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[发明专利]热收缩膜的制造方法-CN201310598561.1有效
发明人：星进;福冈亮子;中村安孝 -专利权人：旭化成化学株式会社
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C08L53/02 文献下载
摘要：本发明提供热收缩膜的制造方法，所述热收缩膜是透明的，且在刚性、拉伸率和纵横收缩性等物性平衡方面优异，尤其是膜的厚度均一且制膜稳定性优异，该热收缩膜以吹塑法成膜得到。本发明所提供的嵌段共聚物或其氢化物在拉伸特性、光学特性、硬度、延展特性、加工性、收缩性、耐溶剂性等方面优异，适用于挤压成型、注射成型、发泡体。本发明所提供的热收缩膜的制造方法包括：第1吹塑工序，使用乙烯基芳香族烃的含量为65重量%～95重量%、共轭二烯的含量为5重量%～35重量%的嵌段共聚物或其氢化物(I)作为材料，形成厚度为0.05mm～0.5mm的管；以及与所述第1吹塑工序连续进行的第2吹塑工序，在65℃～100℃的流体中将所述管在挤压垂直方向上拉伸1.5倍～5倍成膜。
收缩制造方法

[发明专利]成膜装置、成膜用托盘、成膜方法、成膜用托盘的制造方法-CN201710764134.4有效
发明人：西山隆司;中山孝 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置、成膜用托盘、成膜方法、成膜用托盘的制造方法。目的是实现制造成本的削减和成品率的提高。一种成膜装置，在多个成膜用托盘（1）上搭载硅晶片（5）而在成膜输送路（11A）上输送，具有成膜用加热器（13b）、喷吹原料气体的多个喷气头（13A、13B、13C）、和使成膜后的成膜用托盘循环的循环机构（15）；成膜用托盘由托盘主体（2）和架设在托盘主体上的支承圈（3）构成；支承圈的载置部（3c）的载置部下表面（3d）从托盘主体的面（2a）分离，并且托盘主体由粉体烧结陶瓷构成，支承圈被从气相成长的大块的陶瓷切出
装置成膜用托盘方法制造

[发明专利]2-乙基己酰基取代的纤维素酯-CN202080060265.4有效
发明人：韦斯利·韦恩·麦康奈尔;穆斯塔法·亨贝尔·艾哈迈德;王斌 -专利权人：伊士曼化工公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C08B3/16 文献下载
摘要：本申请公开了区域选择性取代的纤维素酯，其包含2‑乙基己酰基取代基，该纤维素酯具有期望的机械特性，这样的特性允许纤维素酯拉伸成更大且更薄的膜，同时仍保持其光学特性。
乙基己酰基取代纤维素

[发明专利]成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板-CN201110358373.2无效
发明人：岩田宽 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种可成膜当利用激光划线法来进行图案形成时能够适当地被去除的钼层的成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板。本发明的成膜装置在成膜室(11B)内，从基板输送方向(D)的上游侧遍及下游侧产生惰性气体的压力梯度。该压力梯度以上游侧的惰性气体的压力增大且下游侧的惰性气体的压力减小的方式形成。通过在产生这种压力梯度的成膜室(11B)内实施钼层的成膜，从而能够成膜从基板侧遍及表面侧形成有金属密度梯度的钼层。就该金属密度梯度而言，在钼层的膜厚方向上，以密度随着从表面侧接近基板侧而减小的方式形成密度梯度。若对具有这种密度梯度的钼层应用激光划线法，则能够适当地去除钼层。
装置成膜基板制造方法

[发明专利]成膜装置及利用成膜装置的成膜系统-CN200510072223.X无效
发明人：北原大 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明是有关于一种成膜装置及利用成膜装置的成膜系统，能够缩短因对成膜装置的电极及其周边部进行清洁而造成的成膜装置停止时间，并可提高成膜工程的生产效率。
装置利用系统

[发明专利]一种混凝土用毛面剂及其制备方法和应用-CN202010187145.2在审
发明人：徐忠洲;王宏维;马雪英 -专利权人：山西佳维新材料股份有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： C04B40/06 文献下载
摘要：本发明提供一种混凝土用毛面剂，包括：缓凝剂、无机填料、成膜剂、成膜助剂和水，其中，所述毛面剂中，以重量份数计，所述缓凝剂的含量为15～40重量份；所述无机填料的含量为20～40重量份；所述成膜剂的含量为1～8重量份；所述成膜助剂的含量为0.1～1重量份；所述水的含量为15～60重量份。通过缓凝剂、无机填料、成膜剂、成膜助剂和水的配合使用，使得所提供的毛面剂吸附性好且有效性仅作用于混凝土表层，在有效时间满足实际施工工序衔接的要求，另外还具体易于均匀涂刷，无需二次处理，以及pH值为7～8，环保安全等特性。
一种混凝土用毛面剂及其制备方法应用

[实用新型]可食膜手动涂布成膜机-CN202220218849.6有效
发明人：王岸娜;吴立根 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型属于可食膜生产加工技术领域。一种可食膜手动涂布成膜机，包括支撑底框、导热板、成膜模具、加热单元和涂布丝辊，导热板水平布设在支撑底框内；成膜模具贴合设置在导热板上部，在成膜模具与支撑底框之间设置有卡扣单元，卡扣单元用于将成膜模具固定在支撑底框上；加热单元设置在导热板下部的支撑底框内，加热单元用于对成膜模具进行加热；涂布丝辊设置在支撑底框的上部，涂布丝辊与成膜模具对应贴合，所述涂布丝辊用于成膜模具上的料液抹平。本申请能够大大提高产品的实用性，满足试验中的小批量的生产的需要，提高操作的便捷性，并且能够有效的控制可食膜的成型尺寸，并获取可食膜的成型特性。
可食手动涂布成膜机

[发明专利]光子器件、光子器件操作方法以及光子器件制造方法-CN201980026526.8在审
发明人：延斯·霍弗里希特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：光子器件包括半导体衬底(10)和压敏膜(20)。压敏膜(20)被布置在衬底(10)之中或之上。光子结构(30)被至少部分地耦合至膜(20)，并被布置成根据由施加至膜(20)的压力所引起的变形而改变光学特性。
光子器件操作方法以及制造方法

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201410265714.5在审
发明人：佐藤强;贵志寿之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置以及成膜方法。实施方式的成膜装置为，从移动的喷嘴向旋转的基板的表面供给处理液，在上述基板的表面上螺旋状地涂布上述处理液，通过上述基板的旋转由所涂布的上述处理液形成膜。该成膜装置具备保持上述基板的保持部、使上述保持部旋转的驱动部、向上述保持部所保持的上述基板的表面供给上述处理液的处理液供给部以及至少控制上述驱动部的控制部。而且，上述控制部使上述保持部以比涂布上述处理液时的第一转速慢的第二转速旋转，而由所涂布的上述处理液形成膜。
装置以及方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201310521037.4在审
发明人：李汉隆 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： B05C9/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜装置，其包括收容治具、固定治具及紫外光固化部。所述收容治具为采用透明材质制作形成，所述收容治具内形成有至少一个容置槽，所述容置槽用于收容待成膜零件，所述容置槽的尺寸大于所述待成膜零件的尺寸。所述固定治具用于吸附待成膜零件置于所述容置槽内，所述至少一个待成膜零件与所述至少一个容置槽的槽壁间形成间隙。所述紫外光固化部用于向所述间隙提供紫外光线从而光固化所述间隙内的紫外光固化胶水。本发明还涉及一种利用上述成膜装置的成膜方法。
装置方法

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201710670183.1在审
发明人：邻嘉津彦;铃木康司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法及成膜装置。课题在于，提供对于形成于沟槽等内的膜而言不形成空隙地在沟槽等内埋入膜的成膜方法。本发明的一方式的成膜方法包括以下工序通过在设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔的基板的表面产生包含硅的成膜气体的等离子体，从而在上述底部及上述侧壁形成包含硅的第1半导体膜。形成于上述侧壁的上述第1半导体膜通过在上述基板的上述表面产生包含卤素的蚀刻气体的等离子体而被选择性除去。通过在上述基板的上述表面产生第1等离子体，从而在上述底部及上述侧壁形成第2半导体膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201811000943.9在审
发明人：清水亮;石井胜利;寺本章伸;诹访智之;志波良信 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置以及成膜方法，提供抑制对晶片的损伤，并以低温形成高品质的氮化硅膜的技术。当对在处理容器(1)内载置的晶片W供给Si₂H₆气体和NH₃气体来形成SiN膜时，针对NH₃气体，进行在与Si3气体和Si₂H₆气体在较低的加热温度下在晶片W形成高品质的氮化硅膜。
晶片处理容器紫外线照射成膜装置氮化硅膜高品质成膜损伤紫外线处理紫外线照射低温形成气体反应对向活化载置加热

[发明专利]成膜方法以及成膜装置-CN201811074896.2在审
发明人：尾崎一人 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明使用各种靶体材料并通过等离子体溅射对基板进行高速且优质的成膜。)、(53)与具有靶体的溅射阴极(51)接近地配置，该感应耦合天线(52)、(53)具有由电介质层(522)、(532)覆盖匝数小于一圈的线状导体(521)、(531)的结构，向内部气压被调节成规定的成膜压力的真空腔室内供给溅射气体，并且分别向感应耦合天线施加高频电压、向溅射阴极施加负电压，使得在真空腔室内产生感应耦合等离子体，使由靶体被感应耦合等离子体溅射而产生的成膜粒子附着在基板(S)的表面上进行成膜。
靶体感应耦合天线成膜感应耦合等离子体溅射阴极真空腔施加室内等离子体溅射成膜粒子成膜压力成膜装置电介质层高频电压溅射气体面向基板内部气压线状导体真空腔室对基板负电压静磁场磁通附着基板溅射匝数覆盖配置

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201811093525.9在审
发明人：尾崎一人 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：不论靶的消耗状态，都能够进行成膜速度以及膜质的变动较小的稳定的成膜。成膜装置(1)具有：真空腔室(10)；磁控阴极(51)，设在真空腔内并能够设置有靶；高频天线(52、53)；基板保持部(31)，在真空腔内保持基板(S)以使基板(S)与靶(512)相向；气体供给部，向真空腔内供给溅射气体
高频天线真空腔成膜成膜装置磁控阴极高频电源高频功率基板物理量电感耦合等离子体等离子体磁控等离子体基板保持部气体供给部溅射气体阴极电源阴极功率真空腔室靶表面膜质相向施加消耗

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201710969596.X在审
发明人：小田桐正弥;桑田拓岳;江原宽贵;田部井幸宽;高桥毅;中村秀雄;山崎和良;出野由和 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形成的氮化气体和吹扫气体的气体供给机构(5)；对腔室
装置方法