择结构耦合的。
改良 igbt 负荷效率

[发明专利]用于谐振逆变器的智能电源模块-CN201810184303.1有效
发明人： 徐范锡;赵原震;陈松 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H02H7/12 文献下载
摘要：一种智能电源模块包括一个电源开关、一个续流器件以及一个引入了栅极驱动电路和一个或多个电源开关保护电路的控制器电路。在一个实施例中，电源开关是一个绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件，续流器件是一个PN结二极管，将控制器电路配置成半导体集成电路(IC)。电源模块为电源开关器件配置了保护功能，保护电路形成在控制器电路IC上，与电源开关共同封装。在一些实施例中，电源模块中的控制电路包括一个有源软启动电路，激活该有源软启动电路实现电源开关的软启动。在其他实施例中，电源模块中的控制电路包括一个有源接通脉冲控制电路，以检测异常系统输入信号脉冲情况，闭锁系统不必要的输入脉冲。
用于谐振逆变器智能电源模块

[发明专利]模压智能电源模块-CN201710248384.2有效
发明人： 徐范锡;牛志强;赵原震;胡照群;陈松;步俊明 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种智能电源模块具有第一、第二、第三和第四芯片焊盘，第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管，连接杆、低压IC、高压IC、第一、第二和第三升压二极管、多个引脚和一个模压封装。第一晶体管连接到第一芯片焊盘上。第二晶体管连接到第二芯片焊盘上。第三晶体管连接到第三芯片焊盘上。第四、第五和第六晶体管连接到第四芯片焊盘上。低压和高压IC连接到连接杆。模压封装包围着第一、第二、第三和第四芯片焊盘，第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管，连接杆、低压IC、高压IC、第一、第二和第三升压二极管。本发明与现有的智能电源模块相比，具有减小顶表面积以及引脚数量的优点。
模压智能电源模块

[发明专利]用于切换电源器件的有源箝位过电压保护-CN201711077175.2有效
发明人： 徐范锡;赵原震;松·德兰 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：一种用于驱动电源开关的控制器，引入了一个保护电路，保护电源开关不受过电压或功率过冲等情况影响。保护电路包括一个故障检测电路和一个保护栅极驱动电路。配置故障检测电路监控电源开关上的电压，产生故障检测指示信号，配置保护栅极驱动电路，产生栅极驱动信号，根据检测到的故障情况，接通电源开关。确切地说，保护栅极驱动电路产生具有缓慢生效瞬变的栅极驱动信号，并在指定的栅极电压值下箝位。在这种情况下，保护电路配置电源开关有效箝位的栅极端，在过电压情况下安全地处理电源开关。
用于切换电源器件有源箝位过电压保护

[发明专利]用于开关电源器件的硬开关禁用-CN201810217150.6有效
发明人：陈松;徐范锡;赵原震 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：一种用于驱动电源开关的控制器引入一个硬接通禁用电路，当电源开关维持在高电压值时，防止电源开关接通。硬接通禁用电路包括一个硬接通检测电路和一个保护逻辑电路。硬接通禁用电路用于根据检测指示信号，闭锁系统输入信号或者将系统输入信号传递到电源开关的标准栅极驱动电路。尤其是保护逻辑电路根据高压检测，闭锁系统输入信号VIN，使得电源开关忽略可能是不正常的系统输入信号VIN，防止电源开关受到不必要的硬切换。
用于开关电源器件开关禁用

[发明专利]具有单列直插式引线的成型电源模块-CN201710891139.3有效
发明人： 徐范锡;牛志强;赵原震;陈松;步俊明 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种电源模块具有一个引线框、一个第一电源芯片、一个第二电源芯片、多个单列直插式引线、一个栅极驱动和保护集成电路（IC）、多个接合引线以及一个成型封装。第一和第二电源芯片贴在引线框的顶面上。多个单列直插式引线具有一个高压电源引线、一个低压电源引线以及多个信号控制引线。低压电源引线具有一个引线部分和一个外延部分。栅极驱动和保护IC贴在低压电源引线的外延部分。成型封装密封第一和第二电源芯片、低压电源引线的外延部分、栅极驱动和保护IC、多个接合引线以及至少一大部分引线框。
具有单列直插式引线成型电源模块

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