专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]装置及方法-CN202180027330.8在审
  • 坂爪崇宽 - 信越化学工业株式会社
  • 2021-03-22 - 2022-12-02 - H01L21/365
  • 本发明是一种装置,其至少具备:雾化部,其雾化原料溶液而产生雾;连接于所述雾化部、并输送含有所述雾的载气的配管;输送向含有所述雾的载气中混合、并以1种以上的气体为主成分的添加用流体的至少一根以上的配管;与部连接、并输送将含有所述雾的载气和所述添加用流体混合后的混合雾流体的配管;连接部件,其连接输送含有所述雾的载气的配管、输送所述添加用流体的配管、以及输送所述混合雾流体的配管;以及部,其对所述雾进行热处理而在基体上进行,通过所述连接部件连接的、输送所述添加用流体的配管与输送所述混合雾流体的配管所的角是120度以上。由此,提供一种能够应用速度优异的雾化CVD法的装置。
  • 装置方法
  • [发明专利]装置和方法-CN202210681604.1在审
  • 佐佐木和男;町山弥;齐藤均;佐佐木芳彦 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-06-15 - 2022-12-27 - C23C16/455
  • 本发明提供提高生产率的装置和方法。装置对基板进行ALD,具备处理腔室,其具有:旋转滚筒,将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面;主体部,收纳旋转滚筒,具有:多个处理室,与保持侧面相对,具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的长条状的处理空间多个处理室至少包括:原料气体吸附室,使原料气体吸附于基板;等离子体反应室,从反应气体生成与原料气体反应的等离子体,具备:框体;长条状的金属窗,由与保持侧面相对且在等离子体反应室的长度方向以第1间隔配置直线状的多个分割窗构成
  • 装置方法
  • [发明专利]装置和方法-CN202210710422.2在审
  • 菅原由季;原雄太郎;山田尚人 - 佳能特机株式会社
  • 2022-06-22 - 2022-12-30 - C23C14/24
  • 本发明提供对相对地移动的基板均匀地装置和方法。装置具备:单元,对在移动方向上相对地移动的基板进行;以及调整部件,调整基板与掩模的位置关系。单元包括分别包含放出蒸镀物质的至少一个蒸发源的第一单元以及第二单元。在通过调整部件使掩模与基板的第一区域重合的第一状态和通过调整部件使掩模与基板的第二区域重合的第二状态中的任一状态下,进行基于第一单元的以及基于第二单元的
  • 装置方法
  • [发明专利]方法和装置-CN202211647658.2在审
  • 根石浩司 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-12-21 - 2023-06-30 - C23C16/455
  • 本发明提供能够形成杂质少的金属氧化方法和装置。对处理容器内的基片金属氧化方法包括:向处理容器内供给含有有机金属前体的原料气体的步骤;在供给原料气体的步骤之后去除残留在处理容器内的残留气体的步骤;接着进行的向处理容器内供给使原料气体氧化的氧化剂的步骤
  • 方法装置
  • [发明专利]装置及方法-CN202180055657.6在审
  • 松中繁树;藤田笃史 - 芝浦机械电子装置株式会社
  • 2021-09-15 - 2023-05-02 - H01L21/203
  • 本发明提供一种能够以高生产率形成GaN装置及方法。实施方式的装置1包括:腔室20,能够使内部为真空;旋转台31,设置于腔室20内,保持工件10,以圆周的轨迹循环搬送工件10;GaN处理部40A,具有包含含有GaN的材料的靶、及将导入至所述靶与所述旋转台之间的溅射气体G1等离子体化的等离子体产生器,通过溅射使含有GaN及Ga的材料的粒子堆积于由旋转台31循环搬送的工件10;以及氮化处理部50,使在GaN处理部40A中堆积的材料的粒子在由旋转台31循环搬送的工件
  • 装置方法
  • [发明专利]方法和装置-CN202211326911.4在审
  • 藤田成树;村上博纪 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-10-25 - 2023-05-05 - C23C16/50
  • 本发明提供一种方法和装置,能够提高形成金属的区域的选择性。方法包括下述(A)~(C)。(A)准备在表面具有含硼的第一、以及由与所述第一的材料不同的材料形成的第二的基板。在所述方法中,通过交替地进行所述原料气体的供给和所述等离子体化后的所述反应气体的供给,来相对于所述第一选择性地在所述第二上形成第三,所述第三模是所述元素X的氧化
  • 方法装置
  • [发明专利]方法和装置-CN202211159390.8在审
  • 千叶贵司;佐藤润 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-09-22 - 2023-04-04 - C23C16/50
  • 本发明提供方法和装置。提供一种能够在形成了氮氧化硅后控制氮氧化硅中氮浓度的技术。本发明的一形态的方法具有以下工序:(a)在基板上形成含有硅(Si)、氧(O)以及氮(N)的;以及(b)将形成有所述的所述基板暴露于由含有Ar气体的等离子体生成气体生成的等离子体中,在该工序中,通过对所述等离子体生成气体中是否含有氮化气体进行切换,从而调整所述中含有的氮浓度。
  • 方法装置
  • [发明专利]装置及方法-CN202310017437.5在审
  • 菅原由季;竹见崇 - 佳能特机株式会社
  • 2023-01-06 - 2023-08-01 - C23C14/24
  • 本发明涉及装置及方法,当在装置中进行多层时,抑制成质量的降低。装置具备一边移动一边在基板上进行的蒸发源单元。在蒸发源单元的时的移动方向上依次排列有第一蒸发源、第二蒸发源、第三蒸发源。移动方向上的第一蒸发源及第二蒸发源之间的距离比移动方向上的第二蒸发源及第三蒸发源之间的距离长。
  • 装置方法
  • [发明专利]装置以及方法-CN201510131930.5有效
  • 中岛直人;羽田浩二;吉野裕文 - 斯克林集团公司
  • 2015-03-25 - 2017-08-22 - C23C16/27
  • 本发明提供一种能够提高类金刚石效率的装置以及方法。装置(10)具有腔室(1),在内部形成有处理空间(V);低电感的电感耦合式天线(21),配置于处理空间(V);高频电力供给部(24),向电感耦合式天线(21)间歇性地供给高频电力;气体供给部(3),向处理空间(V)供给含有碳氢化合物的气体;相对移动部(4),使作为的对象物的基体材料(9)相对于电感耦合式天线(21)移动;电压施加部(5),在暂时停止向电感耦合式天线(21)供给高频电力的时间段,
  • 装置以及方法

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