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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]液晶显示装置及电子设备-CN201080060448.2有效
发明人：山崎舜平;小山润;平形吉晴 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：此外，在一个像素中设置有分别连接到不同的像素电极层的两个晶体管，并且，通过使两个晶体管分别工作，可以独立控制反射区域的显示和透射区域的显示。
液晶显示装置电子设备

[发明专利]电化学装置用电解质、制备所述电解质的方法以及包含所述电解质的电化学装置-CN201180029348.8有效
发明人：权友涵;金帝映;李相英;吴丙薰;金奇泰;河孝庭 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01M10/0565 文献下载
摘要：所述电解质包含掺杂有离子盐的塑性晶体基质电解质和交联的聚合物结构的复合物。所述电解质，由于使用所述塑性晶体而具有可与液体电解质相比的高离子传导率，并由于引入所述交联的聚合物结构而具有可与固体电解质相比的高机械强度。另外，本发明公开了一种制备所述电解质的方法。
电化学装置用电制备电解质方法以及包含

[发明专利]静电放电电路-CN201180032659.X有效
发明人：斯蒂芬·V·科索诺奇;沃伦·R·安德森 -专利权人：超威半导体公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：所述多个电源域(21、22)中的每个电源域还包括耦合在所述局部电压节点和所述第二全局电压节点之间的电源门控晶体管(25)和被配置来检测ESD事件的发生并进一步被配置来响应于检测到所述ESD事件而使所述晶体管
静电放电电路

[发明专利]半导体装置及显示装置-CN201180025131.X有效
发明人：高桥圭;伊藤良明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：DC-DC转换电路；以及微处理器，其中DC-DC转换电路具有转换电路和控制电路，转换电路具有电感元件和晶体管，控制电路具有比较电路和逻辑电路使用滞回比较器作为所述比较电路。在所述转换电路中，晶体管根据逻辑电路的输出信号控制流过电感元件的电流，并且转换电路的输出信号是根据流过电感元件的电流而产生的。
半导体装置显示装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201180024131.8有效
发明人：山崎舜平;佐佐木俊成;野田耕生 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：通过在超过200℃的温度下利用溅射法形成用作晶体管的沟道形成区的氧化物半导体膜，使根据热脱附谱分析法从所述氧化物半导体膜脱离的水分子的数量为0.5个/nm3以下。通过防止会成为包括氧化物半导体膜的晶体管的电特性变动原因的水、氢、羟基或氢化物等的包含氢原子的物质混入到氧化物半导体膜中，可以使氧化物半导体膜高纯度化并成为电特性i型（本征）化半导体。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电子设备和系统及其生产和使用方法-CN201080061745.9有效
发明人：斯科特·E·汤普森;达莫代尔·R·图马拉帕利 -专利权人：苏沃塔公司
申请日： 2010-11-08 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：该DDC设计也可具有比传统体效应CMOS晶体管更强的体效应，这使得能够显著地动态控制DDC晶体管中的功耗。
电子设备系统及其生产使用方法

[发明专利]显示装置、液晶显示装置、电视接收机-CN201180024911.2有效
发明人：酒井保 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：像素(101)所包括的像素电极(17a)经由晶体管(12a)连接的数据信号线(15q)和在像素(101)中在列方向相邻的像素(102)所包括的像素电极(17b)经由晶体管(12b)连接的数据信号线(15Q
显示装置液晶电视接收机

[发明专利]固体摄像器件、电子设备和制造方法-CN201480029724.7有效
发明人：佐藤尚之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在所述固体摄像器件中，所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在FD部与放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，在除了所述FD部与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域
固体摄像器件电子设备制造方法

[发明专利]固体摄像装置及其驱动方法、照相机-CN201080064631.X有效
发明人：生熊诚;阿部丰 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H04N5/357 文献下载
摘要：固体摄像装置（1）是一个具有被配置成矩阵状的多个单位像素（3），并从以行单位被选择的单位像素（3）中读出像素信号的固体摄像装置，其包括：列信号线（19），被设置在所述多个单位像素（3）的每个列；放大晶体管25），被设置在所述多个单位像素（3）的每个列，根据像素信号的复位成分以及数据成分来进行相关双重检测，从而检测出信号成分，该数据成分包含像素信号的复位成分和信号成分；低通滤波器（300），被插入到放大晶体管的输出端子和相关双重检测部之间的列信号线
固体摄像装置及其驱动方法照相机

[发明专利]半导体器件-CN201080061571.6有效
发明人：山崎舜平;小山润;加藤清 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：使用除氧化物半导体之外的半导体材料形成第一晶体管。使用氧化物半导体材料形成第二晶体管。
半导体器件

[发明专利]多层吹塑容器及其制造方法-CN201180006278.4有效
发明人：上北弘幸 -专利权人：普瑞曼聚合物株式会社
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本发明的多层吹塑容器的特征在于，最外层所使用的树脂包含烯烃聚合物组合物（E），该烯烃聚合物组合物（E）含有丙烯类树脂（A）、乙烯-α-烯烃共聚物（B）和成核剂（D），丙烯类树脂（A）为（A－1）丙烯与α-烯烃的共聚物，（A－2）晶体熔点为140～155℃的范围，乙烯-α-烯烃共聚物（B）为（B－1）乙烯与1种以上的碳原子数为4～20的α-烯烃的共聚物，（B－2）晶体熔点为85℃以上且小于110℃的范围，烯烃聚合物组合物（E）的（E－1）
多层容器及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201080062032.4有效
发明人：竹村保彦;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H03K19/177 文献下载
摘要：另外，使用编程单元控制对基本块的电源电压的供应，该编程单元利用其沟道形成区使用氧化物半导体形成的场效应晶体管形成，该场效应晶体管具有极低的断态电流或极低的泄漏电流。
半导体装置

[发明专利]特别用于混合动力汽车或电动汽车的电加热系统-CN201180004532.7有效
发明人：拉尔夫·特拉普;汉斯-迪特尔·勒林 -专利权人：贝洱海拉温控系统有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H05B3/06 文献下载
摘要：此外，加热模块（10）包括晶体管(26)，用于控制通过电阻加热导体(24)的电流，其中晶体管(26)以及其他选择性出现的电组件(28)和导电带(30)被布置在陶瓷衬底(14)上的控制区(18)中。
特别用于混合动力汽车电动汽车加热系统

[发明专利]具有颜色混合防止结构的显示器-CN201380077499.X有效
发明人：杨英哲;陈宬;李仲元;金升基;方钟浩;李仁福;李祥州 -专利权人：苹果公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：该显示器可具有薄膜晶体管层和插置在滤色器层与薄膜晶体管层之间的液晶材料层。滤色器层可包括位于透明衬底上的滤色器元件阵列。滤色器元件可由彩色光致抗蚀剂形成。可在滤色器元件上沉积无机层。
具有颜色混合防止结构显示器

[发明专利]半导体存储装置-CN201080055292.9有效
发明人：寺田裕;仓田胜一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：在各存储单元由一个晶体管构成的半导体存储装置中，上述存储单元由相邻的2比特形成一个扩散图案(4)，相邻的两个晶体管共用源极区域，两个漏极区域被隔离。
半导体存储装置

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