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[发明专利]显示器件及其制造方法-CN200610149552.4有效
发明人：藤川最史;细谷邦雄 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-11-16 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的结构之一包括以下工序：形成第一导电膜；在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂；在第一导电膜及抗蚀剂上形成第二导电膜；在去除抗蚀剂的同时去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜；形成第三导电膜，使其覆盖形成在第一导电膜上的第二导电膜；选择性地蚀刻第一导电膜及第三导电膜；形成多个布线及电极。
显示器件及其制造方法

[发明专利]光刻方法及半导体器件-CN201110176517.2在审
发明人：于世瑞;孔蔚然;宗登刚 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：根据本发明的光刻方法包括：第一光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在待刻蚀结构上涂覆第一光致抗蚀剂层；第二光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在待刻蚀结构上涂覆第二光致抗蚀剂层；以及曝光步骤，用于利用掩膜对涂覆了第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的结构进行曝光其中，第一光致抗蚀剂层的材料的光敏感度大于第二光致抗蚀剂层的材料的光敏感度。
光刻方法半导体器件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410280862.4在审
发明人：结城秀昭;绫淳;鹿间省三 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法具有以下工序：(a)准备在一个主面上形成有光致抗蚀剂膜(2)的碳化硅衬底(1)的工序；(b)将第1显影液(3)滴下至光致抗蚀剂膜(2)上的工序；(c)在工序(b)结束后经过第1显影时间后，使碳化硅衬底(1)旋转，从光致抗蚀剂膜(2)上甩掉第1显影液(3)的工序；(d)在工序(c)之后向光致抗蚀剂膜(2)上滴下第2显影液(3)的工序；以及(e)在工序(d)结束后经过第2显影时间后，使碳化硅衬底(1)旋转，从光致抗蚀剂膜(2)上甩掉第2显影液(3)的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]线状槽形成方法和方向性电磁钢板的制造方法-CN202180031699.6在审
发明人：末广龙一;大村健;高城重宏;市原义悠 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C21D8/12 文献下载
摘要：在金属带钢的至少单面形成抗蚀剂被膜，接着，对上述抗蚀剂被膜一边在横穿上述金属带钢的轧制方向的方向进行扫描一边照射激光，除去经上述激光照射的部分的上述抗蚀剂被膜，接着，对上述金属带钢的除去了上述抗蚀剂被膜的部分实施蚀刻处理而形成线状槽，上述抗蚀剂被膜以固体成分换算计含有20质量％以上的无机化合物，在上述金属带钢表面，上述激光具有长轴直径与短轴直径之比为5.0以上的椭圆状的射束形状，并且扫描正交方向的射束直径为10μm～100μm。
线状形成方法方向性电磁钢板制造

[发明专利]在金属带钢表面形成槽的方法和方向性电磁钢板的制造方法-CN202180067710.4在审
发明人：高城重宏;大村健;中川畅子 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明提供即便是低输出功率激光，也可减少激光照射对金属带钢的热影响，并且良好地除去抗蚀剂被膜而在金属带钢表面形成宽度窄的槽，进而磁特性极其优异的方向性电磁钢板。一种在金属带钢表面形成槽的方法，在金属带钢的至少单面形成亮度指数L*为0～70的抗蚀剂被膜，接着，对上述抗蚀剂被膜一边在横穿上述金属带钢的轧制方向的方向进行扫描一边照射输出功率小于1.5kW的激光，除去经该激光照射的部分的抗蚀剂被膜，接着，在上述金属带钢的除去了抗蚀剂被膜的部分实施蚀刻处理而形成槽。
金属带钢表面形成方法方向性电磁钢板制造

[发明专利]制造图像传感器的方法-CN200810176265.1无效
发明人：沈莲娥 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了制造图像传感器的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成有光电二极管的衬底上方形成层间介电层；在该层间介电层上方形成光致抗蚀剂膜；从多个不同的角度多次曝光该光致抗蚀剂膜；以及通过显影经曝光的该光致抗蚀剂膜以形成微透镜其不包括回流工艺，而是包括从不同角度多次曝光光致抗蚀剂膜，然后，通过显影经曝光的光致抗蚀剂膜，形成一个或多个微透镜。
制造图像传感器方法

[发明专利]形成蚀刻掩模的方法-CN200610138003.7无效
发明人：权奇清;李来应;朴昌基;李春熙;金德镐 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：根据本发明，提供一种形成一蚀刻掩模的方法，其包含以下步骤：在一衬底上沉积一含有硅的硬掩模膜；在所述硬掩模膜上沉积一光致抗蚀剂；图案化所述光致抗蚀剂；和使用所述光致抗蚀剂图案作为一掩模且使用一包括CH_xF_y (x，y＝1，2，3)气体的蚀刻气体来蚀刻所述硬掩模膜。此时，在用于193nm或更小波长的光致抗蚀剂图案下蚀刻所述硬掩模膜时，可使用包括CH₂F₂和H₂气体的混合气体来增加所述硬掩模膜对光所述致抗蚀剂图案的一蚀刻选择性
形成蚀刻方法

[发明专利]抗蚀剂下层膜的形成方法-CN201680012680.6在审
发明人：柄泽凉;新城彻也;桥本圭祐 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供对包含碳氟化合物的气体具有高干蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的形成方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜的形成方法，将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在基板上，将涂布有上述抗蚀剂下层膜形成用组合物的基板在氮气、氩气或它们的混合物的气氛下，在240℃以上的温度烘烤至少1次，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含相对于富勒烯1分子加成有下述式(1)(式中，2个R各自独立地表示碳原子数1～10的烷基。)
抗蚀剂下层形成方法

[发明专利]被处理体的处理方法-CN201010279990.9有效
发明人：成重和树;重田和男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供能够更强地抑制光致抗蚀剂层的高度的减小的被处理体的处理方法。被处理体W具备有机膜和形成在该有机膜上的光致抗蚀剂层，使用含氢的处理气体作为处理气体，一面对第一电极(5)施加直流负电压，一面使用光致抗蚀剂层作为掩膜，利用含氢的等离子体对有机膜进行蚀刻。
处理方法

[发明专利]用于SOC图案上的图案反转的被覆用组合物-CN201580043291.5有效
发明人：谷口博昭;中岛诚;柴山亘;武田谕;若山浩之;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明的课题是提供对于被加工基板上所形成的高低差基板，可以良好地填埋于其图案间，并且形成平坦的膜的图案反转用树脂组合物。作为解决本发明课题的方法涉及用于下述工序的被覆用聚硅氧烷组合物，所述工序为：在半导体基板上2形成有机下层膜3的工序(1)，在有机下层膜3上涂布硅硬掩模形成用组合物进行烧成而形成硅硬掩模4的工序(2)，在上述硅硬掩模上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜5的工序(3)，将该抗蚀剂膜5进行曝光，曝光后将抗蚀剂膜显影而获得抗蚀剂图案的工序(4)，硅硬掩模4的蚀刻工序(5)，有机下层膜3的蚀刻工序(6)，在经图案化的有机下层膜3上涂布本发明的被覆用聚硅氧烷组合物，通过回蚀使该有机下层膜的上表面露出的工序(7a、7b)，对有机下层膜3进行蚀刻而将图案反转的工序(8)。
用于 soc 图案反转被覆组合

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201610312858.0有效
发明人：萩原琢也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在制造方法中，在圆形半导体衬底上方形成待处理膜，并且在其上方形成其表面具有抗水性质的抗蚀剂膜。随后，通过对半导体衬底的外周区域选择性执行第一晶片边缘曝光，降低圆形半导体衬底的外周区域中的抗蚀剂层的抗水性质，然后对抗蚀剂层执行液体浸没曝光。随后，对圆形半导体衬底的外周区域执行第二晶片边缘曝光，然后，将对已经被执行第一晶片边缘曝光、液体浸没曝光和第二晶片边缘曝光的抗蚀剂层显影，使得通过使用显影的抗蚀剂层来蚀刻待处理膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法-CN201980009806.8在审
发明人：朴泰文;李东勋;宋贤宇;李佑然 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物以及涉及用于使用其剥离光致抗蚀剂的方法，所述用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物在能够表现出对光致抗蚀剂优异的剥离能力的同时能够抑制剥离过程期间下部金属膜的腐蚀并能够有效地除去氧化物
用于除去光致抗蚀剂剥离组合使用方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN200610068071.0有效
发明人：山本贤一;盛一正成;岛根誉;斉藤和美;富盛浩昭;伊藤孝政;牛岛浩斉;立山克郎 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该方法可有效地防止在通孔形成之后由于蚀变层的形成和生长而导致的通路电阻增加，从而提供了可靠性提升的半导体器件。该方法包括：在半导体衬底上形成TiN膜；在TiN膜表面上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜表面上形成抗蚀剂膜；蚀刻其上形成有抗蚀剂膜的半导体衬底以形成开口，由此部分地曝露TiN膜；对TiN膜的曝露部分进行等离子体处理，以去除形成在TiN膜的曝露部分中的蚀变层；以及通过高温等离子体处理剥离抗蚀剂膜。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]含有具有羟基的缩合系树脂的形成抗蚀剂下层膜的组合物-CN200780022550.1有效
发明人：广井佳臣;岸冈高广;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，所述光刻用抗蚀剂下层膜可以用作下述膜，即，减轻对半导体基板上所形成的光致抗蚀剂的曝光照射光从基板反射的下层防反射膜、用于将具有凹凸的半导体基板平坦化的平坦化膜、防止加热烘烤时从半导体基板产生的物质污染光致抗蚀剂的膜等。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其含有具有上述式(1)的结构的聚合物和溶剂，其中，Y表示碳原子数1～10的亚烷基或碳原子数6～14的芳香族环，亚烷基和芳香族环具有羟基
含有具有羟基缩合树脂形成抗蚀剂下层组合

[发明专利]独立自支撑膜的制造及其在纳米颗粒图案合成中的应用-CN201280053361.1有效
发明人：杨军;李庭杰 -专利权人：西安大略大学
申请日： 2012-10-03 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本专利公开了一种均匀孔径、特定形状以及规则孔分布的独立自支撑多孔膜加工方法，以及其在纳米颗粒图案合成中的应用。本方法包括将光致抗蚀剂层涂覆于基底上表面，首先将其加热相应时间段，然后通过具有预设图案的掩模版使该光致抗蚀剂层通过紫外曝光，并控制所述紫外线辐射剂量的强度和时间实现剂量控制，以便所述紫外线辐射剂量通过并进入所述光致抗蚀剂层顶部比与所述基底表面紧邻的光致抗蚀剂层底部经受更多的交联，从而在所述光致抗蚀剂层的厚度内产生交联梯度。由于与基低表面相邻的膜部分与膜表面相比交联程度低，去除掩模版后容易将膜层从基底表面分离。分离后的膜形成是具有特定图形分布的独立自支撑多孔膜。当沉积在UV透明基底上时，该方法也可以用正性光致抗蚀剂材料，以便将光致抗蚀剂从其顶部通过掩模对掩模版进行UV曝光并且从透明基底的背部掩模版进行直接无掩模的UV曝光。
独立支撑制造及其纳米颗粒图案合成中的应用