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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种扇出型晶圆级封装芯片-CN202020234916.4有效
发明人：赵伟;齐耀威 -专利权人：京微齐力(北京)科技有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扇出型晶圆级封装芯片，包括：重组晶圆、重布线层和焊球。重组晶圆包括硅基材和装载于硅基材第一表面的至少四个芯片，芯片包括：至少一个FPGA芯片、至少一个配置Flash芯片、至少一个PSRAM芯片和至少一个SDRAM芯片；重布线层包括：层叠的第一聚合物薄膜层和第二聚合物薄膜层
一种扇出型晶圆级封装芯片

[发明专利]改质双胺型苯并恶嗪树脂及制备方法、及其在液态晶圆级封装材料中作为应力释放剂的应用-CN201910765525.7在审
发明人：伍得;廖述杭;王义;董创;苏峻兴 -专利权人：湖北三选科技有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C08G14/06 文献下载
摘要：本发明公开了改质双胺型苯并恶嗪树脂及制备方法、及其在液态晶圆级封装材料中作为应力释放剂的应用，改质双胺型苯并恶嗪树脂结构为：苯并恶嗪树脂改质双胺应力释放剂液态封装材料晶圆封装烷基应力释放效果改性聚醚胺晶圆级封装晶圆翘曲甲氧基聚醚基扇出型乙氧基模封翘曲制备应用

[发明专利]一种新型晶圆级外露模封装件及其方法-CN202211060740.5在审
发明人：徐召明;汪民;袁致波;张建东 -专利权人：华天科技（南京）有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种新型晶圆级外露模封装件及其方法，包括以下步骤：在硅基一面上开设有硅基槽，将芯片嵌入到硅基槽内，对硅基另一面进行减薄直到露出芯片，通过再布线工艺将芯片信号引出到芯片有源区或硅基表面和芯片有源区形成再布线金属层，在再布线金属层上长凸点得到新型晶圆级外露模封装件，这样能够做到超薄、大尺寸芯片外露模封装，降低了生产成本，提高了芯片引脚扇出率、封装件的散热性能和可靠性能，能够规模化应用于薄型化数码产品中。
一种新型晶圆级外露封装及其方法

[发明专利]一种用于扇出式圆片级封装的散热构件及制造方法-CN201610016506.0有效
发明人：赖忠民;叶丹;王俭辛;曹秀斌 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种用于扇出式圆片级封装的散热构件及制造方法，所述构件包括若干芯片和圆形布线层，所述芯片的正面按矩阵式安置在所述布线层的背面上，所述芯片的背面和侧面以及布线层未被芯片覆盖的背面上包裹有塑封层构成扇出式圆片所述方法是：键合支撑圆片、扇出式圆片背面钻孔、扇出式圆片背面沉积铜种子层、铜种子层表面涂光刻胶、光刻胶层曝光和显影、扇出式圆片背面形成导热铜柱、扇出式圆片背面去除光刻胶、扇出式圆片背面去除铜种子层、去除支撑圆片本发明提高了扇出式圆片级封装器件散热效率，保证了大功率扇出式圆片级封装器件的可靠性。
一种用于扇出式圆片级封装散热构件制造方法

[发明专利]多模块集成内插器和由此形成的半导体器件-CN201910403773.7在审
发明人：张聪;邱进添;杨旭一;张亚舟 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：所述多模块内插器可以在所述晶圆级形成，并且提供到所述器件中的所述一个或多个管芯的扇出信号路径以及自所述器件中的所述一个或多个管芯的扇出信号路径。另外，所述多模块内插器允许在所述晶圆级形成任何各种不同的半导体封装构型，包括例如引线键合封装、倒装芯片封装和硅通孔(TSV)封装。
模块集成内插由此形成半导体器件

[发明专利]晶圆级扇出的多芯片封装结构及其制备方法-CN202111669397.X在审
发明人：李宗怿;罗富铭;郭良奎;潘波 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级扇出的多芯片封装结构，包括：转接结构，以及分别位于所述转接结构下侧和上侧的封装有芯片的第一包封层和第二包封层；所述第二包封层上设有外大内小的多个开口，以及覆盖所述开口且与所述转接结构中的导电金属层电连接的本发明还公开了一种晶圆级扇出的多芯片封装结构制备方法。本发明在包封层上开口并用UBM层覆盖及焊料填充，大大简化了现有技术中用于与外部电路连接的互连结构的制程工艺，节省了成本。
晶圆级扇出芯片封装结构及其制备方法

[发明专利]双面贴装的扇出封装结构及封装方法-CN201610768360.5在审
发明人：于大全;肖智轶;黄真瑞 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种双面贴装的扇出封装结构及其封装方法，将正面含有导电垫和背面含有焊盘的芯片埋入到硅基体第一表面的下沉凹槽中，并将正面的导电垫用第一金属重布线引出；在硅基体第二表面制作通孔暴露下沉凹槽底芯片背面的焊盘该封装结构作为双面有焊球结构的扇出型封装体，提供了更好的3D晶圆级扇出封装选择。
双面封装结构方法

[实用新型]双面贴装的扇出封装结构-CN201620991360.7有效
发明人：于大全;肖智轶;黄真瑞 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双面贴装的扇出封装结构，将正面含有导电垫和背面含有焊盘的芯片埋入到硅基体第一表面的下沉凹槽中，并将正面的导电垫用第一金属重布线引出；在硅基体第二表面制作通孔暴露下沉凹槽底芯片背面的焊盘该封装结构作为双面有焊球结构的扇出型封装体，提供了更好的3D晶圆级扇出封装选择。
双面封装结构

[实用新型]晶圆级芯片封装结构-CN201921658278.2有效
发明人：徐罕;陈彦亨;吴政达;林正忠;薛亚媛 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，包括：待封装芯片，具有第一表面及第二表面；导电柱，形成于第二表面；封装层，形成于第二表面并延伸至待封装芯片的侧部；重新布线层，形成于封装层上与导电柱电连接；引出焊垫本实用新型采用基于平坦化辅助层及金属连接层制备的引出焊垫进行待封装芯片的电性引出，可以提高引出的电学性能以及连接稳定性，提高封装结构的整体性能，采用先进行贴片，再进行重新布线层制备的方式，在扇出型晶圆级封装中，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性。
晶圆级芯片封装结构

[发明专利]一种多芯片扇出型封装结构及封装方法-CN202210456290.5在审
发明人：彭绍军 -专利权人：珠海市人民医院
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种多芯片扇出型封装结构，包括晶圆，晶圆上设有的腔体，晶圆及腔体表面的第一再布线层，第一再布线层设有的金属凸块，背面堆叠在一起的第一芯片和第二芯片，腔体、第一芯片与第二芯片、第一再布线层与第一再布线层上的金属凸块等形成的塑封体并提供了上述一种多芯片扇出型封装结构的封装方法。该发明实现了封装体高集成、多功能、小型化、低能耗、高强度，易散热的优良性能。
一种芯片扇出型封装结构方法

[发明专利]一种高密度扇出型封装结构及封装方法-CN202310950503.4在审
发明人：付东之;马书英;赵艳娇 -专利权人：华天科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度扇出型封装结构及封装方法，该方法包括如下步骤：取一载片，在该载片上的表面形成抗反射层；在抗反射层上交替制备形成多层金属重布线层和钝化层；在金属重布线层上连接功能芯片，在重构晶圆结构的有效区的空白区域以及重构晶圆结构的无效区贴装假芯片该方法通过降低塑封体内应力与提升重构晶圆硅占比的多重手段，显著改善高密度扇出型封装重构晶圆的翘曲问题。
一种高密度扇出型封装结构方法

[发明专利]一种硅基三维扇出集成封装方法及其结构-CN202010441532.4在审
发明人：王成迁;徐罕;李守委 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基三维扇出集成封装方法及其结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。本发明通过使用硅基实现三维扇出型晶圆级封装，完成高密度异构芯片三维集成，其封装效率、集成度、性能大大提高。
一种三维集成封装方法及其结构

[发明专利]用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构及其封装工艺-CN201810105352.1在审
发明人：王新;蒋振雷;陈坚 -专利权人：浙江卓晶科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，包括至少两层重新布线层，重新布线层为介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构，金属连接结构露出介电层作为金属触点，重新布线层的一侧设置塑封层，塑封层内塑封有芯片或无源被动元件，相邻的重新布线层之间通过微硅晶块连接。本发明还公开了此种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构的封装工艺。
重新布线层三维立体封装多芯片介电层晶圆级扇出型金属连接结构封装工艺无源器件塑封层被动元件互联结构集成封装金属触点三维堆叠集成度裸晶片晶块两层塑封微硅无源封装芯片配合应用

[发明专利]一种选择性湿法处理晶圆边缘的方法及半导体装置-CN201811381699.5有效
发明人：姚大平 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性湿法处理工艺方法和设备装置，该工艺方法应用于晶圆级扇出封装工艺集成，硅片、玻璃、或其他衬底晶圆边缘在常规去胶处理后留下的残胶去除，具体包括：将待处理晶圆背面放置在选择性湿法处理晶圆边缘的半导体装置的下部密封圈上，通过处理腔体Z轴移动，使上部密封圈接触晶圆的正面，由此所述晶圆的边缘密封在所述半导体装置的除胶处理腔内；向处理腔里加入去除残胶溶液，仅对所述待处理晶圆的边缘部分进行湿法处理；预定去胶时间后，排出处理腔内的用过的去胶液；再利用纯水处理冲洗所述晶圆边缘；以及关闭纯水供应阀门，并利用惰性气体干燥晶圆。
一种选择性湿法处理边缘方法半导体装置

[发明专利]晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构及封装工艺-CN202110184861.X在审
发明人：王赛 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构及封装工艺，该结构包括芯片，芯片背面贴合有ABF膜，在ABF膜后面粘合有一定厚度的支撑硅层，支撑硅层未经过磨片处理，芯片正面有第一压区和第二压区，在所述第一压区和第二压区正面会通过光刻本发明的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，通过在芯片外设有绝缘介质胶膜和支撑层，能够大大的减小芯片的翘曲度，而且由于在芯片外设有支撑硅层，支撑硅层能有效的对芯片散热，提供更好的散热需求，并可以根据客户的封装需求灵活定制封装厚度的新型封装结构
晶圆级嵌入式硅片支撑封装结构工艺

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