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[发明专利]一种预测SiC单晶炉内整体温度场的方法及设备-CN202010322263.X有效
发明人：舒天宇;王雅儒 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本申请公开了一种预测SiC单晶炉内整体温度场的方法及设备，解决了无法实现对SiC单晶炉内温度场进行实时精确的测量的技术问题。方法包括：基于模拟仿真软件对SiC单晶炉内的测温孔温度场及整体温度场进行仿真，得到训练数据集；通过训练数据集，对神经网络模型进行训练，得到SiC单晶炉内整体温度场的预测神经网络模型；获取SiC单晶炉内的测温孔温度场；将测温孔温度场输入至温度场预测神经网络模型中，对SiC单晶炉内整体温度场进行实时预测。本申请通过上述方法实现了对SiC单晶炉内整体温度场的实时预测，相较于传统的人为经验预测，提高了温度预测的准确度，可以精确调节及控制SiC单晶炉的坩埚内的温度及分布。
一种预测 sic 单晶炉内整体温度场方法设备

[实用新型]单晶炉炉盖观察窗冷却系统-CN201220040687.8有效
发明人：梁冬方;莫丹君 -专利权人：浙江宏业新能源有限公司
申请日： 2012-02-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型的目的是提供一种单晶炉炉盖观察窗冷却系统，基于单晶炉整体循环系统，其特征在于：单晶炉整体循环系统与炉盖观察窗冷却系统隔绝，炉盖观察窗位于单晶炉炉壁上，炉盖观察窗内部中空，一端设冷却进口，另一端设冷却出口本实用新型的单晶炉炉盖观察窗冷却系统弥补了传统单晶炉整体循环系统在观察窗位置出现冷却死角的缺陷，避免了观察安全隐患。
单晶炉炉盖观察窗冷却系统

[发明专利]配置有单晶滤声器器件的整体单片集成式射频前端模块-CN201880018191.0在审
发明人：肖恩·R·吉布;戴维·艾歇勒;罗摩克里希纳·韦特力;马克·D·博姆加登;杰弗里·B·希利 -专利权人：阿库斯蒂斯有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种用于整体单片单晶器件的制造方法和结构。该方法可以包括：形成覆盖在衬底上的第一单晶外延层以及形成覆盖在第一单晶外延层上的一个或多个第二单晶外延层。可以处理所述第一单晶外延层和所述一个或多个第二单晶外延层以形成一个或多个有源或无源器件部件。通过该过程，形成的器件包括集成有多种电路功能的整体外延堆叠体。
单晶外延射频前端模块单晶器件单片集成电路功能无源器件堆叠体滤声器衬底单晶单片覆盖配置制造

[发明专利]一种用于硅单晶生长的水冷套-CN202311136599.7在审
发明人：王鹏;周倩;杨佐东 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅单晶生长的水冷套，属于硅单晶生产设备技术领域，通过设置两层水冷层，给硅单晶生长提供高效率的导热环境，内水冷层通过设置若干水冷板作围绕所述外水冷层的轴线远离和靠近运动，保持硅单晶圆柱体的表面和水冷板保持较近的距离，随着硅单晶的转动，硅单晶圆柱体在水冷板之间的导热均匀；较大程度的将水冷结构靠近生长的硅单晶圆柱体，使硅单晶圆柱体的温度快速传递，外水冷层能对坩埚上方的整体环境温度进行传导，保证了水冷套侧方位整体的密闭性，避免温度的外扩，此装置提升硅单晶生产环境的导热效率，提高硅单晶的硅单晶的冷却速度；使液态硅熔液向固态硅单晶的相转换速度提升，生产效率也随之提高。
一种用于硅单晶生长水冷

[实用新型]一种单晶硅棒截断专用丈量装置-CN201220121783.5有效
发明人：范靖;王建锁 -专利权人：阳光硅谷电子科技有限公司
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅棒截断专用丈量装置，包括测量件，所述测量件是呈弧形的板体，所述测量件的弯曲弧度与所述单晶硅棒外表面的弯曲弧度相适应，所述测量件沿单晶硅棒的纵向延伸以使测量件可贴合在所述单晶硅棒的外表面上，所述测量件上具有对应于所需截断后单晶硅棒长度的标示结构，以便按照该标示结构将单晶硅棒的整体长度划分为所需截断后单晶硅棒的长度。本实用新型的测量件是与单晶硅棒外表面的弯曲弧度相适应的弧形板体，它可贴合在所述单晶硅棒的外表面上而将单晶硅棒的整体长度划分为所需截断后单晶硅棒的长度，不仅结构简单、操作简便且易于制作，可避免现有丈量方式所出现的偏位或丈量标尺错位的现象
一种单晶硅截断专用丈量装置

[实用新型]一种单晶大芯片高亮度灯板-CN202120235666.0有效
发明人：李广会 -专利权人：辽宁缔康源健康科技有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶大芯片高亮度灯板，包括：单晶芯片、金线、支架、胶体、二极管、电阻、负极引脚、正极引脚和PCB板。所述单晶芯片安置于支架中心；所述支架为单晶专用支架；所述支架连通于负极引脚；所述金线连通单晶芯片到正极引脚；所述胶体包封在单晶芯片，金线，支架以及正负极引脚的部分构成5050型灯珠；所述灯珠整体通过SMT该设计的单晶芯片的尺寸为20μm，亮度高，射程远，专用支架散热性好，可以解决大尺寸单晶芯片的散热问题，胶体内部呈30°角的二次点胶设计，照射距离远，聚光性好，灯板整体封装容易
一种单晶大芯片亮度

[实用新型]一种单晶炉防震结构-CN202021498010.X有效
发明人：李建波;刘杰;马自成;余永红 -专利权人：四川永祥硅材料有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： E02D27/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉防震结构，包括多台单晶炉本体和设置于单晶炉本体上的设备基础，还包括连接板，其中连接板将任意两台单晶炉本体上的设备基础连接为一个整体。如此设置，增加了单台单晶炉的配重，减少了一台设备转动时对另一台设备所造成的震动，从而避免了单晶棒细颈断裂，加长了单晶棒的拉制长度，减少了单晶棒的更换时间，减少了单晶棒更换出炉的次数，进而提高了单晶炉设备的生产效率
一种单晶炉防震结构

[发明专利]一种增加区熔单晶炉运行时单晶稳定性的方法及装置-CN200810246877.3无效
发明人：谷宇恒;梁书正;赵洋 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：一种增加区熔单晶炉运行时单晶稳定性的方法及装置，该方法是通过夹持装置与运行中的单晶实体接触，对单晶提供支持力用于消除单晶运行时，晃动和倒伏的现象，所述的与运行中的单晶实体接触的是夹持针，该夹持针与夹持牵引系统本发明的优点是：增加设备运行中单晶的稳定性的同时，又不影响单晶体生长的外部环境和工艺条件，这就意味着该方法可以在整体流程不变的情况下，提高了单晶生长环节中的单晶体的稳定性以及单晶完整率。
一种增加区熔单晶炉运行时单晶稳定性方法装置

[发明专利]一种制备大尺寸单晶的方法-CN202010306276.8在审
发明人：王书杰;孙聂枫;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰;徐森锋;姜剑;刘惠生;孙同年 -专利权人：中国电子科技南湖研究院;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：一种制备大尺寸单晶的方法，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过固态连接方式制备成大尺寸单晶的方法。包括以下步骤：材料选取：选取物理特性整体相近且拼接面晶向精度基本一致的半导体单晶块；拼接面加工：对半导体单晶块的拼接面进行经过定向、抛光、酸洗处理；单晶拼合：将加工后的单晶块，拼接面与拼接面对接；单晶连接：将拼合后的单晶块，在真空洁净环境或者在挥发性气氛下施加特定的压力，完成大尺寸单晶的制备。有益效果：1、将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，2、设备简单，3、制备过程控制简单，4、理论上可以制备任意尺寸的单晶。
一种制备尺寸方法

[实用新型]一种外保温可旋转的碳化硅单晶生长装置-CN201821809101.3有效
发明人：宁秀秀;高超;梁晓亮;李霞;宗艳民;李长进;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种外保温可旋转的碳化硅单晶生长装置，包括：单晶生长装置、设在单晶生长装置外的保温装置、与单晶生长装置相连的保护气装置，其特征在于，所述单晶生长装置固定设置，所述保温装置可围绕单晶生长装置进行旋转本申请所提供的碳化硅单晶生长装置简单，自动化程度高，整体费用低，经济效益高，该方法制备的碳化硅晶体内部应力小，基本上没有晶格错位现象的发生。
单晶生长装置碳化硅单晶生长装置保温装置可旋转的外保温保护气装置碳化硅晶体固定设置晶格错位整体费用制备申请自动化

[发明专利]一种单晶炉整体-CN201210039066.2无效
发明人：黄永明;王建文;陈永华 -专利权人：浙江百隆机械有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉整体，包括机架、炉底盘、下炉膛、上炉膛、炉盖、上炉体、水平调整支架、籽晶提升装置，所述的机架内设有空腔，空腔内安装有坩埚提升装置，机架上摆放有炉底盘，下炉膛和上炉膛连接在一起，摆放在炉底盘上
一种单晶炉整体

[实用新型]一种单晶炉整体-CN201220055688.X有效
发明人：黄永明;王建文;陈永华 -专利权人：浙江百隆机械有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉整体，包括机架、炉底盘、下炉膛、上炉膛、炉盖、上炉体、水平调整支架、籽晶提升装置，所述的机架内设有空腔，空腔内安装有坩埚提升装置，机架上摆放有炉底盘，下炉膛和上炉膛连接在一起，
一种单晶炉整体

[实用新型]一种单晶炉用导流筒-CN202120108683.8有效
发明人：赵刚;高磊 -专利权人：内蒙古华耀光电科技有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉用导流筒，包括外导流筒及套设在外导流筒内部的内导流筒，在内导流筒的下口处可拆卸的安装有导流筒套环，通过更换不同尺寸的导流筒套环，使得导流筒套环的最小内径与待拉制的单晶尺寸相对应。本实用新型的单晶炉用导流筒为了满足不同直径单晶硅棒的拉制，仅需要对导流筒的个别组件进行更换即可改变导流筒下口直径，不需要整体更换导流筒整体组件，降低了生产成本。
一种单晶炉用导流

[发明专利]一种直拉法硅单晶新型扩肩方法-CN202111152823.2在审
发明人：景吉祥;李雪峰;高润飞 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，包括：实时检测单晶长度和单晶直径，计算所述单晶实际斜率；将所述单晶实际斜率与所述单晶最优斜率范围进行对比，若所述单晶实际斜率在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速为设定拉速；若所述单晶实际斜率不在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速发生变化，为拉速系数z×所述设定拉速，直至所述单晶扩肩完成。本发明的有益效果是在现有逻辑基础上增加扩肩斜率判断，将设定斜率与实时斜率进行范围的比对，能够快速准确的显示出炉内单晶扩肩的真实情况，并且根据实际情况进行拉速的调整，提高整体单晶的成活率，解决目前进行扩肩工艺时存在滞后性，导致单晶扩肩成活率低的问题。
一种直拉法硅单晶新型方法

[实用新型]一种可调控高纯铜单晶取向的组合式引杆装置-CN202220562676.X有效
发明人：任玉平;田文斌;秦高梧 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B22D11/14 文献下载
摘要：一种可调控高纯铜单晶取向的组合式引杆装置，包括单晶引锭头、联结头及牵引杆；单晶引锭头底端与联结头顶端相连接，单晶引锭头与联结头采用可拆卸式连接结构；联结头底端与牵引杆顶端相连接，联结头与牵引杆采用可拆卸式连接结构；单晶引锭头与液态金属铜接触面的法向作为单晶取向，通过调整单晶引锭头与液态金属铜接触面的法向方向对单晶取向进行调控。本实用新型用于替代传统单体式常规引锭杆，通过单晶引锭头实现对高纯铜单晶取向的调控；引杆装置整体采用组合式结构，具有结构简单及方便拆卸的特点，每次制造特定单晶取向的单晶铜杆前，只需更换具有对应单晶取向的单晶引锭头即可，引杆装置其他部件可重复使用，节约了单晶铜杆的生产成本。
一种调控高纯铜单晶取向组合式装置

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