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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN200410083394.8无效
发明人：藤井宏基 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在构造为具有由形成在P型半导体衬底上的外延层构成的漏区域而替代在之间的N型掩埋层的DMOSFET中，在漏区域中具有嵌入在其中的N型源区域的P型体区域和漏延伸区域在外延生长前形成N型重掺杂掩埋层，从而至少在通过增加在漂移区下的区域中的N型掩埋层的杂质浓度，能够抑制击穿并由此抑制漏耐压的降低，同时降低漏电阻。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]光学半导体器件及组装该光学半导体器件的方法-CN202010951669.4在审
发明人：高田干 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：该光学半导体器件包括：台面，该台面被设置在具有(100)面取向并且是第一导电类型的半导体衬底的011方向上的表面上，并且包括第一导电类型的第一包层、有源层和第二导电类型的第二包层；半绝缘掩埋层，该半绝缘掩埋层掩埋台面的两侧、被设置在半导体衬底上、并且包括第一区域和第二区域，第二区域相比于第一区域距台面更远；绝缘膜，该绝缘膜被设置在掩埋层的第一区域和第二区域上；以及电极，该电极被设置在台面上和第一区域上的绝缘膜上；其中，第一区域的表面在等于或低于台面的表面的高度的高度处
光学半导体器件组装方法

[发明专利]生产III族氮化物半导体发光器件的方法-CN201110302936.6有效
发明人：中井真仁;筱田大辅;新田州吾;斋藤义树 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上，以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。
生产 iii 氮化物半导体发光器件方法

[发明专利]半导体结构、双极型晶体管布置及制造半导体器件的方法-CN200810131428.4有效
发明人：理查德·K·威廉斯;迈克尔·E·康奈尔;陈伟田 -专利权人：先进模拟科技公司
申请日： 2003-08-13 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：该半导体结构包括：第一导电类型的半导体衬底；形成于所述衬底之上的所述第一导电类型的外延层；形成于所述外延层中的槽，所述槽包含电介质材料；与所述槽的侧面邻接的第二导电类型的区域；及所述第二导电类型的掩埋层，所述掩埋层从所述衬底向上延伸并与所述区域汇合。
半导体结构双极型晶体管布置制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110076566.9无效
发明人：刘正超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件制造方法包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括体硅材料层、氧化掩埋层以及顶层硅；依次刻蚀所述顶层硅和氧化掩埋层，以形成接触孔；在所述顶层硅表面和接触孔内同时生长外延层
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种量子点超辐射发光二极管-CN201620374082.0有效
发明人：訾慧;薛正群;苏辉;王凌华;林琦;林中晞;陈阳华 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种量子点超辐射发光二极管，包括：一次外延结构和掩埋异质结结构，一次外延结构包括：沿晶向依次设置的N⁺‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlGaAsAlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)和P‑AlGaAs覆盖层(7)；N‑AlGaAs覆盖层(3)到P‑AlGaAs覆盖层(7)形成沿晶向的脊结构；掩埋异质结结构包括沿晶向依次设置的P‑AlGaAs掩埋层(12)、N‑GaAs掩埋层(13)和P⁺‑GaAs接触层(14)。
一种量子辐射发光二极管

[发明专利]对刻蚀后的半导体结构的钝化-CN200980130163.9无效
发明人：布鲁斯·富尔;帕斯卡·昆纳德 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明还涉及一种半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：提供包括形成在第二材料层下方的至少一个掩埋层的多层堆叠；对多层堆叠的表面进行图案化特别是刻蚀，穿透第二材料层，由此露出至少一个掩埋层的多个部分；至少在至少一个掩埋层的露出的部分上沉积扩散阻挡层，使得基本上防止在对多层堆叠进行后续热处理期间至少一个掩埋层的材料穿过扩散阻挡层进行扩散。
刻蚀半导体结构钝化

[发明专利]包括LDMOS晶体管的半导体装置-CN202010855081.9在审
发明人： A.比尔纳;M.布劳恩;H.布雷赫;C.埃克尔;M.齐格尔德伦 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：RESURF结构包括掺杂掩埋层，掺杂掩埋层被布置在半导体衬底中，与前表面和后表面分隔开一定距离，并且与LDMOS晶体管的沟道区域和主体接触区域中的至少一个区域耦合。
包括 ldmos 晶体管半导体装置

[发明专利]一种艾萨炉的阻溅板-CN202211391670.1在审
发明人：胡卫欢;闫丽峰;刘东东;李渊;闫晓影;徐凯旋 -专利权人：河北万丰冶金备件有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F27B14/08 文献下载
摘要：其中阻溅板包括：保护层；导热层，其设置在所述保护层上方；以及掩埋层，其设置在所述导热层上方；其中，所述掩埋层中包括多个水道，所述多个水道经配置以允许冷却水沿所述多个水道流动。
一种艾萨炉阻溅板

[发明专利]包括LDMOS晶体管的半导体装置-CN201710485102.0有效
发明人： A.比尔纳;M.布劳恩;H.布雷赫;C.埃克尔;M.齐格尔德伦 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：RESURF结构包括掺杂掩埋层，掺杂掩埋层被布置在半导体衬底中，与前表面和后表面分隔开一定距离，并且与LDMOS晶体管的沟道区域和主体接触区域中的至少一个区域耦合。
包括 ldmos 晶体管半导体装置

[实用新型]一种ESD防护器件结构-CN202020119964.9有效
发明人：高耿辉;李德第;马田华 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种ESD防护器件结构，包括P型衬底（11）、第一N型掩埋层（21）至第二N型掩埋层（22）、第一P型外延层（31）至第四P型外延层（34）、第一N阱扩散区（41）至第三N阱扩散区（43）
一种 esd 防护器件结构

[发明专利]微镜装置、微镜晶圆级封装方法及光学窗口雏形制作方法-CN201911256879.5在审
发明人：马宏 -专利权人：觉芯电子（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明提供一种微镜晶圆级封装方法，包括以下步骤，准备第一晶圆，所述第一晶圆包括器件层、掩埋层和衬底层；在所述器件层表面定义微镜的轮廓，在所述器件层表面的特定范围内蒸镀构成至少一个镜面反射层和若干个焊盘；露出所述器件层表面定义的微镜结构；将预先制备的光学窗口雏形与所述器件层耦接；在定义范围内对所述衬底层进行背腔刻蚀至所述掩埋层；刻蚀在背腔范围内暴露的所述掩埋层，释放微镜的可动部分；所述衬底层与第三晶圆耦接封装微镜结构
装置微镜晶圆级封装方法光学窗口雏形制作方法

[发明专利]一种微镜装置及其制备方法-CN202010315540.4在审
发明人：马宏 -专利权人：觉芯电子（无锡）有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本申请提供一种微镜装置及其制备方法，该微镜装置包括衬底层、第一掩埋层和器件结构层，衬底层、第一掩埋层和器件结构层依次层叠连接；器件结构层包括可动结构，可动结构包括可动镜面和驱动板；可动镜面的正面和驱动板上均设有减重部，可动镜面的背面设有金属反射层；衬底层上设置有背腔结构，背腔结构能够为可动结构提供运动空间；第一掩埋层上设有通光区域，背腔结构和通光区域能够将金属反射层暴露在外。
一种装置及其制备方法

[发明专利]半导体激光器-CN202210498507.9在审
发明人：横川翔子;中林厚 -专利权人：朗美通日本株式会社
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：一种半导体激光器，包括：多量子阱层，其在台面结构中；掩埋层，所述掩埋层包括半绝缘半导体，所述掩埋层与所述台面结构的两侧中的每一侧接触；第一包覆层，其具有第一导电类型，所述第一包覆层具有比所述多量子阱层更低的折射率
半导体激光器

[发明专利]一种含石墨烯夹层的偏振滤模器及其制作方法-CN202211592249.7在审
发明人：郝婷;陆龙钊;周赤;吉贵军;卢金龙;胡彦斌;赵希 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明提供一种含石墨烯夹层的偏振滤模器及其制作方法，包括基底、掩埋层、平板波导层、石墨烯层和脊状波导层，掩埋层位于基底的上方，平板波导层位于掩埋层的上方，石墨烯层位于平板波导层的上方，脊状波导层位于石墨烯层的上方
一种石墨夹层偏振滤模器及其制作方法

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