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[发明专利]用于细胞的选择性分离或用于细胞培养的经聚合物被覆的基体-CN201880046103.8有效
发明人：北野博巳;中路正;臼井友辉;西野泰斗;岸冈高广 -专利权人：国立大学法人富山大学;日产化学株式会社
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C07K17/08 文献下载
摘要：本发明提供在表面的至少一部分被覆有包含下述式(1a)及式(1b)表示的结构单元的聚合物(P1)的带配体的基体及其原材料、以及其制造方法。式中，R1、R2、X、Y、L、Q1、Q2、Q3、m1、m2及n如权利要求书及说明书中记载。#imgabs0#
用于细胞选择性分离细胞培养聚合物被覆基体

[发明专利]具有亚苄基氰基乙酸酯基的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202280017061.1在审
发明人：窪寺俊;西田登喜雄;远藤勇树;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、优选为溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：包含下述式(1)所示的部分结构的化合物(A)、和溶剂。(式中，R1、R2各自表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，X表示碳原子数1～10的烷基、羟基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数1～10的烷氧基羰基、卤原子、氰基、硝基或它们的组合，Y表示直接键合、醚键、硫醚键或酯键，n表示0～4的整数，＊表示与化合物(A)残基的结合部分。)#imgabs0#
具有苄基乙酸抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]用于异物除去的涂膜形成用组合物-CN201880014924.3有效
发明人： 岸冈高广;田村护;臼井友辉;绪方裕斗 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。
用于异物除去形成组合

[发明专利]保护膜形成用组合物-CN201780056169.0有效
发明人：桥本雄人;德永光;绪方裕斗;大桥智也;境田康志;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及溶剂，相对于除去该溶剂后的固体成分，含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％。(式中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基、或直接结合，k表示0或1，m表示1～3的整数，n表示2～4的整数。)
保护膜形成组合

[发明专利]异物除去用涂膜形成用组合物-CN202180049745.5在审
发明人： 岸冈高广;臼井友辉;森谷俊介 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供在半导体装置制造工序中用于将形成在基板上的异物除去的简便的方法，并提供那样的方法所使用的异物除去用涂膜形成用组合物。一种组合物，是包含聚合物和溶剂、能够形成溶解于显影液的涂膜的异物除去用涂膜形成用组合物，上述聚合物选自苯酚酚醛清漆、聚羟基苯乙烯衍生物和含有羧酸的聚合物，所述组合物包含相对于组合物中的固体成分整体为50质量％以上的上述聚合物。
异物除去用涂膜形成组合

[发明专利]感光性绝缘膜形成用组合物-CN202180021724.2在审
发明人：远藤雅久;泽田和宏;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供一种能给予初始介电损耗角正切低，且其经时变化也小的固化物的感光性绝缘膜树脂组合物、使用该感光性绝缘膜组合物制造带固化浮雕图案的基板的方法、及具备该固化浮雕图案的半导体装置。所述感光性绝缘膜形成用组合物包含具有下述式(1)表示的重复单位结构的聚合物，及溶剂。式(1)中，基团A1表示(A1)所示的芳族杂环，基团A2表示(A2)所示的芳族杂环，基团A1、基团A2可以具有交联性取代基，基团B1表示具有交联性取代基的有机基团，基团B2表示不具有交联性取代基的有机基团。
感光性绝缘形成组合

[发明专利]包含特定交联剂的保护膜形成用组合物及使用了该组合物的图案形成方法-CN201780026762.0有效
发明人：大桥智也;绪方裕斗;桥本雄人;臼井友辉;境田康志;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。作为解决手段是一种对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：1分子中具有2个以上选自缩水甘油基、末端环氧基、环氧环戊基、环氧环己基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基、异氰酸酯基和封闭异氰酸酯基中的至少1种基团的交联剂，侧链或末端具有下述式(1)所示的基团且重均分子量为800以上的化合物，以及有机溶剂。(式中，X1表示与上述交联剂反应的取代基，R0表示直接结合或碳原子数1或2的亚烷基，X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基，a表示0～2的整数，b表示1～3的整数，c表示0～4的整数，b与c满足1≤(b+c)≤5的关系式。)。
包含特定交联剂保护膜形成组合使用图案方法

[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201780025998.2有效
发明人：境田康志;高濑显司;岸冈高广;坂本力丸 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供常温下的保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物和有机溶剂，1分子所述含氮化合物中具有2～6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基。1分子中具有2～6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物为例如下述式(1A)所示的甘脲衍生物。(式中，R1各自独立地表示甲基或乙基，R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基。)
抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法-CN201780015920.2有效
发明人：绪方裕斗;臼井友辉;田村护;岸冈高广 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供具有大的干蚀刻速度、在曝光时作为防反射膜起作用、并且能够将窄间隙和高长宽比的凹部埋入的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的结构单元的共聚物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，Z表示‑O‑基、‑S‑基或‑S‑S‑基，Ar表示亚芳基。)
抗蚀剂下层形成组合使用图案方法

[发明专利]具有抑制生物物质附着的能力的离子络合材料及其制造方法-CN202011478659.X有效
发明人：广井佳臣;大谷彩子;岸冈高广;西野泰斗;小泽智行 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C09D143/02 文献下载
摘要：本发明提供具有抑制生物物质附着的能力的涂覆膜和离子络合材料、它们的制造方法、通过将特定的单体混合物聚合而得到的共聚物、具有特定的组成的涂覆膜形成用组合物、作为用于形成该膜的涂覆膜形成用组合物的原料使用的含有共聚物的清漆的制造方法、以及用于形成涂覆膜的溶胶。尤其是，提供通过包括以下工序的方法得到的涂覆膜：将涂覆膜形成用组合物涂布于基体的工序，以及于－200℃～200℃的温度进行干燥的工序，所述涂覆膜形成用组合物包含下述共聚物和溶剂，所述共聚物包含：包含式(a)表示的有机基团的重复单元和包含式(b)表示的有机基团的重复单元(式中，Ua1、Ua2、Ub1、Ub2及Ub3、以及An－如本说明书及权利要求书中所定义的那样)。
具有抑制生物物质附着能力离子络合材料及其制造方法

[发明专利]包含羟基芳基末端的聚合物的药液耐性保护膜形成用组合物-CN202080027542.1在审
发明人：小田切薰敬;西田登喜雄;远藤贵文;远藤勇树;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C08G59/14 文献下载
摘要：本发明提供下述保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1)：(在式(1)中，Ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，‑Y‑表示‑OCO‑、‑O‑或‑S‑，＊表示与上述反应生成物(P)分子末端的结合部分)所示的结构，上述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(S)。＊‑Y‑Ar‑(OH)n(1)。
包含羟基末端聚合物药液耐性保护膜形成组合

[发明专利]感光性纤维形成用组合物及纤维图案的形成方法-CN202080012817.4在审
发明人：横山义之;岸冈高广 -专利权人：富山县;日产化学株式会社
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： D01F1/10 文献下载
摘要：本发明的课题是提供将表面具有金属层的基材使用具有特定的组成的感光性纤维进行了加工的金属图案的制造方法、金属图案的制造方法、用于制造该感光性纤维的组合物，优选提供便宜且柔软的透明配线图案。解决手段是本发明的感光性纤维为包含正型感光性材料的感光性纤维。正型感光性材料可以包含酚醛清漆树脂等。本发明的金属图案的制造方法包含下述工序：在表面具有金属层的基材上形成由感光性纤维构成的纤维层的第1工序；将该纤维层经由掩模进行曝光的第2工序；将该纤维层通过显影液进行显影，形成感光性纤维图案的第3工序；以及将该金属层利用蚀刻液进行蚀刻，进一步将感光性纤维除去，从而形成网眼状金属图案的第4工序。
感光性纤维形成组合图案方法

[发明专利]包含自由基捕获剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202080012493.4在审
发明人：上林哲;远藤贵文;桥本雄人;远藤勇树;岸冈高广;坂本力丸 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C08K5/3435 文献下载
摘要：提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。
包含自由基捕获抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]感光性粘接剂组合物-CN201780052451.1有效
发明人：大桥拓矢;榎本智之;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C09J167/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供新的感光性粘接剂组合物。解决手段是一种感光性粘接剂组合物，其包含下述(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分，且与上述(A)成分相比以质量比计更多地含有上述(B)成分。(A)成分：具有下述式(1)所示的结构单元、且末端具有下述式(2)所示的结构的聚合物，(B)成分：具有上述式(1)所示的结构单元、且末端具有上述羧基或羟基的聚合物，(C)成分：自由基型光聚合引发剂，和(D)成分：溶剂，(在这些式中，X表示碳原子数1～6的烷基、乙烯基、烯丙基或缩水甘油基，m和n各自独立地表示0或1，Q表示碳原子数1～16的二价烃基，Z表示碳原子数1～4的二价连接基，该二价连接基与上述式(1)中的‑O‑基结合，R1表示氢原子或甲基。)
感光性粘接剂组合

[发明专利]具有缩醛结构和酰胺结构的保护膜形成用组合物-CN202080009988.1在审
发明人：西田登喜雄;远藤贵文;远藤勇树;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C08F212/14 文献下载
摘要：提供在半导体制造中的光刻工艺中用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物、应用了该保护膜的抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：包含至少1个缩醛结构和至少1个酰胺结构的化合物或聚合物、和溶剂。上述聚合物优选为分子内包含至少1个缩醛结构的化合物(a)、与分子内包含至少1个酰胺结构的化合物(b)的共聚物。
具有结构保护膜形成组合

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