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[发明专利]应力调节模组及显示面板-CN202210707338.5在审
发明人：曹方义;朱微;秦学桐;肖一鸣;赵理;朱修剑 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种应力调节模组及显示面板，应力调节模组包括：至少一层应变调节层，应变调节层至少包括沿应力调节模组的厚度方向依次层叠设置的第一应变层、第二应变层和第三应变层，第二应变层包括沿垂直于应力调节模组的厚度方向依次设置的至少两个应变部，至少两个应变部的应变性能不同。相比于单层的膜层，通过调整各应变部的应变性能，所能够得到的包括第一应变层、第二应变层和第三应变层三层结构的应变调节层的应变性能可调节范围更大，能够适应不同应力要求的显示面板，有效避免因膜层的应变性能不能满足需求而使膜层之间产生剥离的问题
应力调节模组显示面板

[发明专利]高效率有源层和半导体发光器件及制备方法-CN202210353728.7有效
发明人：王俊;谭少阳;周立;程洋;肖啸;郭银涛;俞浩;李泉灵;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种高效率有源层和半导体发光器件及其制备方法，高效率有源层包括：应变量子阱层；位于所述应变量子阱层一侧的第一应变势垒层，所述第一应变势垒层用于传输电子；所述第一应变势垒层和所述应变量子阱层用于形成应变补偿；位于所述应变量子阱层另一侧的第二势垒层，所述第二势垒层用于传输空穴；所述第一应变势垒层的导带与所述应变量子阱层的导带之间的带阶小于所述应变量子阱层的价带与所述第一应变势垒层的价带之间的带阶，且所述应变量子阱层的价带与第二势垒层的价带之间的带阶小于所述第二势垒层的导带与所述应变量子阱层的导带之间的带阶
高效率有源半导体发光器件制备方法

[实用新型]一种两方向弯曲气动网格软体执行器-CN202020113936.6有效
发明人：刘帅;吕书锋;宋晓娟 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种两方向弯曲气动网格软体执行器，包括第一气囊应变层、中间限制应变层、第二气囊应变层和气管，第一气囊应变层和第二气囊应变层对称设置在中间限制应变层两侧，第一气囊应变层和第二气囊应变层的一端连接气管，第一气囊应变层和第二气囊应变层均由大气囊和小气囊间隔组合构成，相邻的大小气囊壁薄于其他气囊壁。当第一气囊应变层充气时，执行器向第二气囊应变层的方向弯曲；当第二气囊应变层充气时，执行器向第一气囊应变层的方向弯曲，弯曲角度固定，弯曲频率可控，设计合理，工作性能稳定，成本较低，是一种新型的软体机器人的执行机构
一种方向弯曲气动网格软体执行

[发明专利]形成绝缘体上的应变硅(SSOI)的方法及其形成的结构-CN02807649.4有效
发明人： K·里姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI(绝缘体上硅)结构与其制造方法，其中应变硅层(12)直接位于绝缘体层(14)上。该方法需要在应变诱发层(22)上形成硅层(12)，其中应变诱发层(22)具有与硅不相同的晶格常数，使得由于与应变诱发层(22)之晶格失配而硅层(12)会有应变。由此形成的多层结构(18)接合到基底(24)上，使得绝缘层(14)在应变硅层(12)与基底(24)之间，而且使得应变硅层(12)直接接触到绝缘层(14)。然后去除掉应变诱发层(22)，而产生应变的SOI之结构(10)，该结构包括直接位于绝缘层(14)上的应变硅层(12)，其中硅层(12)内的应变由SOI结构(10)保持。
形成绝缘体应变 ssoi 方法及其结构

[发明专利]应力作用的半导体器件及其制造方法-CN200910197078.6无效
发明人：王祯贞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种应力作用的半导体器件及其制造方法，其中，所述制造方法包括：提供半导体器件；在半导体器件的表面形成第一应变层；在所述第一应变层的表面形成第二应变层......在第n应变层的表面形成第n+1应变层；所述各应变层的应力类型相同。与现有技术的单层应变层相比，本发明通过将多层应变层复合，形成于半导体器件上，使得应变层能够紧附于器件表面，避免在折角处以及应变层底部与器件表面之间产生裂缝或者空隙等缺陷，同时各层应变层共同作用，不降低整体诱发应力的大小
应力作用半导体器件及其制造方法

[发明专利]混合晶向应变硅衬底及其制备方法-CN200910197074.8无效
发明人：魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一锗硅层的位错密度，并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层，能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中，应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺，能够保持应变硅的应变程度。
混合应变衬底及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710005811.0无效
发明人：村松谕 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-02-25 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括硅衬底、应变诱导层、硅层、FET和隔离区。在硅衬底上，提供应变诱导层。在应变诱导层上，提供硅层。应变诱导层在硅层中的FET的沟道区中引起晶格应变。该硅层包括FET。源/漏区和应变诱导层彼此隔开。在FET周围，提供了隔离区。隔离区穿透硅层从而到达应变诱导层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810901040.1有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：该发明涉及一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成应变层，且所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；刻蚀所述缓冲层，形成支撑柱，使所述应变层悬空，将所述应变层的应力完全释放；在应力完全释放的所述应变层表面外延生长弛豫层，且所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。所述半导体结构包括衬底；位于所述衬底表面的支撑柱；位于所述衬底上方，由所述支撑柱支撑的应变层，所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；位于所述应变层表面的弛豫层，所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法-CN201110408312.2无效
发明人：王向展;王微;秦桂霞;曾庆平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种具有高锗(Ge)组分的应变锗硅(SiGe)层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及应变锗硅(SiGe)层的制备。所述方法包括以下步骤：准备硅(Si)衬底；采用传统生长应变Si层的方法在Si衬底上长一层具有少量应变并且质量较好的应变Si层，采用化学气相淀积(CVD)或分子束外延(MBE)等外延技术在上述生长好的应变Si层上外延一层含有高Ge组分的应变SiGe层。本发明通过在应变Si层上外延SiGe层，利用应变Si中的应变缓解上层SiGe层中的应变，使得SiGe层中缺陷更少，这样Ge组分可以更高，所涉及的设备，工艺等，都是最常见最普通的半导体工艺，因此，本发明不但具有高锗的应变锗硅层
一种具有 ge 组分应变 sige 制备方法

[发明专利]半导体结构-CN201010151192.8有效
发明人：王敬;许军;郭磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构，包括衬底，形成在衬底上的过渡层或绝缘层，依次形成在过渡层或绝缘层上的第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层、第二应变宽禁带半导体层，以及形成在第二应变宽禁带半导体层之上的栅堆叠，和形成在第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层和第二应变宽禁带半导体层之中的源极和漏极。该半导体结构不仅能抑制两种BTBT漏电的产生，另外还能在中间的应变窄禁带半导体层(例如应变Ge层或应变SiGe层)中产生空穴势阱，提高载流子的迁移率，改善器件性能。
半导体结构

[发明专利]一种应力分析用电阻应变计-CN201410032570.9有效
发明人：胡玲玲 -专利权人：济南金钟电子衡器股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种应力分析用电阻应变计，属于应变计，其结构包括标记基底和应变计本体，应变计本体包括从下到上依次设置的第一层应变计片、第二层应变计片和第三层应变计片，第一层应变计片、第二层应变计片和第三层应变计片的上部分别设置有敏感栅，第三层应变计片的敏感栅的上部设置有保护层，第一层应变计片、第二层应变计片和第三层应变计片上部设置的敏感栅的丝栅轴向分别呈45°、135°、90°分布，敏感栅的焊盘呈同一角度分布，每个焊盘上分别设置有引线，整个应变计的外形尺寸小于3mm×3mm。本发明具有应变计外观新颖独特，尺寸小但合格率高，可以降低生产成本并解决贴片受限的难题。
一种应力分析用电应变

[发明专利]柔性显示模组及显示装置-CN202111255444.6在审
发明人：曾佳;刘少奎;沈丹平;曾伟;青威;王志会 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本公开涉及显示技术领域，公开了一种柔性显示模组及显示装置；该柔性显示模组包括柔性显示面板和应变速率敏感层；应变速率敏感层设于柔性显示面板的一侧，应变速率敏感层的模量随着应变速率的增加而增加。在柔性显示模组进行折叠时，应变速率较低，应变速率敏感层的模量较小，具有良好的柔性，容易折叠；应变速率敏感层在高应变速率下呈现出玻璃态，此时应变速率敏感层的模量较大，不容易变形，从而当应变速率敏感层受到外界冲击载荷时，应变速率敏感层呈现出较小的应变、具有较好的抗冲击能力，从而提高整个柔性显示模组的抗冲击能力；而且能有效保护应变速率敏感层下方的柔性显示面板。
柔性显示模组显示装置

[发明专利]应变层的形成方法、半导体器件及其制造方法-CN201910361533.5有效
发明人：余自强 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种用于CFET的应变层的形成方法、半导体器件及其制造方法，其中，应变层的形成方法包括：提供衬底，在所述衬底的部分区域形成交替外延生长的第二叠层结构，所述第二叠层结构至少包括三层；蚀刻掉位于所述第二叠层结构的中间层中的至少一层，形成层间间隙；形成应变层，所述应变层充满所述层间间隙。本发明提供的应变层的形成方法，使用原子层淀积法形成应变层，提高了应变层的应变力，同时降低了制造成本。
应变形成方法半导体器件及其制造

[发明专利]应变片制备方法及具有其的应变片及霍普金森杆-CN201910287272.7有效
发明人：冯雪;唐瑞涛;刘兰兰;付浩然;陆方圆 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：应变片制备方法及具有其的应变片，该方法包括如下步骤：在目标面上打印应变敏感层；固化所述应变敏感层；在所述应变敏感层的端部布设导电部件；在所述应变敏感层上设置聚合物薄膜层，以使所述聚合物薄膜层覆盖所述应变敏感层与所述导电部件的连接点以及应变敏感层该制备方法适合平面和曲面等多种目标面的制备，能够减少在目标面制备应变片的时间，提高制备效率，同时能够将应变片准确地制备在目标位置且粘结牢固，保证在目标表面制备的应变片整体性能稳定、灵敏度高，且制备过程中不会出现气泡，制备过程干净整洁，该方法可用于制备较大范围尺寸的应变片，应用更加广泛。
应变制备方法具有霍普金森杆

[发明专利]用于弹性体应变测量的薄膜应变计及制备方法-CN201911148112.0在审
发明人：齐红丽;吴昊;马相龙;吴承勇;林杰俊 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七0四研究所
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于弹性体应变测量的薄膜应变计及制备方法，该薄膜应变计中的绝缘隔离层、应变敏感层和保护层均制备于弹性体上，其中，绝缘隔离层制备于弹性体表面，用于薄膜应变计整体与弹性合金之间的电气绝缘；应变敏感层制备于所述绝缘隔离层上方，用于应变的测量；所述保护层制备于所属应变敏感层之上，并设置露出应变敏感层的引线电极，用于保护应变敏感层不受外界环境的影响，避免应变敏感层发生老化、腐蚀等现象。本发明的薄膜应变计，不同于传统粘贴式电阻应变片，不需要引入粘贴剂，从而避免了滞后与蠕变大的问题，并具有结构简单、精准度高、响应速度快的优点，制备好薄膜应变计的弹性体更可以满足其他计量装置的应变测量需求。
敏感层制备应变计薄膜绝缘隔离层应变测量保护层弹性体表面电阻应变片受外界环境弹性合金电气绝缘计量装置引线电极精准度粘贴剂粘贴式蠕变测量老化腐蚀响应引入滞后

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