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- [发明专利]一种用于硅单晶生长的水冷套-CN202311136599.7在审
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王鹏;周倩;杨佐东
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重庆臻宝科技股份有限公司
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2023-09-05
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2023-10-24
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C30B29/06
- 本发明公开了一种用于硅单晶生长的水冷套，属于硅单晶生产设备技术领域，通过设置两层水冷层，给硅单晶生长提供高效率的导热环境，内水冷层通过设置若干水冷板作围绕所述外水冷层的轴线远离和靠近运动，保持硅单晶圆柱体的表面和水冷板保持较近的距离，随着硅单晶的转动，硅单晶圆柱体在水冷板之间的导热均匀；较大程度的将水冷结构靠近生长的硅单晶圆柱体，使硅单晶圆柱体的温度快速传递，外水冷层能对坩埚上方的整体环境温度进行传导，保证了水冷套侧方位整体的密闭性，避免温度的外扩，此装置提升硅单晶生产环境的导热效率，提高硅单晶的硅单晶的冷却速度；使液态硅熔液向固态硅单晶的相转换速度提升，生产效率也随之提高。
- 一种用于硅单晶生长水冷
- [发明专利]一种硅环斜面加工工装-CN202310995271.4在审
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李善维;杨伟;郭朋飞;杨佐东;陈立航;郑宣
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重庆臻宝科技股份有限公司
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2023-08-09
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2023-09-19
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B25B11/00
- 本发明公开了一种硅环斜面加工工装，属于半导体零部件加工工装技术领域。包括空心安装壳体，所述空心安装壳体的一端设有封闭端面，所述封闭端面上设有十字形分布的通槽，所述通槽位于封闭端面内侧面上的均设有滑道，所述滑道的一端与封闭端面固定连接，所述滑道的另一端设有隔板，所述隔板的边缘与空心安装壳体的内侧面可拆卸式连接，所述滑道内均设有滑块，所述滑块朝向空心安装壳体中部的一端上设有中空的推动架，所述推动架的一端固定于滑块上，所述推动架的另一端延伸至通槽的上方，所述隔板的下方设有转轴上。本技术方案用以解决现有技术中使用粘蜡方式对硅环进行固定的方式对硅环斜面进行加工，导致加工效率低和合格率低的问题。
- 一种斜面加工工装
- [发明专利]一种陶瓷振动注浆成型装置及方法-CN202210715585.X有效
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余宜璠;陈立航;郑宣
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重庆臻宝科技股份有限公司
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2022-06-23
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2023-09-05
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B28B3/02
- 本发明公开了一种陶瓷振动注浆成型装置及方法，包括：工作台，所述工作台上安装有吸浆模具，所述工作台上安装有安装架，所述安装架上安装有加压机构，所述加压机构输出端能够延伸至所述吸浆模具内挤压浆料，所述工作台滑动安装在振动机构上，所述振动机构用于带动所述工作台往复运动以实现工作台的振动。将石膏块放入吸浆模具中并倒入浆料；静置待浆料表面呈现膏状或酸奶状；通过加压机构施加预设压力将浆料挤压至石膏块内；将吸浆模具整体放入干燥箱中烘干。本发明通过振动机构带动工作台和加压机构往复运动，使加压过程中浆料振动，以使浆料均匀的注入石膏块内，且形成的成型坯体密度均匀，避免成型坯体出现内部空鼓，保证了成型坯体质量。
- 一种陶瓷振动成型装置方法
- [发明专利]一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液及蚀刻方法-CN202211186904.9有效
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王燕清;陈立航;杨佐东
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重庆臻宝科技股份有限公司
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2022-09-28
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2023-09-05
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C09K13/08
- 本发明公开了一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液，属于蚀刻技术领域，其蚀刻液由以下物质的水溶液组成：氟化铵、硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、山梨醇、聚氧乙烯醚化合物，按重量份计：氟化铵10‑18份、硝酸钾11‑15份、硫酸40‑45份、过硫酸铵0.5‑1.5份、山梨醇0.5‑1.5份、聚氧乙烯醚化合物0.3‑0.8份、氢氟酸0.5‑1.5份、磷酸脂盐0.7‑1.3份；还公开了一种硅材料微孔蚀刻的蚀刻方法，包括如下步骤：S1、称取氯化铵后加水溶解，加入硝酸钾、硫酸、过硫酸铵搅拌均匀并冷却，再加入山梨醇、聚氧乙烯醚化合物后加余量水定容；S2、将混合溶液加热至30‑50℃，放入表面设有若干个微孔的硅产品进行蚀刻。本发明工艺简单，便于大批量生产蚀刻液，且制备的蚀刻液蚀刻效果好。
- 一种用于材料微孔蚀刻方法
- [发明专利]上部电极气孔修复工艺-CN202011004483.4有效
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李东一
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重庆臻宝科技股份有限公司
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2020-09-22
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2023-09-05
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H01J37/32
- 本发明涉及上部电极技术领域，提供了一种上部电极气孔修复工艺，包括以下步骤：a)将第一基板贴合在上部电极的表面上，并使得第一基板上的多个通孔与上部电极上的多个喷气孔一一对应，每个通孔的孔径都大于对应的喷气孔的孔径；b)第一基板与上部电极的表面通过耐热双面胶粘接；c)移动等离子溶射设备，使其喷涂口与第一基板上的某一个通孔对齐；d)开启等离子溶射设备，将涂料喷洒在与该通孔对应的喷气孔的内壁及周围的上部电极表面上，完成该喷气孔的溶射作业，形成新的涂层保护膜；e)继续移动等离子溶射设备，对其它喷气孔进行溶射作业。本发明提供的一种上部电极气孔修复工艺，能够修复损坏的喷气孔。
- 上部电极气孔修复工艺
- [发明专利]硅环台阶检测装置-CN202210121891.0有效
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李善维;杨佐东
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重庆臻宝科技股份有限公司
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2022-02-09
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2023-09-05
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G01B5/00
- 本发明公开了一种硅环台阶检测装置，包括斜置的检测台以及转台组件和检测组件，所述转台组件包括与检测台平行设置且可被驱动转动的转台以及对中件和定位件，所述转台以在垂直于检测台方向上升降的方式设置于检测台上方，所述对中件设置于转台底部用于调节使得硅环对中，所述检测台侧部设置有缺口，所述检测组件设置于检测台缺口处并正对硅环台阶面检测，所述定位件设置于转台上，所述定位件用于对对中后的硅环夹持定位，且定位件随着转台转动并驱动硅环贴合于检测台表面转动。本发明中通过对中件使得硅环与转台保持同轴，在硅环随转台转动过程中，检测组件可快速对经过缺口上方的硅环台阶结构进行检测，整个检测过程较快，利于提高检测精度和检测效率。
- 台阶检测装置
- [发明专利]CVD法再生过程解决SiC边缘环界面和应力的方法-CN202310390772.X在审
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陈鸿钰;陈立航;杨佐东;郑宣
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重庆臻宝科技股份有限公司
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2023-04-13
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2023-07-11
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C23C16/04
- 本发明公开了CVD法再生过程解决SiC边缘环界面和应力的方法，属于CVD法沉积薄膜技术领域，S1、将SiC基底表面处理后置于化学气相沉积室内；S2、将沉积室内抽真空至压力小于5Pa，6‑20小时内升温至1000‑1400摄氏度进行加热，保温1‑5小时；S3、通入载气至气压达到500‑10000Pa，并通入混合气体进行沉积；S4、再次对沉积室内抽真空，充入载气至压力达到30‑100kPa，重复此步骤1‑3次；S5、2‑10小时内升温至1300‑1700摄氏度，再持续充入载气，载气流量为30‑60ml/min，压力为10‑55kPa；S6、保温2‑10小时后，降温至室温后取出SiC基底。本发明满足客户一次使用寿命后产品不断再生使用；解决了沉积厚度提高而产生的薄膜内应力残留；解决了蚀刻时等离子冲蚀至基材与沉积间之界面，造成的晶圆不良率的产生。
- cvd再生过程解决sic边缘界面应力方法
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