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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910559598.0有效
发明人： 王祯贞;张建军 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基底、栅极、及含磷的介电层。栅极在基底上。含磷的介电层在栅极上。含磷的介电层具有变化的磷掺杂质密度分布轮廓。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种薄膜应力分布的监测方法-CN201010102375.0有效
发明人： 王祯贞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜应力分布的监测方法，通过多次形成参考薄膜得到对应的一组应力值和一组平均收缩率以绘制标准应力-收缩率关系曲线；监测待测薄膜时，在沉积工艺后和紫外线固化工艺后分别测量待测薄膜的不同位置的厚度，从而据此计算对应的收缩率以得到待测薄膜的收缩率分布，并根据该标准应力-收缩率关系曲线得到待测薄膜的应力分布；此外，根据待测薄膜的应力分布还可以得到应力分布非均匀度，这都有利于薄膜出现问题时的分析和处理。
一种薄膜应力分布监测方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200910197823.7有效
发明人： 王祯贞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及同时具有拉应力以及压应力的半导体器件的制造方法，包括步骤：提供同时具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体基底；在半导体基底上沉积拉应力层；在拉应力层上沉积复合硬掩膜层，该复合硬掩膜由至少两层硬掩膜层组合而成，且硬掩膜层的沉积速率自半导体基底表面逐层递增；去除PMOS晶体管上的复合硬掩膜层和拉应力层；沉积压应力层；去除NMOS晶体管上的压应力层、部分复合硬掩膜层；进行互连结构制作。本发明在形成复合硬掩膜层时，第一层硬掩膜层能够充分填充相邻晶体管栅极之间的沟槽，避免空隙产生，之后形成的产品的电学性能得到保障。当沟槽填充完成，采用较快的速率沉积硬掩膜层，使生产效率得到提高。
半导体器件制造方法

[发明专利]应力记忆作用半导体器件的制造方法-CN200910197815.2无效
发明人： 王祯贞;徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种应力记忆作用半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供半导体基底，在所述半导体基底上形成晶体管；在所述晶体管的表面沉积应力传递层；在所述应力传递层的表面沉积应力层；对所述晶体管的有源区进行热退火；去除应力层；制作互连结构。与现有技术区别的是，所述沉积应力层在温度350～450℃，功率50～150W条件下进行。该方法使得热退火之后的应力层的应力相比沉积后有大幅提升，可以提升至1.5GPa以上。应力层的应力大幅提升，可以使得晶体管的源、漏极上记忆更大压力，可增强载流子的迁移率，增大导通电流、提高器件响应速度。
应力记忆作用半导体器件制造方法

[发明专利]应力作用的半导体器件及其制造方法-CN200910197078.6无效
发明人： 王祯贞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种应力作用的半导体器件及其制造方法，其中，所述制造方法包括：提供半导体器件；在半导体器件的表面形成第一应变层；在所述第一应变层的表面形成第二应变层......在第n应变层的表面形成第n+1应变层；所述各应变层的应力类型相同。与现有技术的单层应变层相比，本发明通过将多层应变层复合，形成于半导体器件上，使得应变层能够紧附于器件表面，避免在折角处以及应变层底部与器件表面之间产生裂缝或者空隙等缺陷，同时各层应变层共同作用，不降低整体诱发应力的大小。
应力作用半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN200910195978.7有效
发明人： 王祯贞;周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上形成场效应晶体管；在所述场效应晶体管的表面形成阻挡层；利用紫外线，照射所述阻挡层；在所述阻挡层的表面形成应力层；对所述场效应晶体管的有源区进行热退火；去除所述应力层；在所述场效应晶体管表面形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层的表面形成金属前介质层，在所述金属前介质层以及所述刻蚀阻挡层中制作接触孔，引出有源区互连线。本发明使用紫外线照射所述阻挡层，使得所述阻挡层的组织结构致密性，能够减少或防止有源区中的掺杂离子向外扩散，确保所述阻挡层能够具有较佳的绝缘性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种高张应力薄膜的形成方法-CN200910194440.4无效
发明人： 王祯贞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明揭露了一种高张应力薄膜的形成方法，通过采用不同的沉积工艺温度与紫外线暨快速热处理工艺温度，可以移除更多高张应力薄膜中的氢，从而进一步提高了高张应力薄膜的伸张应力。
一种应力薄膜形成方法

[发明专利]应变记忆作用的半导体器件制造方法-CN200910056023.3有效
发明人： 王祯贞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种应变记忆作用的半导体器件制造方法，包括：提供半导体基底，在半导体基底上形成场效应晶体管；在所述场效应晶体管的表面形成照射阻挡层；在所述照射阻挡层的表面形成应力顶盖层，并使用紫外线照射所述应力顶盖层；对所述场效应晶体管的有源区进行热退火；去除所述应力顶盖层；在场效应晶体管表面形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的诱发应力类型与应力顶盖层相同；在刻蚀阻挡层的表面形成金属前介质层，在所述金属前介质层以及刻蚀阻挡层中制作接触孔引出有源区互连线。本发明使用紫外线照射应力顶盖层增强其诱发应力的效果，并适当减薄刻蚀阻挡层的厚度，保持半导体器件的电性能的同时，解决晶体管的相邻栅极之间容易形成空隙的问题。
应变记忆作用半导体器件制造方法

[发明专利]一种去除水中铁锰的深度处理方法-CN200710172449.6无效
发明人：唐文伟;王祯贞;曾新平 -专利权人：同济大学
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C02F3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除水中铁锰的新工艺方法。本工艺采用优选活性炭作为填料，经一定条件下挂膜培养后形成生物活性炭。含铁锰废水在跌水曝气和充氧曝气的方式下充氧，经过生物活性炭工艺的活性炭吸附作用、生物作用和滤层的过滤作用，去除水中铁锰，同时也可降解水中COD、氨氮等多种物质。该工艺可去除多种污染物质，有效的缩短了工艺流程，大大降低工程费用和运行费用，不仅适用于含铁锰的源水，而且适用于含铁锰的工业废水的深度处理。
一种去除水中深度处理方法

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