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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]双极结型半导体器件及其制造方法-CN201510976838.9有效
发明人：连延杰;傅达平;吉杨永 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：根据本公开的实施例，双极结型半导体器件包括形成于半导体衬底中的第一掩埋层、形成于该第一掩埋层上的第一外延层和第二外延层、制作于第一外延层和第二外延层中的PNP双极结型晶体管单元、NPN双极结型晶体管单元和第一隔离结构该第一隔离结构位于PNP双极结型晶体管单元和NPN双极结型晶体管单元之间，并且与所述第一掩埋层连接在一起形成隔离屏障。
双极结型晶体管外延层半导体器件双极结型掩埋层衬底隔离结构隔离屏障有效地半导体载流子隔离寄生制造制作

[发明专利]低触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法-CN201610321776.2有效
发明人：杜明;裴国旭;董巧;邓颖慧;汤波;李晓辉 -专利权人：深圳市国微电子有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了一种低触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法，该器件包括：衬底，在衬底中形成的第一、第二掩埋层；在第一掩埋层上通过生长外延、掺杂后形成的第一阱，在第二掩埋层上生长成的外延层和在外延层上由外向内依次形成第二
触发正负 scr esd 防护器件及其工艺方法

[发明专利]耐正负高压的SCR ESD防护器件及其工艺方法-CN202110112896.2有效
发明人：杜明;裴国旭;李会羽;陈锡均 -专利权人：深圳市国微电子有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了一种耐正负高压的SCR ESD防护器件及其工艺方法，该防护器件包括：衬底，在衬底中形成的第一、第二掩埋层；在第二掩埋层上生长成的外延层和在外延层中形成的第一、第二漂移区，分别在第一、第二漂移区和外延层的交界处形成的第一，第二注入区；在第一掩埋层上通过生长外延、掺杂后形成的第一阱，分别在第一、第二漂移区中形成的第二，第三阱；分别在第一、第二、第三阱中形成的第一类型有源区
正负高压 scr esd 防护器件及其工艺方法

[发明专利]用于微电子和微系统的结构的制造方法-CN201210058695.X无效
发明人：贝尔纳·阿斯帕尔 -专利权人： S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：具体地，涉及一种用于制造如下结构的方法，所述结构包括表面层(2、61)、至少一个掩埋层(4、34)、以及支架(6、72)，所述方法包括：在第一支架(6)上制造第一结构的第一步骤，所述第一结构包括第一层(4、34)，所述第一层具有由第一材料制成的第一区域以及包括空腔的至少一个第二区域，所述空腔中填充有第二材料，所述第二材料的蚀刻速率高于或低于所述第一材料的蚀刻速率；之后形成所述掩埋层以及形成所述表面层(2、61)的第二步骤，所述掩埋层由所述第一层形成，所述表面层(2、61)通过所述第一结构与第二支架(32、72)的组合而形成。
用于微电子系统结构制造方法

[实用新型]一种垂直钻探式抽沙船-CN202120325919.3有效
发明人：陆雪元 -专利权人：陆雪元
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： E02F5/28 文献下载
摘要：所述抽沙集成箱顶端分别开设有抽沙管口和进水管口，所述抽沙集成箱底端分别连接有水管以及沙管，所述水管和沙管远离抽沙集成箱的一侧连接有吸沙总成机构，所述吸沙总成机构底端连接有钻探头，所述抽沙船底端设有河表层，所述河表层底端设有掩埋层，所述掩埋层上部分为泥层，所述掩埋层内部位于泥层底端设有黏土层，所述黏土层底层设有沙层，通过设置的抽沙管口、进水管口、水管、沙管以及吸沙总成机构，从而提高了抽沙船抽沙时的稳定性和安全性，间接提高了抽沙效率
一种垂直钻探沙船

[实用新型]带有SIPOS屏蔽层的高压二极管-CN202320615732.6有效
发明人：姜鹏 -专利权人：无锡紫光微电子有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有SIPOS屏蔽层的高压二极管，在硅衬底的正面设有掩埋层，在掩埋层的正面设有半绝缘多晶硅层，在半绝缘多晶硅层的正面设有N‑外延层，在N‑外延层的正面中心位置设有N环，在N环的正面设有本实用新型在N‑外延层和掩埋层之间插入半绝缘多晶硅层，提高了器件击穿电压，且不牺牲器件的电特性。
带有 sipos 屏蔽高压二极管

[发明专利]掩埋式齐纳设计-CN202210213986.5在审
发明人：苏米特拉·拉杰·梅赫罗特拉;夏柯俊 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种用于制造齐纳二极管的方法包括将具有N型掺杂剂的N型掩埋层(NBL)植入到第一外延层中，其中所述NBL包括不包括所述N型掺杂剂的NBL开口。对在所述NBL下方具有峰值PBL掺杂浓度的P型掩埋层(PBL)进行植入。在所述NBL上方生长第二外延层。
掩埋式齐纳设计

[发明专利]高耐电压的半导体器件以及制造该器件的方法-CN200410038567.4无效
发明人：饭田健 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-05-09 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：比半导体层具有更高浓度的一种导电类型掩埋层直接提供于与偏移扩散层的深度几乎相同的栅极之下。掩埋层分散了位于漏极结的电场集中，从而确保了高耐电压。
电压半导体器件以及制造器件方法

[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法-CN201210422891.0有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管及其形成方法，其中，所述鳍式场效应管包括绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括顶层硅层、底层硅层和位于顶层硅层和底层硅层之间的掩埋层，顶层硅层作为鳍式场效应管的鳍部；位于顶层硅层中暴露掩埋层表面的第二开口；位于第二开口的侧壁的第一隔离层；位于掩埋层中暴露底层硅层表面的第三开口，第三开口的位置与第二开口的位置相对应；填充满第二开口和第三开口的外延硅层，外延硅层的顶部表面高于顶层硅层的表面，外延硅层和底层硅层构成背栅
场效应及其形成方法

[发明专利]多触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法-CN201610321749.5有效
发明人：杜明;陈瑞军;刘玲;汤波;李晓辉 -专利权人：深圳市国微电子有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了一种多触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法，该器件包括：衬底，在衬底中形成的第一、第二掩埋层；在第一掩埋层上通过生长外延、掺杂后形成的第一阱，在第二掩埋层上生长成的外延层和在外延层中形成的第二
触发正负 scr esd 防护器件及其工艺方法

[发明专利]具有高维持电压的SCR ESD保护结构-CN200910212765.0无效
发明人：易扬波;杨东林;祝靖;王钦;刘侠 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种具有高维持电压的静电放电防护SCR结构，形成于一器件上，所述器件包括包含P型衬底，在P型衬底上设有N型掩埋层，在N型掩埋层上设有N型阱，在P型衬底上还设有与N型阱平行的P型阱。SCR结构便由N型阱中的P+掺杂区，N型阱区域，P型阱区域，P型阱中的N+掺杂区构成，它通过P型衬底和N型阱之间的掩埋层来增加维持状态下的N阱电阻，从而增加了维持电压。
具有维持电压 scr esd 保护结构

[发明专利]重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容-CN202010145536.8有效
发明人：武鹏飞;F·J·斯泰格沃德;S·L·费恩特 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)包括第一导电类型的源极区和漏极区。MOSFET还包括第一导电类型的掩埋区，其中掩埋区设置在所述主体区域和基板之间，其中掩埋区被配置为响应于在所述主体区域和所述掩埋区之间施加的指示电压来减小所述源极区和所述掩埋区之间的电容。
重度掺杂掩埋减少 mosfet 截止电容

[发明专利]光耦合器、光芯片和光通信设备-CN202111552746.X在审
发明人：桂成程;曾成;夏金松;宋小鹿 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：光耦合器包括掩埋层、支撑层、波导层和上包层。在高度方向上，支撑层在掩埋层和波导层之间。波导层在支撑层和上包层之间。在宽度方向上，波导层和支撑层位于上包层内部。波导层和支撑层的材料不同。
耦合器芯片光通信设备

[发明专利]半导体器件-CN201480019003.8有效
发明人：山路将晴 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：在p型半导体衬底(1)上具有自举二极管(Db)和高耐压场效应晶体管(62)的半导体器件(100)中，通过在半导体衬底(1)的n‑型掩埋层(50)内形成空腔(3)，将该空腔下部的掩埋层(50)用作高耐压n
衬底半导体器件自举二极管掩埋层半导体耐压场效应晶体管空穴自举电容器充电电流空腔下部漂移区域正向偏置高耐压漏电流空腔漏极芯片

[实用新型]一种四相连通井-CN201920839437.2有效
发明人：肖亚军 -专利权人：苏州规划设计研究院股份有限公司
申请日： 2019-06-01 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： E02D29/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种四相连通井，包括井体、以及位于井体下方的掩埋层，井体通过十字形隔板分隔成四个井舱，井舱的两个外侧边分别设有出管口，井舱内有同一列井舱设置的第一走线管道穿过，井舱下方所对应的掩埋层内有同一行井舱设置的第二走线管道穿过
一种相连

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