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[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202310088366.8在审
发明人：石丸友纪;户田将也;高桥恒太;虎谷健一郎;松尾和展 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及能够缩短成膜时间的成膜装置和成膜方法。实施方式的成膜装置具备：包含侧壁的腔室；设在腔室上部的喷淋头；设在腔室中并用于保持基板的保持器；向喷淋头供给第1气体的第1气体供给管；设在第1气体供给管上的第1阀；设在腔室的除喷淋头以外的区域上的气体供给部；向气体供给部供给第2气体的第2气体供给管；设在第2气体供给管上的第2阀；从腔室排出气体的气体排出管；以及与气体排出管连接的排气装置。
装置方法

[发明专利]半导体器件以及半导体存储器件-CN202210993759.9在审
发明人：户田将也;石丸友纪;黄河;高桥恒太;松尾和展;落合隆文;本田彰司;虎谷健一郎;佐久间究;盐川太郎;冈岛睦 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：实施方式提供晶体管特性优异的半导体器件以及半导体存储器件。实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其将氧化物半导体层包围；以及栅极绝缘层，其设置在栅电极与氧化物半导体层之间，与第1电极分离，包含氮(N)。并且，从第1电极朝向第2电极的第1方向上的第1电极与栅极绝缘层之间的第1距离比第1方向上的第1电极与栅电极之间的第2距离小。
半导体器件以及半导体存储器件

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202210991569.3在审
发明人：黄河;松尾和展;石丸友纪;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种晶体管特性优异的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，设置于第1电极与第2电极之间，包含第1区域、第1区域与第2电极之间的第2区域、及第1区域与第2区域之间的第3区域，且第1区域的第1电阻率比第2区域的第2电阻率高；栅极电极，包围第3区域；及栅极绝缘层，设置于栅极电极与第3区域之间；且从第1电极朝向第2电极的第1方向上的第1电极与栅极电极之间的第1距离比第1方向上的栅极电极与第2电极之间的第2距离小。
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202211006451.7在审
发明人：侧濑聪文;黄河;坂田敦子;神谷优太;松尾和展;泽敬一;高桥恒太;虎谷健一郎;刘益民 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：实施方式提供能降低导通电阻的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其将氧化物半导体层包围；栅极绝缘层，其设置在栅电极与氧化物半导体层之间；第1绝缘层，其设置在第1电极与栅电极之间；以及第2绝缘层，其设置在第2电极与栅电极之间，在与从第1电极朝向第2电极的第1方向平行的截面中，将连结第1电极与第1绝缘层的界面的第1端部和第2电极与第2绝缘层的界面的第2端部的方向定义为第2方向，在截面中，氧化物半导体层的第1部分在第2方向上设置在栅极绝缘层与第1电极之间，在截面中，氧化物半导体层的第2部分在第2方向上设置在栅极绝缘层与第2电极之间。
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法-CN202210077247.8在审
发明人：石丸友纪;森伸二;松尾和展;泽敬一;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一氧化物半导体层，其设置于第一电极与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素，第一金属元素为选自由Ga、Mg及Mn构成的组中的至少一种金属元素；第二氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素；第三氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之间，包含In、Zn及第二金属元素，第二金属元素为选自由Al、Hf、La、Sn、Ta、Ti、W、Y及Zr构成的组中的至少一种金属元素；栅极电极，其与第三氧化物半导体层相向；以及栅极绝缘层，其设置于第三氧化物半导体层与栅极电极之间。
半导体装置存储制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202110928778.9在审
发明人：福田夏树;楢崎亮太;来栖贵史;神谷优太;松尾和展;森伸二;本田彰司;落合隆文;山下博幸;金山纯一;黄河;斋藤雄太;高桥恒太;石丸友纪;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：实施方式提供能够实现高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1导电层，在第1方向上延伸；第2导电层，在第1方向上延伸，在第2方向上与第1导电层并排；第1绝缘层，设置于第1导电层与第2导电层之间；半导体层，在第2方向上延伸，在第3方向上与第1导电层、第2导电层以及第1绝缘层对置；第1电荷积蓄层，设置于第1导电层与半导体层之间；第2电荷积蓄层，设置于第2导电层与半导体层之间；第1高介电常数层，设置于第1导电层与第1电荷积蓄层之间；以及第2高介电常数层，设置于第2导电层与第2电荷积蓄层之间。第1电荷积蓄层中的至少一部分在第2方向上不隔着第2高介电常数层而与第2电荷积蓄层对置。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置-CN202110804572.5在审
发明人：戸田将也;高桥恒太;松尾和展;神谷优太;森伸二;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够适当地将包含金属元素的2个膜接近地配置的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备：积层膜，交替地包含多个电极层与多个绝缘层；电荷存储层，介隔第1绝缘膜设置在所述积层膜内；半导体层，介隔第2绝缘膜设置在所述电荷存储层内；以及第1部分，在所述电极层与所述绝缘层之间及所述电极层与所述第1绝缘膜之间，介隔第3绝缘膜设置在所述绝缘膜及所述第1绝缘膜的表面。所述第3绝缘膜包含第1金属元素及第1元素，所述第1部分包含第2元素及第3元素。所述电极层具备：第1电极层，包含第2金属元素，设置在所述第1部分侧；以及第2电极层，包含第3金属元素，设置在所述第1部分的相反侧；所述第2元素与所述第3元素的电负性之差大于所述第1金属元素与所述第1元素的电负性之差。
半导体装置