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[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202310088366.8在审
发明人： 石丸友纪;户田将也;高桥恒太;虎谷健一郎;松尾和展 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及能够缩短成膜时间的成膜装置和成膜方法。实施方式的成膜装置具备：包含侧壁的腔室；设在腔室上部的喷淋头；设在腔室中并用于保持基板的保持器；向喷淋头供给第1气体的第1气体供给管；设在第1气体供给管上的第1阀；设在腔室的除喷淋头以外的区域上的气体供给部；向气体供给部供给第2气体的第2气体供给管；设在第2气体供给管上的第2阀；从腔室排出气体的气体排出管；以及与气体排出管连接的排气装置。
装置方法

[发明专利]半导体器件以及半导体存储器件-CN202210993759.9在审
发明人：户田将也;石丸友纪;黄河;高桥恒太;松尾和展;落合隆文;本田彰司;虎谷健一郎;佐久间究;盐川太郎;冈岛睦 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：实施方式提供晶体管特性优异的半导体器件以及半导体存储器件。实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其将氧化物半导体层包围；以及栅极绝缘层，其设置在栅电极与氧化物半导体层之间，与第1电极分离，包含氮(N)。并且，从第1电极朝向第2电极的第1方向上的第1电极与栅极绝缘层之间的第1距离比第1方向上的第1电极与栅电极之间的第2距离小。
半导体器件以及半导体存储器件

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202210991569.3在审
发明人：黄河;松尾和展;石丸友纪;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种晶体管特性优异的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，设置于第1电极与第2电极之间，包含第1区域、第1区域与第2电极之间的第2区域、及第1区域与第2区域之间的第3区域，且第1区域的第1电阻率比第2区域的第2电阻率高；栅极电极，包围第3区域；及栅极绝缘层，设置于栅极电极与第3区域之间；且从第1电极朝向第2电极的第1方向上的第1电极与栅极电极之间的第1距离比第1方向上的栅极电极与第2电极之间的第2距离小。
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法-CN202210077247.8在审
发明人： 石丸友纪;森伸二;松尾和展;泽敬一;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一氧化物半导体层，其设置于第一电极与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素，第一金属元素为选自由Ga、Mg及Mn构成的组中的至少一种金属元素；第二氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素；第三氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之间，包含In、Zn及第二金属元素，第二金属元素为选自由Al、Hf、La、Sn、Ta、Ti、W、Y及Zr构成的组中的至少一种金属元素；栅极电极，其与第三氧化物半导体层相向；以及栅极绝缘层，其设置于第三氧化物半导体层与栅极电极之间。
半导体装置存储制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202210077720.2在审
发明人：神谷优太;松尾和展;高桥恒太;户田将也;石丸友纪 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明实施方式提供具备泄漏电流小的电容器绝缘膜的半导体存储装置。本发明实施方式的半导体存储装置具备：第一导电层与第二导电层之间的第一氧化物半导体层；将第一氧化物半导体层包围的第一栅极电极；第一电极，其与第二导电层电连接，包含Ti；第二电极，其将第一电极包围，包含Ti；第一电极与第二电极之间的第一电容器绝缘膜；与第一导电层电连接的第三导电层；第三导电层与第四导电层之间的第二氧化物半导体层；将第二氧化物半导体层包围的第二栅极电极；第三电极，其与第四导电层电连接，包含钛(Ti)；第四电极，其将第三电极包围，包含Ti；以及第三电极与第四电极之间的第二电容器绝缘膜。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202110928778.9在审
发明人：福田夏树;楢崎亮太;来栖贵史;神谷优太;松尾和展;森伸二;本田彰司;落合隆文;山下博幸;金山纯一;黄河;斋藤雄太;高桥恒太;石丸友纪;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：实施方式提供能够实现高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1导电层，在第1方向上延伸；第2导电层，在第1方向上延伸，在第2方向上与第1导电层并排；第1绝缘层，设置于第1导电层与第2导电层之间；半导体层，在第2方向上延伸，在第3方向上与第1导电层、第2导电层以及第1绝缘层对置；第1电荷积蓄层，设置于第1导电层与半导体层之间；第2电荷积蓄层，设置于第2导电层与半导体层之间；第1高介电常数层，设置于第1导电层与第1电荷积蓄层之间；以及第2高介电常数层，设置于第2导电层与第2电荷积蓄层之间。第1电荷积蓄层中的至少一部分在第2方向上不隔着第2高介电常数层而与第2电荷积蓄层对置。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202010894858.2在审
发明人： 石丸友纪;森伸二;松尾和展;泽敬一;侧濑聡文 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体存储装置。本发明的实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1金属区域，设置于第1电极与第2电极之间，且包含选自由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)、镁(Mg)、锰(Mn)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、及锡(Sn)所组成的群中的至少一种金属元素；第2金属区域，设置于第1金属区域与第2电极之间，且包含至少一种金属元素；半导体区域，设置于第1金属区域与第2金属区域之间，且包含至少一种金属元素及氧(O)；绝缘区域，设置于第1金属区域与第2金属区域之间，且被半导体区域包围；栅极电极，包围半导体区域；及栅极绝缘层，设置于半导体区域与栅极电极之间。
半导体装置存储