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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁致电阻效应型磁头及其制造方法-CN99123120.1无效
发明人：稻熊辉往 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 1999-10-21 - 公布日： 2000-04-26 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：软磁薄膜6通过利用具有反向锥形的开口的抗蚀剂膜48和去除(lift-off)工艺形成。可选择的是,第一抗蚀剂膜48a和突出于第一抗蚀剂膜48a之外进入开口中的第二抗蚀剂膜48b可与去除(lift-off)工艺一起使用。
致电效应磁头及其制造方法

[发明专利]阳离子聚合性抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201680018426.7有效
发明人：绪方裕斗;木村茂雄;臼井友辉;大桥智也;岸冈高广 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本申请的课题在于提供一种用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，所述光刻用抗蚀剂下层膜在半导体装置制造的光刻工艺中，不仅能够作为减轻对半导体基板上所形成的光致抗蚀剂层的曝光照射光从基板的反射的下层防反射膜来使用，而且特别适合作为用于将具有凹凸的半导体基板平坦地埋入的平坦化膜来使用。作为解决本发明课题的手段为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)分子内具有环状脂肪族骨架、1个以上环氧基以及光吸收部位的脂环式环氧化合物，(B)热产酸剂以及(C)溶剂。
阳离子聚合性抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]用于将厚膜成像的光致抗蚀剂组合物-CN200480007647.1有效
发明人： R·R·达米尔;S·迈耶;M·A·斯帕克 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2004-03-09 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种特别可用于将厚膜成像的光敏性光致抗蚀剂组合物，其含有成膜性碱溶性树脂，光活性化合物，和基于光致抗蚀剂总重量计的含量范围在约2000ppm～约14,000ppm的表面活性剂。优选光致抗蚀剂膜厚度大于20微米。本发明进一步提供一种本发明光敏性组合物的涂覆和成像方法。
用于将厚膜成像光致抗蚀剂组合

[发明专利]图形形成方法和半导体器件的制造方法-CN200410091568.5无效
发明人：近藤丈博;盐原英志;竹石知之;千叶谦治;伊藤信一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S113中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
图形形成方法半导体器件制造

[发明专利]图形形成方法和半导体器件的制造方法-CN200610142247.2无效
发明人：近藤丈博;盐原英志;竹石知之;千叶谦治;伊藤信一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
图形形成方法半导体器件制造

[发明专利]正型抗蚀剂组合物-CN201280030770.X有效
发明人：照井贵阳;森高;小森谷治彦 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的正型抗蚀剂组合物的特征在于，其含有含氟脂肪族醇、聚合物、乙烯基化合物和光产酸剂，含氟脂肪族醇为一元醇、所含有的碳原子数为2～8且氢原子的个数少于等于氟原子数的个数。关于该正型抗蚀剂组合物，溶解或溶胀等的对于有机材料的影响小，可以通过有机聚合物基板的湿式涂布形成抗蚀膜，且基板上形成的抗蚀膜、抗蚀图案显示优异的耐溶剂性。
正型抗蚀剂组合

[发明专利]抗蚀剂组合物-CN200610151865.3有效
发明人：田中彻则;牧泽克宪 -专利权人：大赛璐化学工业株式会社
申请日： 2006-09-13 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种不仅可以提高制备抗蚀剂时的溶解性、显影时的抗蚀膜粘合性等特性，而且可以提高抗蚀剂稳定性，安全性也优异的抗蚀剂组合物。该抗蚀剂组合物含有抗蚀剂成分和有机溶剂，作为该有机溶剂，含有环己醇乙酸酯。在该抗蚀剂组合物中，也可以组合二种以上有机溶剂。作为有机溶剂的优选组合，可以举出，环己醇乙酸酯和环己醇的组合。在上述抗蚀剂组合物中，还可以含有选自羧酸烷基酯类、脂肪族酮类、二醇醚类以及二醇醚乙酸酯中的至少一种溶剂作为有机溶剂。
抗蚀剂组合

[发明专利]掩模坯料的制造方法以及光掩模的制造方法-CN200910133541.0无效
发明人：宫田凉司;浅川敬司 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子马来西亚有限公司
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模坯料的制造方法以及光掩模的制造方法，其包含如下工序，即，使从收容有液状的抗蚀剂的液槽在毛细管现象的作用下通过涂敷喷嘴而到达喷嘴前端开口部的抗蚀剂与具有用于形成复制图案的薄膜的基板的被涂敷面接触，同时使基板和涂敷喷嘴进行相对移动，由此在所述被涂敷面上涂敷抗蚀剂而形成抗蚀剂膜。在所述抗蚀剂膜形成工序中，在涂敷喷嘴通过所述相对移动到达了基板的涂敷结束位置附近时，改变涂敷条件而使所述被涂敷面上的涂敷量减少。
坯料制造方法以及光掩模

[发明专利]涂布抗蚀剂膜的方法和抗蚀剂涂布器-CN99119540.X无效
发明人：与那霸真哉 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-09-02 - 公布日： 2000-03-22 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：在具有8英寸或更大直径晶片上通过旋转涂布工艺涂布厚度为5500埃或更薄的抗蚀剂膜。在晶片以500至1200转/每分钟的速度旋转时,向晶片滴下预定量的抗蚀剂,当抗蚀剂在晶片的整个表面扩散时,停止下滴抗蚀剂。晶片的旋转速度提高到晶片的预定的旋转速度,该预定的旋转速度是由控制抗蚀剂膜厚度的晶片预定旋转速度的关联而确定的,并使晶片以该速度旋转1至5秒钟。然后使晶片以低于预定转速的速度旋转15秒钟或更长时间。
涂布抗蚀剂膜方法抗蚀剂涂布器

[发明专利]BGA型部件安装用的多层基板的制造方法-CN201480006819.7有效
发明人：斋藤宏和;吉田一郎 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：在安装BGA型部件(12)的多层基板(11)中形成防止信号干扰用的导电通孔(16)、并且形成抗蚀剂膜(17)的BGA型部件安装用的多层基板中，事先防止随着抗蚀剂残留于导电通孔部分而引起的不良状况的产生。在BGA型部件安装用的多层基板的制造方法中，利用空气供给机构(21)向基材的背面侧供给高压的空气来使该空气通过导电通孔，由此一边排除欲侵入该导电通孔内的抗蚀剂，一边执行用于形成抗蚀剂膜的工序中的、在基材(14)的表面部整体涂布感光性的抗蚀剂(19)的涂布工序。
bga 部件安装多层制造方法

[发明专利]空白掩模、光掩模及空白掩模的制备方法-CN202210449936.7在审
发明人：李乾坤;曹河铉;申仁均;金星润;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;郑珉交;金泰完 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本实施方式涉及空白掩模等，上述空白掩模包括透光基板及位于上述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧及氮中的至少一种。遮光膜表面的下述第一式的Mtr值为6以下：[第一式]Mtr＝|Rsk|×Rku。如上所述的空白掩模等可以提高在涂布抗蚀剂时抗蚀膜之间的附着力，且在去除抗蚀图案时可有效地去除残留在遮光膜表面上的抗蚀剂的量。
空白光掩模制备方法

[发明专利]正型感光性树脂组合物、经图案化的抗蚀剂膜的形成方法、及经图案化的抗蚀剂膜-CN202010770166.7在审
发明人：松本直纯 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及正型感光性树脂组合物、经图案化的抗蚀剂膜的形成方法、及经图案化的抗蚀剂膜。本发明的课题在于提供能够形成截面形状良好的经图案化的抗蚀剂膜且敏感度高的正型感光性树脂组合物、使用该正型感光性树脂组合物的经图案化的抗蚀剂膜的形成方法、和由前述正型感光性树脂组合物形成的经图案化的抗蚀剂膜
感光性树脂组合图案抗蚀剂膜形成方法

[发明专利]化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件-CN201380056879.5在审
发明人：山中司;川本崇司 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明可提供一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件，上述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液尤其在使用有机系显影液来形成微细化一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件，上述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的碳数22以下的烷基烯烃含量为1ppm以下，且Na、K、
化学增幅型抗蚀剂膜图案化用有机处理收容容器以及使用形成方法电子元件制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN02120010.6有效
发明人：新居浩二;冈田义纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-05-10 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在硅衬底1上依次形成了氧化硅膜4、多晶硅膜5、以及氧化硅膜6后，通过对氧化硅膜6进行构图，形成氧化硅膜14a、14b。其次，涂敷了光致抗蚀剂15后，用光掩模18对光致抗蚀剂15进行曝光。其次，通过使光致抗蚀剂15显影，形成开口部21s～21u。其次，将光致抗蚀剂15用作刻蚀掩模，通过刻蚀，将开口部21s～21u内露出的部分的氧化硅膜14a、14b除去。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有图像的透明构件及在透明构件上形成图像的方法-CN201310026057.4无效
发明人：崔春镐;李枝荣 -专利权人：劳恩创新科技有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：提供了一种在透明构件上形成图像的方法以及具有图像的透明构件，该方法包括：a）在透明构件的表面上形成涂层；b）在涂层上附接干膜光致抗蚀剂；c）使用具有图像图案的光掩膜覆盖干膜光致抗蚀剂并且使用UV照射光掩膜，从而对干膜光致抗蚀剂曝光；d）执行显影工序；e）执行蚀刻工序；以及f）执行剥离工序，以便移除干膜光致抗蚀剂的图像区域。
具有图像透明构件形成方法

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